VCO学习笔记

CMOS Technology based LC VCO Review---笔记

一.PLL结构

（1）基本部件:相频检测器(PFD)、电荷泵(CP)、低通滤波器(LPF)、压控振荡器(VCO)和分频器

（2） PFD鉴相器:检测Fref和反馈Fdiv之间频率、相位差异，产生UP\DN控制信号

（3） CP电荷泵：UP信号--电流被驱动到LPF；DN信号--从LPF中提取电流

（4） LPF低通滤波：讲信号转换为控制电压，控制VCO；UP--VCO频率增加；DN--VCO频率减小；Fref和反馈Fdiv之间频率、相位一致，VCO稳定，锁相环被锁定。

二.Ring-VCO和LC-VCO比较

(1) Ring-VCO:面积小、宽调谐范围、相噪性能差

(2) LC-VCO：片上电感面积大、在高频下工作，但调谐范围小

三.LC-VCO结构

基本原理：电感与变容管和开关电容器块形成一个LC槽。

LC-VCO的负电阻由交叉耦合的M1和M2 NMOS或PMOS晶体管的跨导给出。

频率校准分为粗调和微调两步：

（1）A--开关电容阵列（固定电容Cfix）：开关电容阵列可以粗调，由并联电容器阵列组成，根据需要开关，调整电容大小。

（2）B--变容管阵列（Cvar）：精调，可变电容并联组成，外部电压 Vtune​ 可线性调节可变电容的等效电容值。

（3）C--电流控制模块：偏置电流由多个位控制，如图ictrl是由多个独立控制信号组成的二进制数组，用于对应的偏置电流开关，可调整功耗

一种偏置电路噪声消除的VCO

一.VCO相噪

ps：

<1>闪烁噪声--1/f噪声，因为它的功率谱密度和1/f呈正比，是一种低频噪声；

              来源--半导体器件器件的表面缺陷，晶格不均匀性以及载流子的随机运动；

              原因--晶体管的沟道内载流子与杂质、界面态的相互作用；

<2>二次谐波--对相噪贡献大

      能量集中：二次谐波通常是最强的谐波之一，由于二次谐波的频率较低，波形的变化对于振荡器的相位影响较大，对相噪贡献显著。

     相位扰动：直接影响输出信号的相位，二次谐波位于基频附近，

三种主要噪声：

（1）尾电流源的闪烁噪声：对vco输出电压进行幅度调制AM，变容管以及交叉耦合晶
体管的寄生电容的非线性，该AM调制被转变成PM调制，从而产生相噪。

（2）交叉耦合管的闪烁噪声：管子的非线性，进行AM-PM噪声转换，除了闪烁噪声，尾电流源二次谐波处的热噪声也贡献相噪。

（3）VCO偏置电路的噪声通过尾电流源注入;

分析：

（1）偏置电路和尾电流源的二次谐波中的热噪声很容易通过低通RC滤波器滤除

（2）偏置电路和尾电流源的闪烁噪声如果用RC滤波器，需要很大的R或C，耗费面积大；

，因为闪烁噪声是一种低频噪声

可以通过自偏置结构或者噪声抵消来降低，电路较复杂

二.本文特色：一种偏置电路噪声消除的VCO

在偏置电路和VCO的尾电流源中插入选通电路---特定时刻开关，调节电流流动

用小占空比的脉冲时钟信号---导通时间短，减小噪声，适当时刻噪声隔离

三.偏置电路噪声消除基本原理

背景分析：

结构及噪声分析:

（1）MB是尾电流源，产生一个偏置电压Vb；调节Vb，可调整MB的工作点，进而调节电流；

偏置电路有热噪声、闪烁噪声等，表现为电流噪声ib，通过MB的跨导转换为电压噪声Vn

（2）MT是一对交叉耦合管...这样画是为了强调偏置电路的噪声通过MB注入MT；

（3）偏执电压噪声分析：一是MB闪烁噪声、二是MB热噪声、三是偏置电路的噪声，噪声电流通过跨导转换为噪声电压

NMOS晶体管 ＭＴ自身贡献的噪声:

