【半导体】PN结、二极管

0.半导体

“半导体”是一种特性介于“导体”和“绝缘体”之间的物质，前者像金属一样导电，后者几乎不导电。电流流动的容易程度与物质电阻的大小有关。如果电阻高，电流很难流动；如果电阻低，电流容易流动。
用电阻系数表示电导率时，半导体的电阻系数分布在10⁴ 至10⁸Ωcm之间，导体的电阻系数分布在10^-8至10^-4Ωcm之间，绝缘体的电阻系数分布在10⁸至10¹⁸Ωcm之间。
硅（Si）和锗（Ge）是众所周知的半导体材料。当它们是纯晶体时，这些物质接近绝缘体（本征半导体），但是掺杂少量的掺杂剂就会导致电阻大幅度下降，变成导体。

1.P型半导体

p型半导体是指掺杂了硼（B）或铟（In）的本征半导体。硅有四个价电子，硼有三个价电子。如果将少量硼掺杂到硅单晶中，在某个位置上的价电子将不足以使硅和硼键合，从而产生了缺少电子的 空穴（Hole），如图1所示 ¹。在这种状态下施加电压时，相邻的电子移动到空穴中，使得电子所在的地方变成一个新的空穴，从另一个角度看，就是空穴在反向移动，从而形成了电流，因此，认为P型的载流子是空穴。

图1 P型半导体

2.N型半导体

n型半导体是指以磷（P）、砷（As）或锑（Sb）作为杂质进行掺杂的本征半导体。第磷有五个价电子。如果在纯硅晶体中加入少量磷，磷的一个剩余的价电子就成为了可以自由移动的自由电子（Free electron），如图2所示 ¹。

图2 N型半导体

3.PN结

3.1 PN结的形成

p型和n型半导体之间的接触面即称为pn结（pn junction）。
p型和n型半导体键合时，由于分别含有较高浓度的“空穴”和自由电子，存在浓度梯度，所以二者之间将产生扩散运动。即：

• 自由电子由n型半导体向p型半导体的方向扩散
• 空穴由p型半导体向n型半导体的方向扩散

作为载流子的空穴和自由电子相互吸引、束缚并在边界附近消失。由于在这个区域没有载流子，所以它被称为耗尽层，与绝缘体的状态相同。
结区只剩下不可移动的带电离子，失去了电中性变为带电，n型半导体存在带正电的带电离子，p型半导体存在带负电的带电离子，形成了由n型半导体指向p型半导体的内电场，内电场会阻碍自由电子继续由n型半导体向p型半导体的方向扩散，同时阻碍空穴由p型半导体向n型半导体的方向扩散，从而达到动态平衡。
如图3所示，其中电子与空穴的浓度分别用蓝线、红线表示。灰色区域是电中性。亮红色是正电区域，亮蓝色区域是负电性。底部显示电场。内电场的静电力作用于电子与空穴，阻碍其扩散运动。

图3 pn结形成过程

3.2 PN结的特性

1.正向偏置
在图3的这种状态下，如果将“＋”极连接到p型区，将“-”极连接到n型区，施加在p区的电压高于n区的电压，称为正向偏置（forward bias）。
在正向偏置电压的外电场作用下，n区的电子与p区的空穴被推向pn结。这降低了耗尽区的耗尽宽度。这降低了pn结的电势差（即内在电场）。随着正向电压的增加，耗尽区最终变得足够薄以至于内电场不足以反作用抑制多数载流子跨pn结的扩散运动，因而降低了pn结的电阻。

2.反向偏置
如果如果将“-”极连接到p型区，将“+”极连接到n型区，施加在n区的电压高于p区的电压，这种状态称为pn结反向偏置（reverse bias）。由于p区连接电源负极，多数载流子(空穴)被外电场拉向负极，因而耗尽层变厚。n区也发生类似变化。并且随反向偏置电压的增加，耗尽层的厚度增加。从而，多数载流子扩散过pn结的势垒增大，pn结的电阻变大，宏观上可看成绝缘体，不导电。

3.伏安特性曲线
由以上分析，可得到pn结的图4的伏安特性曲线，其中蓝色表示正向导通的状态；绿色为反向饱和电流的状态；黄色表示pn结被击穿的状态；红色部分表示即将被导通的状态，pn结的最重要的特征：单向导电性。

图 4 pn结的伏安特性曲线

4.二极管

二极管是作为一种半导体器件，应用十分广泛。常见的二极管是基于半导体-半导体接面产生的PN结制作，但是有一些特殊的二极管并非如此。

4.1 肖特基二极管（Schottky diode）

肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒，以产生整流的效果，和一般二极管中由半导体-半导体接面产生的PN结不同，因此为其带来了一些不同的特性，肖特基二极管和一般二极管最大的差异在于：反向恢复时间，也就是二极管由流过正向电流的导通状态，切换到不导通状态所需的时间。一般二极管的反向恢复时间大约是数百nS，若是高速二极管则会低于一百 nS，肖特基二极管没有反向恢复时间，因此小信号的肖特基二极管切换时间约为数十 pS。在电路中的符号如图5所示，

图5 肖特基二极管电路符号

图6展示了一些不同类型的肖特基二极管，

图6 小信号的肖特基二极管、中高功率的肖特基二极管

4.2 瞬态电压抑制二极管

瞬态电压抑制二极管也称为TVS二极管，是一种保护用的电子零件，可以保护电器设备不受导线引入的电压尖峰破坏。TVS二极管有单向的及双向的。单向的TVS二极管在顺向操作时类似整流器，但在其设计允许承受很大的峰值电流，双向的TVS二极管可以视为是二个极性相反的雪崩二极管相串联，再和要保护的电路并联。虽然在电路中会标示为二个二极管，不过实际元件是将二个二极管封装在一起。

图7 瞬态电压抑制二极管电路符号

4.3 齐纳二极管（Zener diode）

是利用二极管在反向电压作用下的齐纳击穿（崩溃）效应，制造而成的一种具有稳定电压功能的电子技术器件，因此又称为“稳压二极管”。齐纳二极管的正向偏置和一般二极管相同，但是其反向击穿电压（又称齐纳电压）的范围远大于一般的二极管，能承受比一般二极管更高的电压，而且齐纳二极管的反向电压操作是可逆的。常见的齐纳电压从3伏特到100伏特。在电路中的符号如图8所示，

图8 齐纳二极管电路符号

参考

---

1. 分立半导体器件基础知识 ↩︎ ↩︎