以甲烷/氨氣和乙炔/氨氣混合物研製n型非晶質射頻電漿輔助化學汽相沉積碳薄膜

以甲烷/氨氣和乙炔/氨氣混合物研製n型非晶質射頻電漿輔助化學汽相沉積碳薄膜.當氨氣/甲烷比從0增加到0.2時,氮/碳比從0增加到5.4%.氮碳鍵結,氮氫鍵結和sp2碳比例隨著氨氣/甲烷比增加而增加,但碳薄膜的沉積速率,有序程度,光學能隙,楊氏模數,硬度和殘留應力隨著氨氣/甲烷比增加而減少.非晶質碳薄膜/p型矽元件在氨氣/甲烷比為0.15時(氮/碳比為4.7%)具有最佳的電學特性.另一方面,當氨氣/乙炔比從0增加到1.4時,氮/碳比從0增加到6.9%.氮碳鍵結和sp2碳比例隨著氨氣/甲烷比增加而增加,但碳薄膜的有序程度,楊氏模數和硬度隨著氨氣/乙炔比增加而減少.非晶質碳薄膜/p型矽元件在氨氣/乙炔比為1時(氮/碳比為5.8%)有最佳的電學特性,其理想因子為1.59.

供应产品目录：
硒化亚锡(SnSe)薄膜
铜锌锡硒Cu_2ZnSnSe_4(CZTSe)薄膜
Ag掺杂SnSe半导体薄膜
二硒化钯PdSe2薄膜
二硒化钯二维晶态薄膜
二碲化钯 PdTe2薄膜
内嵌高密度钯纳米晶的介质薄膜
钯/铂纳米薄膜
钯(Ⅱ)-锌卟啉-二氧化钛三元复合配位聚合物薄膜
单质钯薄膜/钯复合多层薄膜
钯纳米薄膜
负载钯多层复合薄膜
三碲化锆 ZrTe2薄膜
锆掺杂二氧化铪基纳米薄膜
高质量Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜
Pb(Zr,Ti)O3薄膜
二维MoTe2薄膜
Cd1-xZnxTe多晶薄膜
二氧化锆ZrO2薄膜
二硒化钽TaSe2薄膜
二硫化钽TaS2薄膜
钽掺杂二氧化钛TiO2薄膜
二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜
纳米结构316L不锈钢基掺钽TiO_2薄膜
三硫化二铟（In2S3）薄膜
多孔三硫化二铟（In2S3）薄膜
硫化二铟(In2S3)缓冲层纳米晶薄膜
具有纳米网状结构的硫化铟纳米晶阵列薄膜
碱式硝酸铜薄膜
均匀致密的In2S3/Cu2(OH)3(NO3)复合薄膜
多孔TiO2薄膜
铜铟镓硒薄膜(CIGS)
碲化亚铁FeTe薄膜
铋碲硒Bi2Te2S薄膜
铋锑碲基热电薄膜
N型碲化铋基热电薄膜
钼钨硒MoWSe2薄膜
大尺寸WSe2薄膜
钼钨碲MoWTe2薄膜
钼硫硒MoSSe薄膜
提高柔性铜铟镓硫硒薄膜
MoO3薄膜
铋氧硒Bi2O2Se薄膜
高迁移率层状Bi2O2Se半导体薄膜
硒化铋纳米结构薄膜
c轴取向铋铜硒氧基氧化物热电薄膜
用硫酸铋制备硒化铋热电薄膜
高质量晶圆级硒氧化铋半导体单晶薄膜
氧化铋BiOx薄膜
铋铜硒氧基类单晶薄膜
铋氧碲Bi2O2Te薄膜
铋碲硒Bi2Te2Se薄膜
p-型Bi-Sb-Te-Se温差电薄膜
Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜
铁锗碲Fe3GeTe2薄膜
大面积二维铁磁性材料Fe3GeTe2薄膜
六氰亚铁钒薄膜
室温铁磁硅锗锰半导体薄膜
BaxSr1—xTiO3铁电薄膜
含铁二氧化钛Fe^3+/TiO2复合纳米薄膜
P(VDF-TrFE)铁电薄膜
矽锗磊晶薄膜
锗-二氧化硅Ge-SiO2复合薄膜
纳米复合堆叠锌锑锗碲相变存储薄膜
含铁二氧化钛(TiO2)印迹薄膜
室温铁磁半导体Co掺杂的TiO2薄膜
（Ba,Sr)TiO3(简称BST)铁电薄膜
黑磷薄膜
铁磷硫FePS3薄膜
銅錫硒(Cu2SnSe3)薄膜
金属硒化物薄膜
銅(銦,鎵)硒及銅鋅錫硒薄膜
碘化镍NiI2薄膜
溴化镍NiBr2薄膜
碘化锰MnI2薄膜
铜钒磷硫CuVP2S6薄膜
二氧化钒智能温控薄膜
铜锑硫薄膜
CulnS2薄膜
CBD硫化铟薄膜
钒氧化物薄膜
铜铬磷硫CuCrP2S6薄膜
yyp2021.3.26