【SOI芯片的制作流程】

衬底准备：

首先准备适当大小的SOI晶圆，可以采用dice或者cleace方法。

确保SOI晶圆表面清洁，注意溶剂种类、超声频率、清洗时间。

之后，进行氧等离子清洗，注意清洗时间。

涂胶：

首先根据刻蚀深度、选择比来确定涂覆光刻胶的厚度。再根据所需光刻胶厚度调整旋涂参数，如转速和时间。

预烘：

涂胶后进行烘烤，注意加热温度和时间。

电子束曝光：

需要控制的主要参数包括曝光剂量、曝光时间，bias。

显影：

根据光刻胶型号选择合适的显影液和定影液，合理控制时间，然后氮气吹干。

后烘：

在显影后进行低温后烘，注意加热温度和时间。

蚀刻：

主要参数：气体种类、流量、温度、压强、射频功率、刻蚀时间。

去胶：

等离子去胶利用高能等离子体氧化分解光刻胶，工艺的主要参数包括气体种类、气压、射频功率、时间、温度和气体流量。