元器件篇——贴片电阻

电阻是一个物理量，用于表示导体对电流阻碍作用的大小。它是由导体的材料性质、长短、粗细（横截面积）以及使用温度等因素决定的。

下面我将从电阻的选型、厚膜电阻和薄膜电阻的区别、使用注意、应用及常见厂商五个方面谈下我的理解。

一、电阻的选型

1、阻值

（1）电阻表的来源

电阻标准由 IEC（国际电工委员会）制定，标准文件为 IEC60063 和 EN60115-2。

（2）丝印

封装 0603 以上的电阻（包含 0603）在表面都印有丝印。丝印展示出了 2 层意义： 阻值大小和精度。 常用电阻丝印一般有这几种情况：

①带有三位或者四位数字的丝印

三位数字表示 5%精度的，四位数字表示 1%精度的，前面几位表示数值，最后一位表示 10 的 x 次方。

例 1：丝印为“103”，则： ? = 10 ∗ 10 3 = 10𝐾 ，5%精度。

例 2：丝印为“1003”，则： ? = 100 ∗ 10 3 = 100𝐾 ，1%精度。

②带有字母“R”的丝印

带字母”R”的电阻一般阻值较小，精度多为 1%，不过也不绝对，可以把 R 看作是小数点，前边的数字 为有效值。

例：丝印为“22R0”，将 R 看作小数点，前面的 22 表示有效值，读数为 22.0Ω，即精度为 22Ω的 1% 精度电阻。

③带有数字和 R 之外字母的丝印

这种电阻丝印在 0603 封装中比较常见，精度为 1%，与之对应的标准为 E-96。

E-96 规定：用两位数字加一个字母作为丝印，实际阻值可以通过查表来获取，两位数字表明了电阻 数值，字母表明了 10 的 x 次方，也需要查表。

例：丝印为“88A”，从下表知，“88”代表 8.06，A 代表 10^ 2 ，即阻值：8.06 ∗ 10^2 = 806Ω 。

2、精度

电阻的精度一般用字母表示：

T：±0.01%

A：±0.05%

B：±0.1%

D：±0.5%

F：±1%

J：±5%

K：±10%

最常用的精度是 1%和 5%

一般场合使用 5%精度，有精度要求的使用 1%电阻，比如 DCDC，电流采样，特殊要求的根据实际 情况选择更高精度的。

3、额定电压

电阻是有额定耐压值的，不能超过额定耐压值使用。

（1）材质相同（厚膜）的额定电压，各品牌相差不大。

（2）材质不同，额定电压有差别，薄膜要比厚膜要低。

（3）封装越大，额定电压升高。

4、功率

（1）电阻额定功率与封装

电阻的额定功率主要由封装决定，但也不是绝对的，还跟电阻的工艺（薄膜还是厚膜），品牌，阻值 大小等有一定关系。下面是参考，使用时需要谨慎。

（2）电阻额定功率与温度的关系

上一小节提供的额定功率是在 70℃条件一下的， 如果温度超过 70℃，其额定功率是 会下降的。

并且，R01005 和 R0201 比其它封装电阻的额定功率，随温度升高有下降得更快的趋势。

R01005 和 R0201 电阻的工作温度范围是-55℃~125℃，R0402 及其以上工作温度范围为：-55℃

~155℃。

5、封装

6、温度特性

（1）电阻温度系数 TCR

电阻温度系数（temperature coefficient of resistance 简称 TCR）表示电阻当温度改变 1 摄氏度时， 电阻值的相对变化，单位为 ppm/℃，ppm（part per million）百万分之几。

