【PLL】VCO：LC VCO

opcode0

于 2025-03-03 20:03:07 发布

阅读量1.3k

点赞数 20

分类专栏： PLL 文章标签：学习例子

本文链接：https://blog.csdn.net/m0_62489442/article/details/145928670

版权

PLL 专栏收录该内容

38 篇文章

订阅专栏

对于集成LC VCO的设计，通过具有可变电容器（即变容二极管）来实现可变输出频率。

使用其电容取决于栅-源（或栅-漏）电压的MOSFET是实现变容二极管的典型方式。

单端VCO（如Colpitts或Pierce振荡器）可以用比差分VCO更少的有源晶体管实现更好的FOM，但它们会受到片内电源噪声的影响。

差分拓扑主要用于集成LC VCO的设计。

1. 设计考虑

VCO的设计需要考虑三个关键参数：

振荡启动
调谐范围
相位噪声

晶体管的小信号增益
变容二极管的可调谐性
LC谐振回路的品质因数
偏置电流的闪烁噪声

也是LC VCO设计中需要考虑的因素。

1.1 振荡启动

由于振荡器除了自含噪声外没有任何输入源来产生输出信号，因此在初始启动时需要一个正反馈，以使受扰信号增长较小。

当正反馈增长信号的幅度受到电路非线性和电源电压的限制时，可以获得恒定幅度，稳态增益为1。

因此，对于工艺电压温度（PVT）变化，重要的是使反馈回路的初始增益高于1。

LC振荡器被视为具有正反馈的两级LC调谐放大器：
（a）具有并联LC谐振回路的LC振荡器
（b）具有LC负载的两级振荡器。

如果我们只对谐振频率附近的频率感兴趣，则串联电阻为Rs的电感器可以变换为并联电阻为Rp的电感器。

图（a）中的原理图可以看作是一个两级正反馈放大器，其输出信号馈入第一级放大器的输入端，如图（b）所示。

当输入信号的频率与谐振频率相同时，并联LC谐振回路的阻抗近似为Rp。

振荡启动所需的增益：

$g_{m1}R_{p1}g_{m2}R_{p2}>1$

为了具有对称电路， $g_{m1}=g_{m2}$ ， $R_{p1}=R_{p2}$ ，可以简化为

$g_mR_p>1$

example 带LC负载的放大器

设计一个LC振荡器。

假设LC谐振回路具有

5nH的电感
品质因数为8
谐振频率为2GHz

如果振荡器电路是完全对称的，那么两个晶体管启动振荡所需的gm是多少？

串联LC谐振：

$Q=\frac{\omega _o L}{R_s}$

$Q=8$
$\omega _o=2 \pi*2G$
$L=5nH$

计算得出： $R_s=7.854 \Omega$

并联LC谐振：

$Q=\frac{R_p}{\omega _o L}$

$Q=8$
$\omega _o=2 \pi*2G$
$L=5nH$

计算得出： $R_s=502.65 \Omega$

如果设计的振荡器，则所需的gm应约为

$g_mR_p=1$

$g_m \approx 2mA/V$

用高Q电感设计LC振荡器是好的。

对于相同的功耗，我们可以通过具有高Rp的大电压摆幅来改善相位噪声。

出于同样的原因，对于给定的噪声要求，可以降低具有高Rp的偏置电流。

gmRp的最佳值

对于给定的Rp，定义gmRp的最佳值很重要。

高gmRp优点

高gmRp缺点

快速启动

谐波失真：大增益使输出摆幅接近矩形波形而不是正弦波形

功率消耗大，降低了振荡器的FOM

电压摆幅随偏置电流而增大。
输出电压摆幅由偏置电流决定，振荡器工作在限流区域。
一旦达到最大幅度，由于电路非线性，电压摆幅不会随着偏置电流而增加，而是变为矩形波形。振荡器处于电压限制区域中。

