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RSS订阅原创 压电式传感器
压电式传感器1. 正压电效应和逆压电效应的定义，正压电效应和逆压电效应之间的关系。2. 石英晶体的几个轴与压电效应的关系，石英晶体压电效应机理。3. 压电陶瓷的压电效应机理。4. 石英和压电陶瓷压电效应之间的差别。5. 压电晶体的等效电路，测量信号的频率响应特性。6. 多片压电晶体的串并联关系与电压、电荷等的简单计算。不考计算题一、压电效应正压电效应（顺压电效应）：某些电介质，当沿着一定方向对其施力而使它变形时，内部就产生极化现象，同时在它的一定表面上产生电荷，当外力去掉后，又重新恢复不
2022-05-05 17:43:58
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原创 数字式传感器
数字式传感器1. 码盘式传感器基本工作原理。码盘式传感器分辨率的计算。二进制码盘与循环编码的特点与区别。消除粗大误差的方法有哪些。2. 光栅传感器的基本工作原理。莫尔条纹间距与夹角之间的关系。方向辨别原理。码盘式传感器码盘式编码器也称为绝对编码器，它将角度或直线坐标转换为数字编码。光学码盘式传感器用光电方法把被测角位移转换成以数字代码形式表示的电信号的转换部件。[外链图片转存失败,源站可能有防盗链机制,建议将图片保存下来直接上传(img-ezkpOnB1-1651743796581)(C:/
2022-05-05 17:43:27
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原创 电容式传感器
电容式传感器1、电容式传感器的三种基本类型：变面积、变介电常数、变极板间距。2、对于变面积型传感器，我们需要熟记角位移、直线位移传感器的输出公式，理解圆筒形传感器的计算公式。这三种类型的传感器要求会进行计算。对于变介电常数型传感器的圆筒形传感器液位测量，要求在给出公式的情况下，会进行计算。对变极板间距型的传感器计算不作要求。3、熟悉电容式传感器的基本测量原理。如测量物体厚度是基于什么原理，测量直线位移是可采用什么原理。4、熟悉变极板间距型传感器它的极板间距、灵敏度系数以及非线性误差之间
2022-05-05 17:42:40
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原创 磁敏传感器
1. 熟悉霍尔效应2. 霍尔元件的霍尔效应影响因素有哪些？3. 霍尔元件误差补偿方式及原理4. 霍尔传感器的应用方法霍尔式传感器霍尔效应几个参数材料迁移率μ电阻率ρ= 1 nqμ 霍尔电压UH = −BI nqd=KHBI 霍尔系数：RH=1nq霍尔元件的灵敏度：KH= −RH dUH = −b μEB L 几个参数\\材
2022-05-05 17:42:03
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原创 传感器-绪论
绪论+第一章一、传感器1.传感器定义能够感受规定的被测量并按照一定规律转换成可用输出信号（电信号）的器件和装置，通常由敏感元件和转换元件组成。2.组成传感器由敏感元件、转换元件、测量电路三部分组成。二、传感器的一般特性传感器静态特性和动态特性的基本概念和意义；线性度、灵敏度、精确度(重点考查)；温漂、零漂等；传感器动态响应的数学模型。动态特性：0阶和1阶(重点考查)；一般特性传感器一般要变换各种信息量为电量，描述这种变换的输入与输出关系表达了传感器的一般特性。静态特性定义当输入
2022-04-30 20:44:30
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原创 应变式传感器
二、应变式传感器什么是应变效应，什么是应变金属应变片工作原理金属应变片与压阻式传感器的工作原理区别金属丝式应变片基本结构组成，每部分的功能。金属应变片主要有哪几种类型：金属丝式、箔式、薄膜式基本电路：熟练熟记全等臂电桥的工作原理，公式，会进行计算分析。第一和第二等臂电桥掌握其特性，但不做考试要求。能够利用全等臂电桥的公式对温度补偿原理进行分析。 金属应变片的主要特性：灵敏度系数(注意金属丝和金属应变片的灵敏度系数之间的关系，二者灵敏度系数不一致的原因)、横向效应(横向效应与哪些
2022-04-30 20:43:37
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原创 内存存储结构 csapp
内存存储结构一、存储器分类1、RAM随机存取存储器RAM 掉电丢失SRAM：快速 贵 cacheDRAM：相对慢 便宜 主存 帧缓冲区2、ROM只读存储器读：CPU将地址A放在内存总线上。主内存从内存总线中读取A，得到内容x，并将其放在总线上。CPU从总线中读取单词x，并将其复制到寄存器%rax中。写：CPU将地址A放在总线上。主存储器读取它，并等待相应的数据字到达CPU将数据字y放在总线上。主存储器从总线中读取数据字y，并将其存储在地址A处二、Di
2022-04-26 19:53:21
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原创 csapp程序优化
