W25Q128读写实验

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目的

        熟悉W25Q128串行FLASH的特性和操作指令。掌握通过SPI通讯读写W25Q128数据。

原理

        本章是结合SPI通讯对串行FLASH的读写，通过SPI发送指令向W25Q128中读写数据。SPI相关概念不在讲解，重点介绍W25Q128串行FLASH。

        W25Q128是华邦公司推出的一款SPI 接口的NOR Flash芯片，其存储空间为128Mbit，相当于16M 字节。

        W25Q128 将 16M 的容量分为 256 个块（Block），每个块大小为 64K 字节，每个块又分为16 个扇区（Sector），每个扇区 4K 个字节。W25Q128 的最小擦除单位为一个扇区，也就是每次必须擦除 4K 个字节。这样我们需要给 W25Q128 开辟一个至少 4K 的缓存区，这样对 SRAM 要求比较高，要求芯片必须有 4K 以上 SRAM 才能很好的操作。

        W25Q128可以支持SPI的模式0和模式3，也就是CPOL=0/CPHA=0和CPOL=1/CPHA=1这两种模式。

        写入数据时，需要注意以下两个重要问题：

        ①、Flash 写入数据时和 EEPROM 类似，不能跨页写入，一次最多写入一页，W25Q128的一页是 256 字节。写入数据一旦跨页，必须在写满上一页的时候，等待 Flash 将数据从缓存搬移到非易失区，重新再次往里写。

        ②、Flash 有一个特点，就是可以将 1 写成 0，但是不能将 0 写成 1，要想将 0 写成 1，必须进行擦除操作。因此通常要改写某部分空间的数据，必须首先进行一定物理存储空间擦除，最小的擦除空间，通常称之为扇区，扇区擦除就是将这整个扇区每个字节全部变成 0xFF。

        每款 Flash 的扇区大小不一定相同，W25Q128 的一个扇区是 4096 字节。为了提高擦除效率，使用不同的擦除指令还可以一次性进行 32K（8 个扇区）、64K（16 个扇区）以及整片擦除。

        W25Q128芯片自定义了很多指令，我们通过控制 STM32 利用 SPI 总线向 FLASH 芯片发送指令，FLASH芯片收到后就会执行相应的操作。

        而这些指令，对主机端(STM32)来说，只是它遵守最基本的 SPI 通讯协议发送出的数 据，但在设备端(FLASH 芯片)把这些数据解释成不同的意义，所以才成为指令。查看FLASH 芯片的数据手册《W25Q128》，可了解各种它定义的各种指令的功能及指令格式。

        该表中的第一列为指令名，第二列为指令编码，第三至第 N 列的具体内容根据指令的不同而有不同的含义。其中带括号的字节参数，方向为 FLASH 向主机传输，即命令响应，不带括号的则为主机向 FLASH 传输。表中“A0~A23”指 FLASH 芯片内部存储器组织的地址；“M0~M7”为厂商号（MANUFACTURER ID）；“ID0-ID15”为FLASH 芯片的 ID； “dummy”指该处可为任意数据；“D0~D7”为 FLASH 内部存储矩阵的内容。

        在 FLSAH 芯片内部，存储有固定的厂商编号(M7-M0)和不同类型 FLASH 芯片独有的编号(ID15-ID0)，见表 ：