对于给定的功率预算，限流和限压区域的交叉点将是最佳相位噪声的最佳点。

当考虑gm随工艺、电压和温度的大变化时，限流区的边界存在不能启动的风险。

在实践中，对于集成振荡器的设计，通常将启动增益设置在2-4的范围内，并且应当通过考虑技术和电路方面来确定适当的值。

1.2 调谐范围

由于在传统LC VCO中通过变容二极管调谐输出频率，所以变容二极管的电容范围对于实现宽频率范围是重要的。

传统MOS电容在电压-电容传递函数曲线中表现出非单调性，并且在控制电压较小时表现出严重的非线性。

锁相环的非单调性或低线性度对锁相环的设计是不利的。

如果我们将NMOS晶体管放在n阱中，将PMOS晶体管放在p阱中，则MOS晶体管只有耗尽和积累模式，而没有反型模式。

当栅极-源极电压VGS接近整个范围的中间时，电压-电容传递函数显示出良好的线性。

最大电容Cmax在电子完全累积在栅极下时出现：

$C_{max}=C_{ox}WL+2C_{ov}W$

$C_{ox}$ ：氧化物电容，单位 $F/\mu m^2$
$C_{ov}$ ：重叠电容，单位 $F/\mu m$
$W$ ：晶体管宽度
$L$ ：晶体管长度

最小电容Cmin栅极下的电子被负栅极电压耗尽时，在源极侧和漏极侧两者中具有仅由Cov设置的电容：

$C_{min}=2C_{ov}W$

$\frac{C_{max}}{C_{min}}=\frac{C_{ox}WL+2C_{ov}W}{2C_{ov}W}=1+\frac{C_{ox}}{2C_{ov}}L \approx \frac{C_{ox}}{2C_{ov}}L$

栅极长度是控制变容二极管的调谐范围的唯一参数。为了提高变容二极管的可调谐性，需要更长的栅极长度。

具有大L的变容二极管的品质因数会恶化。

如图（a）所示，在栅极下形成的电子沟道的电阻 $r_{DS}$ 给电容提供串联电阻。变容二极管的品质因数Qvar：

$Q_{var}=\frac{12k_p(V_{GS}-|V_T|)}{\omega_o C_{ox}L^2}$

$k_p$ ：MOS管跨导参数

沟道长度L增加k倍，可使转向范围增加k倍，但Qvar降低 $k^2$ 倍

L被选择为晶体管的最小长度的两倍或三倍

LC谐振器的总的品质因数：

$\frac{1}{Q_{tot}}=\frac{1}{Q_{ind}}+\frac{1}{Q_{var}}$

在大多数情况下，Qtot主要由Qind确定，因为Qvar高于Qind。

对于>10 GHz VCO的设计，随着电感值的变小，Qvar也发挥着关键作用。

1.3 相位噪声

一般来说，具有较大电压摆幅的振荡器实现更好的相位噪声，

过零点处的快速转变
- 降低了电路噪声引起的时序不确定性
- 最小化了AM到PM转换。

高Q值电感会产生较大的Rp值，从而增加给定偏置电流的电压摆幅。

交叉耦合晶体管

交叉耦合的晶体管提供有源增益或者gm以维持振荡。

图所示LC振荡器中交叉耦合晶体管M1完全导通或截止的情况。

为简单起见，考虑谐振频率下的小信号模型，用Rp代替LC谐振回路，并将电源电压设置为如图所示（ $V_{DD}+0.5I_{ss}R_p$ ）。

假设M1打开，M2关闭。
如果M1处于饱和区，则尾电流源的高输出阻抗将使M1的噪声恶化。
如果M1关闭，则没有噪声贡献。
如果M1和M2晶体管都在交叉时间附近导通，则交叉耦合晶体管将注入电流噪声。
- 当通过周期信号选通白色噪声时，周期性切换噪声的噪声特性保持为白色作为循环平稳噪声。
- 在交叉点处的电导的持续时间取决于交叉耦合晶体管的尺寸。
- 由于输出信号是由振荡器本身产生的，因此不考虑输入参考噪声，而是考虑有源晶体管的输出噪声。
- 因此，期望小的W/L比可以减少由交叉耦合晶体管产生的电流噪声。
- 另一方面，大的W/L比可以带来输出电压的快速上升和下降时间，从而减轻晶体管在过零点处的噪声贡献。

