MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管

                       正接                              反接                                           平衡状态：PN节没有外接电源时，P极空穴和N极扩散电子结合形成的平衡区域属于耗尽层。

反接：在平衡基础上反接电源，来自电池负极的电子直接和P极空穴结合，会增大耗尽层。

正接：在平衡基础上正接电源，来自电池负极的电子通过N极传导后在和P极空穴结合，会减小耗尽层。

同样是来自电源的电子，为什么走的方向不一样，对耗尽层的影响会不一样？

首先要明白，耗尽层是果，不是因。

反接时，那些电子和空穴结合后，不能越过PN节回到电源，一直占用着空穴，会耗尽空穴，所以称他可以增大耗尽层。

正接时，那些和空穴结合的电子后面可以回到电源，不仅不会一直占有空穴，反而会增大空穴利用率，所以是减小耗尽层。

平衡的时候：N区电子就比P区多

正接：电源负极向N区提供电子，本来N区电子就多，不接电源都会往P跑，而P本来电子就少（很多空穴），外还接了电源正极吸走电子，所以N区电子更加会往P区跑。比如电源负极提供了10个电子在N，N跑了10个到P，P又被电源正极吸走10个，从而形成电流

反接：P区本来就空穴多，加上负极提供了电子把空穴填满，N区本来就电子多，加上正极把电子吸走，有种把混合物（N是硅混合了磷，P是硅混了了硼）变成单质（硅）的感觉。导体变得更稳定了，自由电子也就少了。

你可能会问：

反接会不会达到像正接的状态，比如，反接时，P区空穴填满了，如果负极再提供10个电子，然后被N吸走，N再被正极吸走10个，就像正接时一样的状态。

其实不太可能。

通俗的理解是：从0到1难，从1到2容易。

N一直希望自己多余的电子走了，P希望自己的空穴填满，这样的话外键都是8个电子稳定态，相当于单质硅。正接时，电源负极往本来就有很多电子的N区添加电源是相对容易（从1到2），导电性强。而反接时，电源负极往很多本来就有很多空穴的P区添加电子也是相对容易，但是当填满后，P稳定了，不再需要电子了，这时你再添加电子相对困难（从0到1），导电性弱。但如果你电池很厉害，负极提供电子给P区的能力很强，正极吸走N区电子能力也强，那么二极管就会被击穿（雪崩击穿、齐纳击穿）

然后回过头来考虑耗尽层变大变小就容易了，耗尽指的是把空穴耗尽或者把电子耗尽，即把空穴填满，把电子消耗。

 

（视频后面也有说，扩散就是指电子扩散到空穴，把空穴填完了，就耗尽了，就是稳态，也就不导电了）

所以：

空穴多=耗尽层小

空穴少=耗尽层大

正接时：P区由于接了电源正极，正极会不断吸走P区电子，导致P区会一直有空穴，空穴多，耗尽层小

反接时：P区接了电源负极，负极提供电子，把P区填满，导致P区没空穴， 空穴少，耗尽层大。

所以，耗尽层是果，不是因。耗尽层只是电子在外接电源的影响下产生了不同走势从而抽象出来的概念