微纳加工丨电子束光刻(EBL)技术介绍 - AccSci英生科技
【全面解析】光刻胶技术参数、分类及工艺流程剖析-OLEDindustry
1、定义
光刻胶 (Photoresist;又称光致抗蚀剂 )是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X射线等光源的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐刻蚀薄膜材料。
2、分类
电子束光刻胶通常分为正性光刻胶和负性光刻胶,可以根据光刻胶照射后,交联反应或化学键断裂谁占主导地位进行划分。
- 正性光刻胶(正胶):曝光区域光刻胶中的化学键断裂反应占主导,易溶于显影液。
- 负性光刻胶(负胶):曝光区域光刻胶中的交联反应占主导,由小分子交联聚合为大分子,难溶解于显影液。
光刻胶正负特性并非绝对,例如电子束正胶PMMA在10倍正常曝光剂量时,曝光区域的胶碳化,导致在显影过程中残留下来,其特性可以作为负胶使用。
3、光刻胶的关键参数
与紫外光刻胶类似,我们通常也是通过以下四个参数来选择或者评价一款光刻胶在工艺中的应用:灵敏度、对比度、分辨率和抗蚀刻性。
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灵敏度:光刻胶的灵敏度越高,所需的曝光剂量越小,灵敏度受电子能力keV(或加速电压kV)、基底材料、工艺条件、使用的显影剂等因素影响。
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对比度:高对比度能获得更陡的侧壁,更大的加工余地,更好的分辨率,更高纵横比结构,使其对邻近效应不太敏感,图案密度更高。低对比度仅适用于 3D 灰度光刻。
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分辨率:定义了可以获得的最小特征的大小或两个结构之间的最小距离。
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抗刻蚀性:如后续有刻蚀的工艺需求,应选择能在化学(湿)和物理(干)刻蚀过程中保持完整特性的光刻胶。
另外还需结合光刻胶正负特性、工艺宽容度、附着力、热流动性、膨胀效应、储存寿命等参数考虑选择适合的光刻胶。
4、常用的光刻胶
针对不同的应用需要采用不同的光刻胶,
正胶:PMMA、ZEP-520A 、AR-P 6200(SCAR62)
负胶 :HSQ
PMMA(正胶)
PMMA(poly-methyl methacrylate,聚甲基丙烯酸甲酯),是一种高分子聚合物,又称作亚克力或有机玻璃,是目前最流行的电子束光刻胶。5%~10%的PMMA粉末与氯苯或苯甲醚(毒性较小,2-4%)充分混合即可制成PMMA光刻胶。
- 便宜,耐用,易操作
- 非常高分辨率和对比度
- 低灵敏度
- 耐干刻蚀性差(有利于剥离lift-off,不适合直接刻蚀图案转移)。
- 灵敏度随相对分子质量减小而增加,PMMA典型的相对分子质量有 495 kg/mol 和 950 kg/mo
- 对比度和灵敏度可通过改变显影剂混合物(MIBK:IPA)中MIBK比例调控,灵敏度随显影剂中MIBK的比例增加而增加,而对比度相反。
Zep-520A(正胶)
Zep-520A是最受欢迎的商用光刻胶,由日本Nippon Zeon开发,是一种PMMA加苯环的改性胶,由α-氯甲基丙烯酸酯(α-chloromethacrylate)和α-甲基苯乙烯(α-methylstyrene)的共聚物组成,用于替代PMMA。
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高分辨率和高对比度,拥有与PMMA相当的高分辨率(可实现10-30nm的图形结构)和高对比度
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高灵敏度,拥有PMMA更高的灵敏度(3~5倍)
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高抗干刻蚀性,相较PMMA有5倍以上的抗干刻蚀性能。
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价格贵,保质期一年。
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对于超高分类率(亚10nm),使用PMMA可能更好。
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ZEP-520A在曝光、显影和坚膜烘烤后不容易去除,通常采用ZDMAC去胶
AR-P 6200(CSAR62) (正胶)
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超高分辨率(<10nm)
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高灵敏度,灵敏度可通过选择合适的显影液调控。
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高对比度(>15)
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高深宽比(可达20:1)
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具有良好的工艺稳定性和抗干刻蚀性,抗干刻蚀性是PMMA的2倍;
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与基片的粘着力好,不易发生脱胶现象和龟裂现象;
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杨氏模量偏低,容易坍塌、粘连、倒覆;
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熔点较低,会产生抗蚀剂熔融现象;
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图形表面易发生收缩现象
HSQ(负胶)
HSQ由Dow Corning开发,其成分是基于二氧化硅的无机类化合物,由甲基异丁基酮(methylisobutylketone, MIBK)带性溶剂中的含氢硅酸盐类(hydrogen silsesquioxane ,HSQ)树脂所构成。
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极高分辨率(<10nm)
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灵敏度低,曝光时间长;
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通过化学反应显影(未曝光的 HSQ 与稀释的NH4OH或NaOH显影剂反应生成H2),不是通过溶解显影,显影后工艺稳定性好;
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电子显微镜观察性能好,不需要镀金;
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是很好的刻蚀硅的掩模材料;
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保质期短,存放周期只有6个月。粉末状的HSQ(H-SiOx)保质期会更长
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保存条件苛刻,胶体暴露在空气中易被氧化,出现胶冻固化现象,需要低温(5℃)密封保存;
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极高反差,容易制备剖面陡直的高高宽比结构;
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属于伸缩性光刻胶,显影后线条边缘垂直度好;
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粘附力好、韧性好、不容易断裂;