因此，如果交叉耦合晶体管在饱和区域中操作，那么交叉耦合晶体管的W/L比比其它参数对振荡器噪声的贡献小。

很难让它们在整个周期内工作在饱和区，特别是当低噪声设计需要大的输出摆幅时。

如果M1处于线性区域，则发生幅度调制，引起AM-PM转换
还需要考虑尾电流源处寄生电容的影响

尾电流源处寄生电容

假设图中的M1晶体管部分工作在线性区，在节点Y处有过大的摆幅。

在实际应用中，存在尾电容【 $C_{tail}$ 】，该尾电容来自交叉耦合晶体管的寄生电容和尾电流源，或者可以将其作为设计参数添加以抑制尾电流噪声。

图显示了LC振荡器的小信号模型，当M1进入线性区时，导通电阻为【 $R_{on}$ 】。

LC储能电路通过【 $R_{on}$ 】连接到【 $C_{tail}$ 】。

在无源变换之后，并联电阻Rp 2和电容Cp 2：

$R_{p2}=\frac{R_pR_{tail}}{R_p+R_{tail}} \\\\ C_{p2}=C_p+C_{tail} \\ \\ R_{tail}=\frac{1}{R_{on}C_{tail}^2\omega_o^2}$

在交叉耦合晶体管的W/L比较小的情况下，增加尾电流会恶化相位噪声性能，因为过大的尾电流会使晶体管工作在线性区域。

尾部电容的另一个影响是由于二次谐波失真而导致的不对称波形。

即使交叉耦合晶体管不进入线性区域，Ctail处的电压Vtail也呈现两倍于振荡频率的波纹。

这是因为M1和M2均导通时的Vtail由差分对的共模电压驱动，而仅M1导通时的Vtail由源极跟随器的输入电压设置。

非对称波形导致AM-PM转换，并对尾电流的闪烁噪声进行上变频。

尾电流

尽管差分振荡器的共模抑制可以减轻尾电流的噪声贡献，但它对相位噪声的贡献比交叉耦合晶体管更大。

考虑三个频率下的电流噪声贡献：

直流或近直流（只考虑闪烁噪声，它是主要的设计关注点）
振荡频率ωo
两倍振荡频率2ω o。

当差分拓扑结构中存在不对称或非线性时，尾电流的闪烁噪声会对输出相位噪声产生影响。

尾电容是引起二次谐波失真的主要因素之一，从而导致不对称波形。
- 当输出波形不对称时，共模波动会通过AM-PM转换引入相位噪声。
电路的非线性也会使共模噪声对相位噪声产生影响。
- 变容二极管的非线性电压-电容传递函数可能是产生AM-PM转换的主要来源之一。
除了不对称性和非线性度之外，交叉耦合对的不完美共模抑制仍会调制输出幅度。
- 这种影响比其他两种情况弱，但不可忽略，特别是当交叉耦合晶体管进入线性区时，输出摆幅较大。

在振荡频率ωo和二次谐波频率2ω o处的尾电流的热噪声。

交叉耦合对的行为就像调制尾电流的单边带混频器。

调制电流噪声类似于射频输入
交叉耦合对类似于由本振选通的差分开关电路
ωo处的尾电流噪声被下变频至DC并被上变频至2ωo，这不会影响频率以ωo为中心的振荡器的相位噪声。
另一方面，2ωo处的尾电流噪声被下变频到ωo，影响相位噪声性能。
这意味着，当尾电容Ctail的节点被Vtail共模噪声在2ωo调制时，
- 尾电流的闪烁噪声也可以被上变频为ωo，
- 从而通过沟道长度调制来调制尾电流2ωo的闪烁噪声。
- 上变频闪烁噪声加在振荡器的输出相位噪声上

尾电流的闪变噪声通过直接和间接两种方式影响相位噪声。

当存在非对称性或非线性时，缓慢变化的噪声分量直接影响相位噪声。
当差分开关对完全导通和关断时，尾部电容可以形成非对称波形。任何偶次谐波失真或不平衡的电路操作也会导致振荡器中的不对称波形。
通过引入脉冲灵敏度函数（ISF），在时域内分析了具有对称上升和下降时间以减轻闪烁噪声的重要性。
在非线性效应方面，变容管的非线性可能是影响压控振荡器性能的主要因素之一。

