MOS管快速选型和简单应用--以AO3400A为例

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前言

在进行MOS管的选型时，需要注意芯片手册中的哪几个参数才能保证设计的可行性，本文章为您解答。

一、MOS管的应用

MOS管在现在硬件开发中，大部分都是使用增强型MOS管，即增强型N沟道MOS管，和增强型P沟道MOS管，且大多数时候用作开关电路使用。下面主要介绍NMOS开关电路的应用以及选型方法：
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上图为NMOS开关电路，GATE为控制端。**上图为电路示意图，请勿模仿。上图使用了AO3400A N沟道MOS管，用来驱动LED。

二、NMOS选型

1、确定需求

不管在进行什么器件的选型，确定自己的需求是第一位的，那以上图中的LED驱动电路为例，
电源电压为3.3V
LED工作电流为20mA左右
用于控制端信号电压为3.3V
上述即是所知的初始条件，我们以这些条件来选择合适的MOS管。

2.手册参数

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在明确需求之后，需要找到合适的MOS管。
上图为AO3400A的数据手册的部分截图，我们首先关注红框内的参数，这是MOS管的最大工作范围值
VDS:漏源最大电压,也就是这个NMOS漏极和源极最大承受电压，超出此值可能导致MOS管损坏，对比已知条件，30V>3.3V。可行
VGS：栅极和源极间最大电压，超出此值可能损坏NMOS，对比已知条件，12V>3.3V,可行。
ID：最大漏电流，即在MOS导通时，漏极流向源极的最大电流，对比已知条件，4.7A>20mA。
上述设计选型都留有一定的裕量，具体留有多少裕量，有多种因素影响（成本，成熟方案，老板要求）等。
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上图则是AO3400A典型特性表，需要关注的则是红框内的参数：
VGS(th):栅源电压，即导通电压，就是实际Vgs>VGS(th),MOS管就会导通，设计时一般要大于VGS（th）的最大值，根据已知条件：3.3V>1.45V，可行。
ID：漏电流：在数据手册的VGS=4.5V,VDS=5V的条件下为30A,对比已知条件，可行。
RDS：导通电阻：在MOS管导通时的漏极和源极之间的电阻，这个电阻一般很小，在对电压不敏感的设计中，无需关注此参数，但在大电压，大电流的设计中或是对电压变化敏感的场合中，RDS的压降就不得不考虑了。