几种芯片

芯片	说明
SRAM HM6116	静态随机存储器
DRAM 2164	动态随机存储器
EPROM Intel 2732A	可擦除可编程 ROM
74LS138	译码器
74LS373	锁存器
74LS244	缓冲器
74LS245	数据收发器
8259A	可编程中断控制器
8255A	可编程并行接口芯片
8253-5	可编程定时/计数器

1. SRAM 芯片 HM6116

1. HM6116 是一种 2048 x 8 位的高速静态CMOS随机存取存储器
2. 特征：高速度，低功耗，与TTL兼容，管脚引出与标准 2K x 8 的芯片（例如 2716 芯片）兼容，完全静态
   
   
   
3. 7 条行地址线： A₄ ~ A₁₀
   4 条列地址线： A₀ ~ A₃
   8 条数据线： I/O₁ I/O₈
   CE# :片选信号
   WE# :写允许信号
   OE# :输出允许信号

2. DRAM 芯片 2164

1. 2164 是 64K x 1 位的芯片
2. 特征：存取速度为 150ns / 200ns，低功耗，每 2ms 需刷新一遍，每次刷新 512 个存储单元，2ms 内需有 128 个刷新周期
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3. EPROM 芯片 Intel 2732A

1. 2732A 是一种 4K x 8 位的 EPROM，其存取时间为 250ns 和 200ns ，在同8086 CPU 接口是，无需插入等待周期即可正常工作。
   

2. （1）12 条地址线：A₁₁ ~ A₀
   （2）8 条数据线：O₇ ~ O₀
   （3）2 条控制线：CE# 为芯片允许线，用来选择芯片。 OE# 为输出允许线，用来把输出数据送上数据线

3. 2732 有 6 种工作方式，读方式，代用方式，编程方式，编程禁止方式，Intel 标识符方式

一个 8 位微机系统的存储器子系统

1. 地址线
   EPROM 2732：为 4K x 8 位 芯片，片外地址线为 A₁₉ ~ A₁₂ ，片内地址线为 A₁₁ ~ A₀
   SRAM HM6116 ：为 2K x 8 位芯片，片外地址线为 A₁₉ A₁₁ ,片内地址线为 A₁₀ ~ A₀
2. 数据线
   2732、6116 都是 8 位数据线
3. 控制线

4. 74LS138 译码器