文章目录一、局限性1、内存别名使用2、函数调用二、循环的优化1、代码移动2、减少过程调用3.消除不必要的内存引用三、现代处理器优化策略1、整体操作2.功能单元的性能3、循环展开（1）一次运行两个（2）重新组合（3）**两个负载单元**一、局限性编译器 安全 保守妨碍优化的方面：1、内存别名使用多个指针指向同一个地址2、函数调用编译器不优化防止全局变量产生影响程序性能评价 CPE二、循环的优化1、代码移动2、减少过程调用将重复调用的过程移动到循环外3.消除不必要的内存引用三、现
2022-04-26 19:52:51
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原创 虚拟内存VMcsapp
VM一、物理和虚拟寻址物理寻址虚拟寻址二、地址空间地址空间是一个非负整数地址的有序集合：如果地址空间中的整数是连续的，那么我们说它是一个线性地址空间。为了在一个带虚拟内存的系统中，CPU 从一个有 N=2^n个地址的地址空间中生成虚拟地址，这个地址空间称为虚拟地址空间。一个地址空间的大小是由表示最大地址所需要的位数来描述的。例如，一个包含n = 2^n个地址的虚拟地址空间就叫做一个 n 位地址空间。现代系统通常支持 32 位或者 64 位虚拟地址空间。一个系统还有一个物理地址空间，对应
2022-04-26 19:52:22
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原创 第三章 静态电磁场
第三章 静态电磁场一、电磁场边界条件边界条件：边界条件的完整表征就是要导出界面两侧相邻点电磁场矢量所要满足的约束关系。1.法向边界条件2.切向边界条件①任何分界面上E的切向分量是连续的，为0②任何分界面上B的法向分量是连续的，为0③在分界面上有面电流(在理想导体表面上存在)，H的切向分量不连续，其差等于面电流密度；否则，H的切向分量是连续的④在分界面上有面电荷(在理想导体表面上存在)，D的法向分量不连续，其差等于面电荷密度；否则，D的法向分量是连续的二、静电场出发点：不随时间变
2022-04-26 18:52:52
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原创 四 、电磁场解析方法
第四章 电磁场解析方法k为ε为\varepsilon为ε或μ\muμ一、唯一性定理唯一性定理是用来解释解存在和唯一的条件。静态电磁场的唯一性定理：eg1【例4-1】同心导体球壳间充满两种介质。内导体带电荷量Q ,外导体球壳接地。求导体球壳内电场分布由导体的边界条件知：导体表面电场的切向分量为0。因此，假设介质中电场只有径向分量，设介质1和2中电场为:切向是说导体球壳不是介质，因此只存在径向的分量就可以使用高斯定理求解电场答案：唯一性定义验证此解是否为静电场的解二、镜像方法h
2022-04-26 18:51:47
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原创 五、时变电磁场
第五章 时变电磁场一、时变电磁场的波动方程1.波动方程的推导思路：都是对旋度再求一次旋度电场波动方程$$\nabla\times\nabla\times E=-\frac{\partial}{\partial t}(\nabla \times B)\\ \quad\quad\quad\quad\quad\quad=-\frac{\partial}{\partial t}\nabla \times(\mu H)$$再由$$\nabla\times\nabla\times E=\nabl
2022-04-26 18:51:21
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原创 第六章平面电磁波
第六章、平面电磁波6.1理想介质空间平面电磁波 当天线馈以随时间谐变的电流，谐变电流将在其周围激发出 随时间简谐变化的磁场，谐变的磁场又将激发出谐变的电场。导线外部空间谐变电磁场相互激发并向外延伸传播，形成电磁波。一、波动方程二、平面电磁波方程1.电场平面电磁波所在为无源区域E(z)=Ae−jkz+BejkzE(z)=Ae^{-jkz}+Be^{jkz}E(z)=Ae−jkz+Bejkz传播方向[外链图片转存失败,源站可能有防盗链机制,建议将图片保存下来直接上
2022-04-26 18:50:35
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原创 拉普拉斯变换
拉普拉斯变换正反变换都要给上收敛域出发点 jw 容易错 将 jw 换成 s来自工程师一、拉普拉斯变换：1、引入s为复变量s=σ+jws=\sigma+jws=σ+jw2、ROC 收敛域保证傅里叶变换存在收敛域通常是拉普拉斯变换的极点。（不包含极点）X(s)=X(σ+jw)=∫−∞+∞[x(t)e−at]e−jwtdt=FT[x(t)e−at]a的值决定了收敛域X(s)=X(\sigma+jw)=\\\int_{-\infty}^{+\infty}[x(t)e^{-at}
2022-04-25 09:31:50
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空空如也
空空如也
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