在有无缓冲层镊酸锏(LaNiO3,LNO)的 Pt/Ti/SiO-/Si(111)基片上沉积了单层BFO多晶薄膜

采用溶胶凝胶法和固相反应烧结法分别制备了BFO靶材和ZAO靶材，采用脉冲激光沉积法制备了ZAO/BFO/ITO玻璃异质结构，通过低温电输运测量系统研究了ZAO/BFO/ITO玻璃异质结构的电输运特性，对漏电流机制进行了分析并讨论了磁电阻效应;采用磁控溅射法分别在有无缓冲层镊酸锏(LaNiO3,LNO)的 Pt/Ti/SiO-/Si(111)基片上沉积了单层BFO多晶薄膜，通过X射线衍射、原子力显微镜和拉曼光谱对比了这两组BFO多晶薄膜的生长，揭示了LNO对BFO形貌和微结构的影响;通过系列不同直流偏压下PFM的极化翻转实验和单点铁电电滞回线的测试，分析了影响BFO多晶薄膜的铁电畴极化翻转的因素;采用熔剂烧结法生长了EMO和LMO单晶,通过侧面的PFM、斜抛面的PFM和逐层抛磨晶体 ab面的PFM扫描，实现了对EMO和 LMO铁电畴的立体成像，并得到了铁电涡旋畴相变和反演过程理想的实验结果。

创造性地设计出了npn型ZAO/BFO/ITO玻璃异质结构。由于BFO薄膜中含有大量氧空位，可将BFO薄膜当作p型半导体对待;与其他n型半导体材料结合的这一设计拓宽了BFO薄膜在电子器件等方面的应用方向。电输运特性研究结果表明:在低温60K—240K之间，该异质结构存在弱的整流行为;漏电流机制属于块体限制普尔-弗伦克尔发射机制(Bulk-limited Poole-Frenkel,BLPF);在正负偏流下，该异质结构的阻温曲线存在明显的差异，这归因于 BFO层中铁电极化的翻转以及半导体层和铁电体 BFO层之间的界面电荷耦合;在外磁场0.3T作用下，该异质结构表现为负的磁电阻效应，在160K 以下，随着温度的降低，磁电阻明显增大，BFO层自旋相关散射和异质结构的界面电阻是负磁电阻的主要原因。
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銅(銦,鎵)硒及銅鋅錫硒薄膜
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溴化镍NiBr2薄膜
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银/铬（Cr/Ag）薄膜
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铜铟硫(CuInS2,简称CIS)半导体薄膜
氯化铬CrCl3薄膜
碲化钴CoTe2薄膜
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银钒磷硒AgVP2Se6薄膜
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聚乙烯醇/二氧化钛(PVAmO2)纳米复合薄膜
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三硫化二镓Ga2S3薄膜
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GaAs/Ga2O3复合多晶薄膜
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铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se_2,简写GIGS)薄膜
大面积铜铟镓硒(GIGS)薄膜
磷化镓GaP薄膜
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硫化锌(ZnS)缓冲层薄膜
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yyp2021.4.1