隐形切割技术（stealth dicing）

一、隐形切割技术 简介

​

【参考文献】 Zhang, Zhe, et al. "Dual laser beam asynchronous dicing of 4H-sic  wafer." Micromachines 12.11 (2021): 1331.

关键词：'Stealth dicing'    'tensile stress'

三、HAMAMATSU

滨松光子学 — 隐形切割技术 — 原理   

滨松光子学 — 隐形切割技术 — 杂志/会议

隐切原理：  隐形切割技术可将能够穿透材料的波长的激光光束聚焦，在内部聚焦并形成晶圆破裂的起点（改性层：隐形切割层，以下称为“SD 层”），然后向晶圆施加外部应力，将其分离。

工艺过程： 该过程主要由两部分组成，即形成 SD 层以使晶圆内部破裂的“激光辐照过程”以及用于分离晶圆的“膨胀过程”。

激光辐照过程

• 激光光束聚焦在晶圆内部，形成 SD 层以分离晶圆。
• 裂纹也从 SD 层形成，而 SD 层在内部朝向晶圆的顶部和底部表面形成，这些裂纹通过激光光束扫描沿着计划的切割线连接。
• 此外，为了切割 MEMS 器件等厚晶圆，在厚度方向上形成多个 SD 层，然后连接裂纹。

• 必须根据用途使用 SD 层的四种模式；这些模式组合在一起，实现最佳处理条件。最佳处理条件是否存在取决于半导体器件的状态，如晶圆的厚度或芯片的形状，以及是否存在任何金属薄膜等。

SD 层的行为

胶膜膨胀过程

• 通过胶带膨胀等行为在周边方向上拉紧胶带，对已形成 SD 层的晶圆施加外力。这会对晶圆的内部裂纹状态施加拉应力，并使裂纹延伸到顶部和底部表面，从而分离晶片。
• 由于晶圆分离是通过延伸裂纹进行的，因此没有应力施加在器件上。此外，由于基本上没有截口损失，这会提高芯片成品率。

​

 四、Disco 

• DISCO是隐形切割技术专利布局持有者浜松光子学公司的联盟伙伴
• 网页链接：  Disco 隐形切割

 激光隐切设备

芯片分割设备

什么是芯片分割（Die Separator）设备？

通过扩展切割胶带，对隐形切割后在内部产生变质层的晶圆进行芯片分割的设备。

工作流程：扩展+收缩

• 首先，将隐形切割后的晶圆放置于扩展工作盘，通过扩展切割胶带进行分割。
• 下一步，在热扩工作盘上，通过200℃以上的高温使切割胶带热收缩（heat shrinking），消除切割胶带外围所产生的松弛。通过这一步骤，不必重新贴换胶膜，可直接将胶膜框架送往下一道工序。

​晶圆扩膜机——激光隐切工艺的完美伙伴

矽微12寸晶圆扩膜机

• 在激光隐切的第二步，矽微扩膜机通过均匀拉伸贴在晶圆背后的胶带，实现芯片的精确分离。采用伺服电机驱动的扩膜方式，确保了扩膜过程的均匀性和稳定性。
• 矽微晶圆扩膜机已成功服务于华为实验室、敏芯微、利阳芯、楼氏等行业领先企业，其卓越的性能和可靠性赢得了客户的广泛信赖。

五、参考文献

M. Kumagai, N. Uchiyama, E. Ohmura, R. Sugiura, K. Atsumi, and K. Fukumitsu, “Advanced Dicing Technology for Semiconductor Wafer—Stealth Dicing,” IEEE Trans. Semicond. Manuf., vol. 20, no. 3, pp. 259–265, 2007, doi: 10.1109/TSM.2007.901849.

Patent information | Stealth Dicing(TM) technology | Hamamatsu Photonics