当尾电流的闪烁噪声通过共模调制上变频到2倍频时，它会间接影响相位噪声。

如果设计完全平衡的A类VCO，则闪烁噪声上变频可以忽略不计。

实际上，如果不采用额外的幅度控制电路，则设计这种没有二阶谐波失真的VCO需要完全工作在限流模式下，这将限制最大输出摆幅或增加功耗。

2. LC VCO电路拓扑

2.1 具有交叉耦合对和互补对的传统VCO

注意，MOS电容的栅极必须连接到电感，源漏节点连接到控制电压Vctr，

这是因为MOS电容的源漏节点暴露于衬底噪声耦合，而栅极节点被很好地隔离。

为了提高电源噪声抑制能力，可以将具有顶部偏置电流的LC VCO设计为具有接地基准输出，如图（b）所示。

图（c）LC VCO，它具有互补交叉耦合对，使用NMOS和PMOS晶体管，类似于CMOS锁存器。

与仅使用NMOS对的VCO相比，

采用对称配置时，VCO的输出具有更好的双稳态性
共模电压接近电源电压的一半
通过增加PMOS对，获得了更好的启动条件
对于给定的尾偏置电流，如果最大摆幅不受电源电压VDD的限制，则具有互补对的VCO可以实现两倍的摆幅，从而当VCO处于限流模式时实现较低的相位噪声
对称配置将最大摆幅限制为VDD/2，而使用NMOS对的VCO则具有更大的电压摆幅，接近VDD

对称波形减轻了闪烁噪声对相位噪声的影响。

此外，由于来自PMOS对的附加寄生电容，调谐范围更差。因此，对于给定的尾电流，互补对VCO的FOM或FOMT通常比NMOS对VCO差。

2.2 Class-C VCO

当交叉耦合晶体管在存在尾电容Ctail的情况下进入线性区域时，交叉耦合晶体管使相位噪声恶化。

传统LC VCO在高Q电感器的输出摆幅较大时，很难使其工作在饱和区。

在这种情况下，线性区问题会抵消高Q电感的优势。

为了防止交叉耦合的晶体管进入线性区域，可以偏置晶体管的栅极电压以使晶体管总是在饱和区域中操作。
在这种情况下，交叉耦合晶体管可以产生甚至高于具有大gm的尾电流的最大电流。
为了保持相同的总直流电流，每个晶体管的导通时间应小于振荡周期的半个周期。
由于晶体管的导通角小于180 °，因此VCO被称为C类VCO。

考虑到对于两个晶体管都存在无电流流动的时段，需要大的尾电容Ctail以使节点P稳定。

具有大的峰值幅度与较少的导通时间的晶体管，C类VCO可以实现更好的FOM比传统的VCO。

然而，最大峰值电流由交叉耦合晶体管的gm确定，并且可以变化很大，从而导致在PVT变化上的不同输出摆幅。

在设计C类VCO时，应仔细检查启动条件。可以采用用于幅度控制的附加电路以具有鲁棒的启动条件。

2.3 利用共模噪声滤波降低尾部噪声

尾电流噪声被上变频为相位噪声主要是因为振荡器中的二阶谐波分量。

换句话说，如果尾电流不暴露于二阶谐波调制，则不存在闪烁噪声上变频。

噪声滤波，以抑制耦合的二阶调制。

如图所示，在尾晶体管的漏极增加了一个谐振为2ω的LC滤波器。
𝜔与电流源并联的大电容可使电流噪声短路至2ω左右，
电感沿着与尾部晶体管漏极处的总电容一起提供2ω的高阻抗
结果，尾电流几乎不被共模调制调制，这有助于减轻噪声上转换。

通过噪声滤波技术，相位噪声性能得到显著改善。

这种方法的缺点是需要很大的面积才能有一个辅助的片内电感，仅用于共模噪声滤波。
此外，由于共模频率由输出频率决定，因此LC滤波电路的中心频率应针对不同的输出频率进行调整，这需要额外的电容阵列来调谐辅助LC储能电路的谐振频率。

