碳化硅（SiC）晶体主要应用领域和主要性能参数介绍

碳化硅（SiC）

主要应用领域
1.高频大功率电力电子器件 Schottky diodes 、MOSFET 、JFET 、BJT 、PiN diodes 、IGBT
2.光电子器件：主要应用于GaN/SiC 蓝光LED的衬底材料（GaN/SiC）LED
主要性能参数
生长方法
MOCVD
晶体结构
六方
晶格常数
a=3.07 Å c=15.117 Å
排列次序
ABCACB
方向
生长轴或 偏<0001> 3.5 º
带隙
3.02 eV (间接)
硬度
9.2（mohs）
密度
3.21g/cm3
折射率
no=2.55 ne=2.59
热传导@300K
3 - 5 x 106W/ m
介电常数
e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
尺寸
10x10mm，15x15mm， 20x20mm，Dia50.8mm，Dia76.2mm，Dia102.4mm
厚度
厚度：0.35mm
抛光
单面或双面
晶向
<001>±0.5º
晶面定向精度:
±0.5°
边缘定向精度:
2°（特殊要求可达1°以内）
斜切晶片
可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特