角度传感器计算方法及故障检测

磁传感器介绍

**各向异性磁阻效应(Anisotropic Magnetoresistive Sensor，AMR)：**目前应用比较广泛的磁阻传感器，已经大规模生产。AMR 传感器具有可靠性好、抗干扰能力强、尺寸小便于安装等优点。但是 AMR 传感器检测磁场动态较窄且精度不高。
巨磁阻效应(Giant Magneto Resistance，GMR)： GMR 传感器拥比 AMR 传感器拥有更高灵敏度和更广的测量范围。但是由于 GMR 传感器的价格偏高、尺寸较大等缺点，尚没有大范围的推广使用。
隧道磁阻效应(tunnel magnetoresistance effect，TMR)： TMR传感器是第四代磁传感器应用技术。TMR 传感器具有精度高、灵敏度高、功耗低、尺寸小、温度稳定性好、工作温度范围宽等优点。

TMR传感器介绍

TMR传感器是一种利用隧道磁阻效应的磁敏感元件，通过改变外部磁场能够引起TMR传感器的电阻变化。TMR 效应就是一种关于自旋极化运输过程的现象。TMR 效应的产生机理是自旋相关的隧穿效应，TMR的结构为铁磁层/非磁绝缘层/铁磁层(FM/I/FM)的三明治结构。饱和磁化时，两铁磁层的磁化方向互相平行，而通常两铁磁层的矫顽力不同。因此反向磁化时，矫顽力小的铁磁层磁化矢量首先翻转，使得两铁磁层的磁化方向变成反平行。
电子从一个磁性层隧穿到另一个磁性层的隧穿几率与两磁性层的磁化方向有关。若两层磁化方向互相平行，则在一个磁性层中，多数自旋子带的电子将进入另一磁性层中多数自旋子带的空态，少数自旋子带的电子也将进入另一磁性层中少数自旋子带的空态，总的隧穿电流较大；若两磁性层的磁化方向反平行，情况则刚好相反，即在一个磁性层中，多数自旋子带的电子将进入另一磁性层中少数自旋子带的空态，而少数自旋子带的电子也将进入另一磁性层中多数自旋子带的空态，这种状态的隧穿电流比较小。因此，隧穿电导随着两铁磁层磁化方向的改变而变化，磁化矢量平行时的电导高于反平行时的电导。通过施加外磁场可以改变两铁磁层的磁化方向，从而使得隧穿电阻发生变化，导致 TMR 效应的出现。


当磁体在TMR传感器上旋转时，自由层的磁化方向跟随磁体的磁场方向，元件的电阻不断变化。由于电阻值与钉扎层和自由层的磁化方向之间的相对角度成正比，因此TMR元件可以用作角度传感器。

因为TMR传感器的电阻值与钉扎层和自由层的磁化方向之间的相对角度成正比，所以它可以进行360°角度检测。

TMR传感器角度计算方法以及常见问题

1. 查看出来的四路信号是否是标准的正弦波形

如下图所示为标准的正确输出信号。（四路信号的幅值与相位是差不都的）
常见问题：
如果四路输出信号呈现以下形式（其中蓝色和橙色的信号被削平），则需要对四路信号进行分压处理：

如果四路输出信号呈现以下形式或者变化不规则（比如波峰连接在一起、幅值相位相差太大）则需要对开发板进行查看，可能的原因有传感器线路松动或者开发板的元器件松动以及分压处理时的分压线太长。

2 对输出的四路信号进行计算求得角度

2.1 归一化处理

将幅度值归一化（-1到1）范围内

2.2 相位处理（可选）

sin信号与cos信号相差90度，来计算角度。

2.3 计算角度值

使用ATAN2（）函数去计算角度。

TMR传感器角度故障检测、

1 .幅值限制（防护带）
原始信号sin+、sin-、cos+、cos-的幅值是在一定范围内的。所以只需要找到固定的幅值范围即可，不在这个范围就表示出现故障。

2. 李萨如方法Lissajous method

3 .Vector Length Monitoring

4. Common Mode Monitoring共模检测


如果共模电压值大于上限或小于下限，系统将判断传感器存在故障。

如果想知道具体处理方法可以私信我