MT管主要提供负阻，MT的噪声注入到谐振腔时会被放大，放大的比例与MT和MB跨导比有关；

MB提供偏置电流，其跨导反映了尾电流源对信号的驱动能力，

α--交叉耦合管的放大能力相对于电流源驱动能力的比例

来自MB管的噪声，经过T管后放大了α倍，但是MT管本身的噪声是直接注入的，所以是α倍关系（贡献程度）；当α大时会恶化相噪；

消除原理：

结构：添加选通电路（SW、C）提供偏置电压

电容C的采样保持作用：

采样阶段：SW导通，偏置电路通过C向MT提供偏置电压，同时C被充电，存储该电压值

保持阶段：SW断开，通过储存的电压持续为MT提供偏置电压

电容选择：大电容充电时间长，但SW导通时间需要够长，且漏电流的影响小；但是电路响应速度会降低

噪声分析：（构成低通滤波器）

电路开关和导通时分别有Ron和Roff，在一个周期Tk内，传递给电容C的总电荷量为

，ΔV是SW两端的电压差，Q=IT,因此等效电阻Req为:

,该等效电阻和C构成RC低通滤波器（高频通过电容C直接流向地），拐点频率fc为：

当 τ <<Tck时，

又因为Roff很大（MΩ级别），可得

当晶体管的宽长比小时，跨导小，电阻大，拐点频率会降低；

偏置电路输出噪声电压随开关时钟占空比变化的仿真结果：随着占空比减小，闪烁噪声的拐点越来越低；1%拐点在10k，10%拐点在100k，100%拐点在1M，拐点就是截止频率，和公式分析一致

脉冲时钟信号发生电路：

分析：延时单元的延时为t0，当时钟CK上升沿到来，D触发器输出Q会从低电平变为高电平，经过延时t0后，CK_SW也为高电平；此触发器是高电平复位，CK_SW会使触发器复位，输出Q又变成低电平，所以CK_SW是脉宽为2t0的脉冲时钟信号

偏置电路噪声消除VCO总电路图:

B类结构；

选通电路用PNMOS互补结构实现：

互补结构仅在开关切换的瞬间有功耗，稳定时（导通或关断）晶体管都处于静态

NMOS在低电平时导通效果好，PMOS在高电平时导通效果好，

互补结构在关断下阻抗很高，可以有效隔离噪声

切换速度快；如果只用单一的，可能因为差的关断特性使得电容漏电

输出用自偏置反相器结构的缓冲器：

用反相器作输出的缓冲器

VCO通常无法直接驱动大负载，用缓冲器可以隔离负载、提高驱动能力

该反相器是自偏置反相器：

自偏置：通过反馈机制（通常是直流偏置电路）设置工作点，使其处于线性区。

反馈机制：在反相器的输入和输出之间连接一个电阻，将直流偏置反馈到输入

工作点：由于反馈作用，输入电压被设置在反相器的阈值电压附近，此时PNMOS都处于导通，不是完全导通、也不是完全关闭，而是线性工作区

能自动调整偏置电平，适应输入信号的不同振幅，确保输出信号有足够的放大能力。

标准射频系统中负载阻抗通常为50欧姆

四.实验结果分析

黑色：无噪声消除仿真          绿色：有噪声消除仿真                红色：有噪声消除实测

有消除时，噪声减小20dB左右

有噪声消除时，拐点大概在100kHz，无噪声消除时，拐点大概在1MHz

闪烁噪声本质是1/f噪声，但是在VCO中，通过调制AM-PM转换表现为1/f³噪声

振荡器中的相噪：

• 1/f³ 区域（低频）：闪烁噪声通过 AM-PM 转换成为相位噪声。

• 1/f² 区域（中频）：热噪声通过转换主导。

• 平坦区域（高频）：由白噪声主导

曲线拐点：相位噪声随频率偏移变化曲线的斜率改变的位置，标志着闪烁噪声和热噪声的主要作用切换

使用噪声消除后，闪烁噪声的影响范围被压缩、减小了相噪

An Adaptively Biased Class-C VCO With a Self-Turn-Off Auxiliary Class-B Pair-for Fast and Robust Startup

