【低功耗设计】功耗模型和PTPX功耗分析流程

从芯片设计到芯片量产的过程中功耗分析是必不可少的环节。在流片前进行功耗分析可以大致估计芯片在各应用场景中的功耗，可以提前做好功耗的优化，达到我们的预期功耗目标。回片后的功耗测量则是实际的芯片功耗，与预估功耗会有一定的差别。

虽然流片前的功耗分析与实际有差异，但是依然十分重要。通过流片前功耗分析，有助于我们提前做好芯片的优化，避免无效投入和资源消耗。而且流片前的功耗分析还能检查出芯片在不同的工作模式下或者工作场景下是否存在不必要的功耗，比如时钟该关的模块是否关闭，不该工作的模块是否没有工作，可以做到芯片设计的合理性检查。

功耗的构成

1.静态功耗

主要指漏电流功耗（leakage power），指电路处于不翻转状态时所产生的泄露功耗。和本身工艺库特性有关，有标准单元库的.db提供相关数据。
静态功耗计算公式：

其中漏电流（）主要包括以下几部分：
1）亚阈值导通电流：当栅极电压低于晶体管的阈值电压时，导通沟道并不能完全关闭，有少量漏-源电流；
2）栅氧化层隧穿电流：随着cmos的工艺越来越小，栅极的氧化层越来越薄，栅极积累的电荷会隧穿栅氧化层进入衬底，