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原创 【SOI芯片的制作流程】

首先准备适当大小的SOI晶圆，可以采用dice或者cleace方法。来确定涂覆光刻胶的厚度。再根据所需光刻胶厚度调整旋涂参数，如。等离子去胶利用高能等离子体氧化分解光刻胶，工艺的主要参数包括。气体种类、气压、射频功率、时间、温度和气体流量。在显影后进行低温后烘，注意加热。确保SOI晶圆表面清洁，注意。之后，进行氧等离子清洗，注意。根据光刻胶型号选择合适的。需要控制的主要参数包括。涂胶后进行烘烤，注意。

原创 【光电子集成研究与制造机构概览】

以色列 - 米格达尔哈伊梅克。美国 - 加利福尼亚。美国 - 加利福尼亚。美国 - 加利福尼亚。美国 - 加利福尼亚。美国 - 加利福尼亚。美国 - 加利福尼亚。美国 - 加利福尼亚。美国 - 加利福尼亚。美国 - 加利福尼亚。美国 - 加利福尼亚。美国 - 加利福尼亚。

原创 输出无白边的图片(matlab)

exportgraphics(gcf, 'Figure42.png' , 'Resolution', 300);

原创 获得最佳 FDTD 性能

线程数乘以进程数必须等于任何给定机器上可用的 CPU 核心总数。点击 FDTD Solutions 顶部菜单栏上的资源按钮；

原创 Lumerical-

overlaphttps://optics.ansys.com/hc/en-us/articles/360034405254-overlap-Script-commandbestoverlaphttps://optics.ansys.com/hc/en-us/articles/360034405274-bestoverlap-Script-commandfindmodehttps://optics.ansys.com/hc/en-us/articles/360034405214-findmodes-Scri

原创 【3】计算波导模式的有效模式面积，两个案例计算结果不同，为什么？

原创 【2】用脚本画的电场分布比例不正确，注意网格dx=dy=dz.

原因在于上述 mesh的dx和dy不同。

原创 【1】 在练习波导的有效折射率仿真时，发现两个案例的计算结果不同。原因是其中一个案例没有进行折射率拟合。

原创 【曝光、刻蚀、沉积的评价标准】

边界清晰：曝光后的图形边缘应清晰、锐利，避免边缘模糊或粗糙，确保刻蚀或沉积工艺的精度，边缘粗糙度应小于十几纳米以内。图形精度和尺寸控制：实际刻蚀或沉积的图形尺寸与设计尺寸的偏差应在极小的公差范围内，通常在几个纳米以内。低残余应力和缺陷：曝光和显影后，抗蚀剂膜应平整，无明显的残余应力、裂纹、颗粒等缺陷，优秀标准为低于。成分一致性：薄膜的化学成分应与设计要求相符，元素的浓度和比例应保持一致，误差应在可接受范围内。晶体结构和相纯度：薄膜的晶体结构应符合要求，优质薄膜应呈现出明确的晶相，且应尽量减少相杂质。

原创 [光刻] 1-为什么用硬掩模来代替光刻胶？

原创 [刻蚀] 刻蚀气体

Liu, Yingjie, et al. "Very sharp adiabatic bends based on an inverse design."Optics letters43.11 (2018): 2482-2485.

原创 [光刻] 2-邻近效应简介

强调曝光与显影过程的成功：“曝光和显影过程有效，未出现过度显影或不足显影的情况，确保了图案的高质量。提及图案在后续工艺中的适用性：“良好的图案将为后续蚀刻或沉积工艺提供良好的掩模效果。描述抗蚀剂图案的完整性，如“显影后的抗蚀剂图案清晰且完整，无明显缺陷或断裂。提及图案尺寸的精度：“显影后的图案尺寸与设计值一致，具有良好的尺寸控制。关注图案的边缘特征：“图案边缘锐利，过渡平滑，未出现模糊或毛刺现象。描述表面状态：“抗蚀剂表面均匀，无气泡、皱纹或其他表面缺陷。