一种自适应偏置的类C-VCO，带有用于快速和稳健启动的自关闭辅助类B对

一.电路结构

1.组成

图a类CVCO主电路和辅助类B对 

图b自适应偏置电路

图c输出缓冲器

2.类CVCO主电路和辅助类B

（1）组成：M1、M2、调谐电容以及中心抽头变压器（电感器）

（2）互补的NMOS管，工作在弱导通区

         输出信号Vop（正输出）和 Vom（负输出）

         两者通过正反馈实现振荡

（3）变压器：初级线圈+次级线圈

        初级线圈在M1、M2漏极之间，代替传统LC中的L，参与LC谐振；和总电容一起决定振荡频率

        次级线圈通过中心抽头提供栅极偏置电压；同时与振荡信号隔离

        偏置电压Vb由偏置电路动态调整，确保启动阶段和稳态阶段的最佳工作点。

（4）正反馈实现：M1 M2的漏极和初级线圈相连

当M1导通时，Vop上升，产生变化的电流流过线圈，会产生磁场，次级线圈通过电磁感应产生电感信号，为M1提供正反馈，进一步抬高M1的栅极电压，同时反相抑制M2的栅极电压，增强了M1的导通，确保M2关闭；当振荡信号反相时，M2导通，Vom上升，电流通过初级线圈反向流通，产生感应信号，增强M2的导通，抑制M1导通；

正反馈的作用就是确保每个时刻只有一只管子导通，并周期性的切换维持振荡；

（5）为什么次级线圈的中心抽头能提供偏置电压的同时与震荡信号隔离？

答：中心抽头是次级线圈的中点，由对称性看，该点的交流信号电压为0，是交流的虚地点，

这种设计保证交流信号不会通过中心抽头耦合到偏置电路，避免了震荡信号对偏置电路的影响

实际的设计中，中心抽头连接的偏置电路中通常包含一个去耦电容和高阻抗结构

去耦电容将高频信道从旁路至地，偏置电路对高频信号呈现高阻抗，阻止其进入

（6）为什么中心抽头可看为交流信号的零点？

Vop 和 Vom 是反相的（相位相差180°）。

中心抽头位于次级线圈的正中央，其电位为线圈两端信号的平均值，为0；

        变压器耦合系数Q对VCO的频稳和相噪有影响

（4）变压器结构和作用

（5）调谐电容：

微调（fine tuning）：通过控制电压Vc改变电容，实现细微的调制

粗调（coarse tuning）：通过开关阵列实现较大范围的电容变化，完成粗略频率调制

（6）特点

低功耗：交替导通

低相噪：类C振荡器在稳态下具有较尖锐的电流波形，减少了噪声对相位的影响。

偏置电路与变压器的耦合使主类C电路能够适应不同的启动条件和工作状态。

3.B-放大器

结构：推挽放大器实现信号放大，由M5提供偏置电流，差分输入信号的交替导通特点，高效放大

M3、M4：构成B类放大器推挽结构；差分输入信号Vop和Vom加到M3、M4的栅极，使其交替导通；当Vop为高电平时，M3导通，将正向信号传到负载，Vom高时,M4导通，将负向信号传到负载；