2.4 利用分立电容阵列实现宽调谐

为了增加VCO的调谐范围，需要一个大的变容二极管。

与此同时，应减小电感值以保持相同的谐振频率。

小电感器可降低并联LC储能电路中的Rp，从而导致相位噪声恶化。

调谐范围和相位噪声之间的基本折衷可以通过采用数字可编程电容器阵列来减轻。

使多个粗调谐变容二极管具有足够的频率重叠，可以在不降低相位噪声的情况下实现相对宽的调谐范围。
每个调谐曲线必须涵盖温度变化，并应与相邻曲线有足够的重叠。
金属对金属电容器表现出良好的线性，但具有10fF量级的大的最小电容。
金属对金属电容器阵列：粗调；MOS电容器阵列：微调

使用频带切换LC VCO的一个问题是随温度具有大的增益变化的可能性。

可以在系统初始化期间校准工艺变化上的中心频率偏移，但是温度上的中心频率漂移需要由PLL连续覆盖而不切换频带。

否则，系统时钟在正常工作时会发生频率突变。

如图所示，离散的粗调曲线在高温下会导致单个调谐曲线边缘处的增益显著降低，这就要求对每个频段进行精心的VCO设计。

2.5 采用单输入双通道控制的无缝宽调谐

考虑使用双通道VCO，不仅可以提供无缝宽调谐，还可以在温度和工艺变化时提供恒定的VCO增益。

通过具有由窄带环路控制控制的单独的大变容二极管，实现了宽频率捕获，而不增加环路中VCO的小信号增益。

利用窄带线性放大器的直流增益，VCO的控制电压范围显著减小，从而增强了VCO在小信号路径中的线性度。

实线表示粗调谐变容二极管的调谐曲线，虚线表示细调谐变容二极管的调谐曲线。

当粗调谐线性放大器的增益被设置为k并且大于1时，PLL中的环路滤波器的实际电压范围（或者等效地，电荷泵的输出顺从电压）比粗调谐线性放大器的输出电压范围窄k倍。

因此，双路径VCO在宽调谐范围内有效地最小化VCO增益变化。

减小的电压范围还改进了电荷泵设计，因为其缓和了上电流与下电流之间的电流失配。

这种LC VCO可以用于某些有线应用，其中需要宽范围的LC VCO来取代抖动和噪声耦合较差的环形VCO。

PLL中的稳定性问题可以通过设计一个在粗调路径中具有更窄带宽的线性放大器来解决。

采用双路径VCO的PLL的线性模型和开环增益，其中M和N分别表示粗调增益因子和分频比。

粗调谐增益因子M是粗调谐路径增益与细调谐路径增益的比率，其包括线性放大器增益比率以及变容二极管尺寸比率。

与传统的Type 2 PLL相比，双路径PLL具有分别位于s = 1/RC和（M+ 1）/RC处的额外极点和零点。

即使粗调带宽较窄，粗调增益因子M的高值也会降低相位裕度。

因此，为了稳定性，将附加极点和零点保持在比单位增益频率低得多的频率处是重要的。

注意，由于电阻的热噪声贡献被PLL的带通特性和RC滤波器的低通滤波器特性抑制，因此可以使用高值电阻来减小线性放大器的输出处的低通滤波器的电容的面积。

在布局中，重要的是要尽量减少粗调路径中线性放大器输出端的衬底噪声耦合，粗调路径控制高增益变容二极管。

总结

VCO种类	特点	缺点
互补交叉耦合对
Class-C	偏置晶体管的栅极电压以使晶体管总是在饱和区域中操作大的峰值幅度较少的导通时间比传统的VCO更好的FOM	PVT变化导致不同输出摆幅
共模噪声滤波VCO	在尾晶体管的漏极增加了一个谐振为2ω的LC滤波器相位噪声性能得到改善	很大的面积片内电感额外的电容阵列
分立电容阵列实现宽调谐	大调谐范围	切换频带，随温度有大的增益变化
但输入双通道VCO	无缝宽调谐在温度和工艺变化时提供恒定的VCO增益。	PLL稳定性问题