原创 [光刻] - Elionix 电子束曝光系统

原创 上海科技大学材料器件中心

上海科技大学材料器件中心

原创 [1] 晶圆切割简介

晶圆切割Wafer Dicing简介

原创 【代工公司】上海英生

上海英生电子科技有限公司。

原创 [光刻] 电子束光刻过程中的场拼接精度

SOI 芯片上的电子束光刻场拼接误差通常是由于写场对齐不准确、机械误差和电子束漂移等因素引起的。通过优化系统的校准、缩小写场尺寸、控制环境条件以及使用高精度设备，可以有效减少场拼接误差并提高光刻图案的精度。

原创 [光刻] 4-电子束光刻胶

又称光致抗蚀剂 )是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、Ｘ射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐刻蚀薄膜材料。

原创 清华大学微纳加工中心工艺参数表

清华大学微纳加工中心工艺参数表-清华大学微纳加工中心

原创 隐形切割技术（stealth dicing）

​【参考文献】 Zhang, Zhe, et al. "Dual laser beam asynchronous dicing of 4H-sic wafer."关键词：'Stealth dicing' 'tensile stress'

原创 Ilya A.Rodionov——Russia

通信作者：

原创 水平端面耦合器 —— 平滑处理

1、深刻蚀2、化学机械抛光。

原创 Peter O‘Brien

Peter O'Brien 是Tyndall National Institute 的光子封装研究负责人.

原创 # 书籍推荐 -

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原创 What is Advanced Photonics Packaging?

链接：youtube

原创 光学元件的清洁方法

链接：https://www.youtube.com/watch?v=bfF96QPwadA

原创 光纤应力消除器

Strain Reliefs | FiberFin

原创 耦合理论知识

30.5 (2005): 498-500.IEEE Photonics Technology Letters综述：IEEE Journal of selected topics in quantum electronics。

原创 【虚拟实验室】 AIM Photonics Online Lab

这个平台旨在为研究人员、工程师和学生提供一个虚拟环境，以进行光子集成电路（PIC）的设计、仿真和实验分析。AIM Photonics（美国先进光子集成制造研究所）确实提供了一个在线实验室平台，通常被称为。

原创 Roel Baets 根特大学

他的主要研究领域包括光子集成电路、硅基光电子学、以及这些技术在电信、数据通信和传感器领域的应用。Baets 教授获得了多项荣誉和奖项，包括2011年MOC奖、2018年PIC国际终身成就奖、2020年OSA-IEEE John Tyndall奖以及2023年IEEE Photonics奖。他的研究成果在国际上享有盛誉，发表了大量学术论文，并在多个国际会议上担任主讲嘉宾。Baets 教授在硅基光电子学和III-V族半导体集成光子学研究方面做出了显著贡献，并领导了多个欧洲硅基光电子学的重大研究项目。

原创 Lumerical_ overlap analysis

https://optics.ansys.com/hc/en-us/articles/360034917453-Overlap-analysis-Modal-Analysis-Tabhttps://optics.ansys.com/hc/en-us/articles/360034395354-Calculating-the-effective-mode-area-of-a-waveguide-modehttps://optics.ansys.com/hc/en-us/articles/36004279867

原创 2024 年光学类期刊排名

原创 光子集成电路 —— Europractice

Europractice 是一个由欧洲多个著名研究机构组成的联盟，提供微电子设计生态系统的关键服务。该平台通过协调的经纪服务，为工业和学术界提供经济实惠且易于访问的电子智能系统技术。

原创 光子集成电路封装公司 —— PHIX

原创 算法 | OMP 、ADMM

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原创 文件改名方法

【代码】文件改名方法。

原创 计算pdf页数

print(f'PDF 文件的总页数为: {total_pages} 页')# 获取 PDF 文件总页数。# 指定 PDF 文件路径。# 打开 PDF 文件。

原创 移动pdf

destinationFolder = 'C:\Users\1895\Desktop\导出的条目\we';sourceFolder = 'C:\Users\1895\Desktop\导出的条目\files';% 搜索源文件夹及其子文件夹中的所有 PDF 文件。% 移动找到的 PDF 文件到目标文件夹。