硬件设计新手教学——SD卡电路设计

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前言

SD卡根据容量来说，可分为SD、SDHC、SDXC三种不同规格。

规格	容量	读写速度
SD	不超过2GB	不超过20MB/S
SDHC	不超过32GB	不超过30MB/S
SDXC	不超过2TB	不超过104MB/S

TF卡在通信时主要有两种通信协议。分别为SD卡总线协议和SPI协议，SD总线协议比SPI协议通信速率快。具体不再深究，我们重点讲SD卡硬件电路设计。

SD卡在型号上又分为标准SD卡，miniSD卡，MicroSD卡三种，前两种型号的SD卡由于体型较大，不适合用在电路设计中（不排除特殊情况），而MicroSD卡，也就是TF卡，由于其体型较小，所以在电路设计中应用广泛，所以本文重点介绍MicroSD卡.下文中SD卡特指MicroSD卡。

SD卡设计电路在硬件设计中经常用到，所以用模块化思维去学习硬件设计会比其他方法来的更快些，以后不管是电路分析还是硬件设计直接“拿来就用”。

一、SD卡原理图设计

上图为RK3588开发板的SD卡原理图设计。首先说明，在通常情况下，SD卡指MicroSD Card，也就是TF卡，具体型号在此不做具体说明。上图中是比较成熟的SD卡设计方案，可直接应用。
下面我将分开讲解SD卡各部分的作用：

SD卡引脚说明

引脚名称	作用
DATA2	数据位2
DATA3	数据位3
CMD	SD卡命令
VDD	SD卡电源
CLK	SD卡时钟
VSS	SD卡电源地
DATA0	数据位0
DATA1	数据位1
CD	SD卡插入检测
G1、G2等	GND

其中DATA0-3、CLK、CMD引脚连接至MCU的对应引脚，电源引脚连接至电源，通常为2.7-3.6V，CD引脚也连接至MCU，CD脚经由上拉电阻拉至高电平后，在TF卡插入后，由高电平转为低电平。

由于TF卡属于可插拔器件，ESD防护是必要的。除电源引脚外，其余引脚都需加ESD防护器件。

上图红框内的是阻抗匹配电阻，其作用是吸收反射信号和干扰脉冲，实现终端匹配，提高系统的电磁兼容性（EMC）等，除电源线、时钟线不需要外，其余信号线最好加上此电阻，以保持系统的稳定性，常用的阻抗匹配电阻有22R、33R、100R.

上图红框中是SD卡的电源部分，放有两个不同容值的去耦电容，以滤除不同频率的干扰，通常为10uF和100nF并联。关于电源部分还可增加一个MOS开关电路，如下：

这样设计的好处在于能控制上电的时序，同时在没有卡插入时，可以对TF卡进行断电，可以减小功耗。

SD卡除电源引脚外，其余信号线最好都接一个上拉电阻（通常为10K或47K），用来保护数据免受到总线浮动影响，当没有卡插入，或者所有卡驱动都处于高阻抗模式。

二、SD卡原理所用器件选型设计

具体选型过程在此不再赘述，只告诉选型的结果

1.电容

选用耐压值大于5V的MLCC电容，其余参数暂可不用管

2.ESD

ESD器件选用VBRM电压大于3.3V, 且VC电压小于电路的最大承受电压。结电容则越小越好。
其余选型都有标准，不再深究，选型也可根据成本对条件进行放宽。

三、SD卡PCB设计

1.封装介绍

TF卡座常用的封装可分为卡托式、插拔式、翻盖式、自弹式

*卡托式

插拔式

翻盖式

自弹式

自弹式封装

2.布局布线要求

2.1.布局要求

一、采用模块化布局
二、ESD器件和上拉电阻要靠近SD卡管脚放置
三、去耦电容要在电源引脚就近放置
四、尽量靠近板边，方便插拔

2.2.布线要求

一、在布线时要遵循3W原则（就是线间距时线宽的3倍），如果遇到PCB板尺寸较小，也可适当减小间距，但不要小于2W。
二、以CLK信号为参考，其余信号线要做等长处理，误差控制在300mil左右，且CLK信号要与其他信号间距保持在20mil左右。
三、SD卡电源要经过去耦电容进行取电
四、信号线尽量走在同一层，避免换层。

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总结

本文总结了SD卡的硬件设计方案，后续我会推出更多模块的硬件方案以及一些经典电路的设计，供硬件同行进行学习。