3.1.推挽结构特点

（1）两个有源器件，分别负责放大输入信号的正半周和负半周，交替导通

（2）差分输入结构，抑制共模噪声，增加信号动态范围

3.2 M1、M2和M3、M4区别

（1）M1\M2分别接在谐振电路两端

（2）差分方式工作，但不是推挽放大的交替导通

（3）为谐振电路提供负的阻抗，补偿谐振电路的能量损失

（4）C类工作模式，导通角小于180

4.偏置电路

结构：M7、M8是差分放大器；C1是耦合电容，M6是电流源,

M10、M11是差分放大器；C2是耦合电容（30pf）适合处理较低频率的信号，M9是电流源,

左支路：W/L=48/0.06处理高频信号；右支路：W/L=38/0.3，为较长通道的晶体管，优化了线性度，减少寄生效应；

传统偏置电路多用单端放大，本文是差分放大；

5.缓冲放大器

作用：阻抗匹配、隔离、输出信号驱动能力提升

当Vop增大时,左边的NMOS导通电流增大，右侧的NMOS导通电流减小

差分放大器放大了Vop-Vom的差分信号，同时抑制共模信号

6.工作机制

辅助B对---在启动阶段提供额外的负跨导，加速振荡器信号建立，快速启动

在启动阶段，振荡信号幅度小，辅助对会通过偏置电流（M5提供）进入工作状态，为振动器提供驱动

进入稳态之，振荡信号的幅度变大，辅助对根据偏置设计和电路特性自动退出工作

自关断---

启动阶段

（1）输出信号Vop和Vom振荡很小，此时M1，M2的增益不足，无法单独驱动振荡器快速增长；

（2）M5提供较大的偏置电流，导致M3\M4的源极电压接近于0；

（3）Vgs=Vg-Vs=Vg，只要振荡信号稍稍高于阈值电压Vth，M3\M4就可以导通，导通后提供额外的负跨导，即额外的增益，可以放大振荡信号；

稳定阶段

（1）自适应偏置电路检测到输出信号变化时，自适应偏置电路会降低提供给M5的偏置电流；

随着M5的导通程度降低，M3\M4的源极电压上升； Vgs=Vg-Vs,当Vs增大时，Vgs减小，M3.M4介质，不再提供额外增益；

自适应偏置电压

（1）刚启动时，Vgp和Vgm很小；耦合电容C1\C2将较小的振荡信号引入偏置电路；对应M7-8 M10-M11的导通较低，有一点电流   ，这使得主的晶体管的M6 M9的栅极电压低，导致Vb_adpt1和2偏高，就可以为主电路提供大的偏置电压

（2）随着振荡器震荡幅度增大，C1\C2将更大的信号传给M78 M1011，导通程度变大，源极电压增大，漏极电压（VB_adapt减小）

（3）当振荡信号的幅度达到稳态时，C1 C2传递信号的幅度不变，辅助晶体管和主晶体管的导通都稳定。

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Analysis of Power Efficiency in High-Performance Class-B Oscillators（高性能B类振荡器效率分析）

1.比较三种拓扑研究

基本原理

（1）振荡能启动及必要条件，Gm>1/Rp；即差分对的跨导提供负阻抗补偿谐振回路的1/Rp，维持振荡

（2）稳态振荡：

当振荡进入稳态时，Ib在两支路中交替导通；

零峰值输出振荡幅度A0=I0Rp；I0是差分电流输入谐振回路的基波分量

理想情况下，最大震荡幅度A0接近2Vdd；

（3）噪声及性能分析

<1>相噪公式：

A02​/(2RP​)：LC谐振回路中RF信号的功率消耗（能量损耗越小，信号越纯净，相位噪声越低）。

ωosc​/Δω：振荡频率与频率偏移的比值，偏移越小，相位噪声越高

F：噪声因子，表示来自MOS晶体管的噪声对LC罐体的额外注入。

结论：

A0​ 越大（振荡幅度增大）、Q 越高，或者 Rp​ 越大，相位噪声越低。

F表示振荡器中非理想噪声的影响，通常由MOS晶体管的固有参数（例如 γ\gammaγ）决定。

L(Δω)) 与 (ωosc/Δω)2 成正比，说明越靠近载波频率（小 Δω），相位噪声越严重

<2>FoM (Figure of Merit) 优值指标公式：

ωosc2​/Δω2：描述了振荡器在不同频率偏移下的性能。

L(Δω)：振荡器的相位噪声，越小性能越好。

Pdc,mW振荡器的总DC功耗（单位：毫瓦），表示振荡器的效率。

<3>理论极限 FoM:

<4>FoM 的实际表达式:

(4)单对和双对结构对性能的影响：

<1>功率效率：

电压效率：ηV​=A0​​/Vdd；电流效率：ηI=I0/Ib；

ηV​=A0​​/Vdd：电压效率，输出振荡信号的幅度 A0A_0A0​ 与电源电压 VddV_{dd}Vdd​ 的比值。反映了电路是否充分利用了电源电压范围。系数1/2是有效值的因子

<2>单对振荡器：

<3>双对振荡器：

单对振荡器： 输出振幅可以达到 2VDD​，因为差分输出充分利用了电源电压范围，适合对振幅要求较高的应用。

双对振荡器： 单端输出限制为 VDD，但具有更高的电流效率和对称性，适合低电源电压和高可靠性设计。

（）性能比较

性能劣化：主要是因为晶体管进入深度三极管区；

机制：当振荡信号的差分电压幅度增大时，MOS管可能进入深度三极管区