nandflash介绍和2440的nandflash控制器

最新推荐文章于 2019-07-15 08:15:00 发布

wwwlyj123321

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文章标签： ARM

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1、Nand的型号与命名

以K9F2G08来示例分析一下：K9F表示是三星公司的NandFlash系列。2G表示Nand的大小是2Gbit（256MB）。08表示Nand是8位的（8位就是数据线有8根）

2.Nand的页、块、器件

Nand中可以被单次访问的最小单元（就是说对Nand进行一次读写至少要读写这么多，或者是这么多的整数倍）叫做Page（页），在K9F2G08芯片中，Page的大小是2KB+64B。也就是说我们要读写K9F2G08，每次至少要读写2KB或者n*2KB，即使我们只是想要其中的一个字节。这就是我们说的典型的块设备（现在有些块设备为了方便，提供了一种random read模式，可以只读取1个字节）。

页往上还有个Block（块）的概念，1个块等于若干个页（譬如在K9F2G08中1个块等于64页）。

页往上就是整个Nand芯片了，叫做Device。一个Device是若干个Block，譬如K9F2F08一个Device有2028个block。所以整个Device大小为：2048×64×2K = 256MB

Page是读写Nand的最小单位；Block是擦除Nand的最小单位。

寻址的最小单位是字节，但是读写的最小单位是页。

3、带内数据和带外数据（ECC与坏块标记）

(1)Nand的每个页由2部分组成，这2部分各自都有一定的存储空间。譬如K9F2G08中为2K+64字节。其中的2K字节属于带内数据，是我们真正的存储空间，将来存储在Nand中的有效数据就是存在这2K范围内的（我们平时计算nand的容量时也是只考虑这2KB）；64字节的带外数据不能用来存储有效数据，是作为别的附加用途的（譬如用来存储ECC数据、用来存储坏块标志等····）

(2)什么是ECC：（error correction code，错误校验码）。因为nand存储本身出错（位反转）概率高（Nand较Nor最大的缺点就是稳定性），所以当我们将有效信息存储到Nand中时都会同时按照一定算法计算一个ECC信息（譬如CRC16等校验算法），将ECC信息同时存储到Nand这个页的带外数据区。然后等将来读取数据时，对数据用同样的算法再计算一次ECC，并且和从带外数据区读出的ECC进行校验。如果校验通过则证明Nand的有效数据可信，如果校验不通过则证明这个数据已经被损坏（只能丢弃或者尝试修复）。

(3)坏块标志：Nand芯片用一段时间后，可能某些块会坏掉（这些块无法擦除了，或者无法读写了），nand的坏块非常类似于硬盘的坏道。坏块是不可避免的，而且随着Nand的使用坏块会越来越多。当坏块还不算太多时这个Nand都是可以用的，除非坏块太多了不划算使用了才会换新的。所以我们为了管理Nand发明了一种坏块标志机制。Nand的每个页的64字节的带外数据中，我们（一般是文件系统）定义一个固定位置（譬如定位第24字节）来标记这个块是好的还是坏的。文件系统在发现这个块已经坏了没法用了时会将这个块标记为坏块，以后访问nand时直接跳过这个块即可。