碳化硅（SiC）晶体主要应用领域和主要性能参数介绍

最新推荐文章于 2024-04-10 19:14:56 发布

小编在火星

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本文详细介绍了碳化硅（SiC）的主要应用领域，如高频大功率电力电子器件和光电子器件，特别是其在蓝光LED衬底材料中的应用。同时，列举了SiC的关键性能参数，包括生长方法、晶体结构、晶格常数等，并提及其优越的硬度、热传导性和电学特性。此外，文章还提供了不同规格的SiC晶体产品信息。

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碳化硅（SiC）
在这里插入图片描述
主要应用领域
1.高频大功率电力电子器件 Schottky diodes 、MOSFET 、JFET 、BJT 、PiN diodes 、IGBT
2.光电子器件：主要应用于GaN/SiC 蓝光LED的衬底材料（GaN/SiC）LED
主要性能参数
生长方法
MOCVD
晶体结构
六方
晶格常数
a=3.07 Å c=15.117 Å
排列次序
ABCACB
方向
生长轴或偏<0001> 3.5 º
带隙
3.02 eV (间接)
硬度
9.2（mohs）
密度
3.21g/cm3
折射率
no=2.55 ne=2.59
热传导@300K
3 - 5 x 106W/ m
介电常数
e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
尺寸
10x10mm，15x15mm， 20x20mm，Dia50.8mm，Dia76.2mm，Dia102.4mm
厚度
厚度：0.35mm
抛光
单面或双面
晶向
<001>±0.5º
晶面定向精度:
±0.5°
边缘定向精度:
2°（特殊要求可达1°以内）
斜切晶片
可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特

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碳化硅 (SiC)：历史与应用---凯利讯半导体

财经小二的博客

01-02

2553

硅与碳的唯一合成物就是碳化硅 (SiC)，俗称金刚砂。 SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自 1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。 碳化硅用作研磨剂已有一百多年的历史，主要用于磨轮和众多其他研磨应用。　　利用当代技术，人们已使用 SiC 开发出高质量的工业级陶瓷。这些陶瓷展现出颇具优势的机械特性，如：　　高硬度　　高强度　　低密度　　

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引言在半导体和LED的制造中，需要研磨以使晶片的厚度变薄，以及抛光以使表面成为镜面。在半导体器件的制造中，半导体制造工艺包括:（1）从晶体生长开始切割和抛光硅等，并将其加工成晶片形状的工艺（晶片制造工艺）；（2）在晶片上形成IC的工艺（前一工艺）；以及（3）切割、组装、检查和安装芯片的工艺（后一工艺）。在晶片制造过程中，通过双面研磨、单面研磨、蚀刻等对从晶锭切片的晶片进行厚度调节，以消除加工表面的变形，然后将晶片加工成镜面。此外，存在用于使在前一工艺中制造的具有图案的晶片的厚度均匀且薄的后研磨工艺。在背

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具体表示方法是：建立晶体的坐标系，该晶面的截距和坐标轴将是a、b、c，然后取截距的倒数1/a、1/b、1/c，化简为最简整数比，即（hkl）。此外，6mm和3m属于10个极性点群（1、2、3、4、6、m、3m、mm2、4mm、6mm）之一，因此4H-SIC、6H-SIC、15R-SIC是极性晶体。极性晶体意味着晶体中至少一个方向与相反方向具有不同的性质，可以是电学性质（热电性质、铁电性质），生长性质等。这表明，金刚石和碳化硅晶体相互旋转30°，使得一个晶体的b112N方向与另一个晶体的b110N方向对齐。

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