（2）电阻温漂影响

例：100ppm/°C 电阻温度系数的贴片电阻器，从基准温度 20°C 到 100°C 时的阻値变化率是？

阻值变化率=温差*温度系数/100 万=(100-20)*100/1000000=0.8%

二、厚膜电阻和薄膜电阻的区别

厚膜电阻和薄膜电阻在材料和工艺上的区别直接导致了两种电阻在性能上的差异。 厚膜电阻一般精度较差，10%，5%，1%是常见精度，而 薄膜电阻则可以做到0.01%万分之一精度，0.1%千分之一精度等。同时 厚膜电阻的温度系数上很难控制，一般较大，同样的， 薄膜电阻则可以做到非常低的温度系数，这样电阻阻值随温度变化非常小，阻值稳定可靠。所以薄膜电阻常用于各类仪器仪表，医疗器械，电源，电力设备，电子数码产品等。厚膜电阻的抗湿性高于薄膜电阻。

三、使用注意

1、贴片电阻在使用温度超过70℃时，功率会降低，所以一般建议按额定功率的70%降额设计使用；

2、谨慎用小封装大阻值电阻，在遇到脏污时，相当于并联会使阻值变得很小。

3、考虑电阻的瞬间功率： 技术文件 – YAGEO全球被动元件领导厂商

四、应用

1、SPI信号线串联电阻

SPI信号上串联电阻，一般是几十欧姆左右，一般有如下几个作用：
（1）阻抗匹配。因为信号源的阻抗很低，跟信号线之间阻抗不匹配，串上一个电阻后，可改善匹配情况，以减少反射。
（2）SPI的速率较高，串联一个电阻，与线上电容和负载电容构成RC电路，减少信号陡峭，避免过冲，过冲有时候会损坏芯片GPIO，当然对EMI也有好处，尤其是高速电路。
（3）调试方便，现在的芯片很多是BGA、QFN封装，串联一个电阻，调试时用示波器抓取波形方便。

2、阻抗匹配

3、电源输入端抗浪涌

当LDO的VIN absolute maximum接近电源电压时，这时候又不想换高规格的LDO，为了节省成本，这时可以串一个小阻值电阻，能吸收一部分电压和电流，当电源端出现更大的浪涌时，电阻会身先士卒，代价更小。且假设LDO击穿，VIN和GND短路，因为串联电阻R的存在，也会避免电源SYS_5V与GND的短路。

4、TVS前后串联电阻

（1）TVS前串联电阻

对图A来说，首先要考虑浪涌大小，如果不大，可以选择一个合适功率的电阻，电阻在TVS前面，会吸收很小一部分的电流，浪涌电流IPP小了之后，对应TVS的Vc（钳位电压）也会变小，对后端负载的保护更好。

（2）TVS后串联电阻

对图B来说，TVS首先吸收大部分的浪涌电流，部分残压或者残流，会经过电阻R2，进行二次的分压限流，可以更好的保护后端负载。如果后端负载远大于R2，分压限流也就微乎其微了，R2其实也就没啥作用了。

5、上拉电阻

（1）OC门和OD门

（2）IIC

（3）低电平中断检测

6、下拉电阻

（1）固定电平

（2）放电电阻

有的LDO电路中，也会加R4下拉电阻，叫假负载，LDO关闭时，用于快速泄放C6上的电压，这和电路的使用场景有相关。加R4的坏处是，在正常工作时，会增加的耗流，再说一句，现在也有带自放电功能的LDO，带自放电和不带自放电，有利有弊。对于R4，阻值越小，放电越快，但是正常工作时，增加的耗流会越大。

7、0欧姆电阻

（1）跨线连接设计

（2）调试时的前后级隔离

（3）留着测量电流用

（4）信号完整性的模拟地和数字地的单点连接

五、常见厂商

电阻的常见厂商有：AVX、VISHAY 威世、KOA 兴亚、Kyocera 京瓷、muRata 村田、Panasonic 松下、ROHM 罗姆、susumu、TDK、LIZ 丽智、PHYCOM 飞元、RALEC 旺诠、ROYALOHM 厚生、SUPEROHM
美隆、TA-I 大毅、TMTEC 泰铭、TOKEN 德键、TYOHM 幸亚、UniOhm 厚声、VITROHM、VIKING 光颉、WALSIN 华新科、YAGEO 国巨、FH 风华、捷比信。