高源内阻的电压测量

目录

1.概述

2.误差来源

3.负载误差和保护技术

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1.概述

主要讨论负载误差及相关技术去降低，介绍相关高阻测量的各种绝缘材料的信息

2.误差来源

电压表内阻，输入偏置电流，部分分流电阻和电容引起的负载误差。

3.负载误差和保护技术

  3.1负载误差

      如下图，电压源为Vs和Rs串联的等效电路，Vm为测量端，Rin为一个理想的确定电阻大小的电阻。根据计算

Vm = Vs*(Rin/(Rs+Rin))

从上述计算中我们得知，电压源和测量端输入电阻比例占比决定了计算结果。为了降低源内阻的占比，一般会将输入电阻提高到源内阻至少两个数量级，

3.2 线缆的负载效应

  连接线缆通常不是问题，但是再负载超过10GΩ时候，一些条件下也会产生很大的影响

3.3 输入偏置电流

       输入偏置电流是电路的固有属性，无法完全消除，在运放中是由于基极输入偏置PN节漏电流引起或者金晶体管不一致导致。

数字多用表和纳伏表的输入偏置电流一般再pA级别，1pA~1nA之间，静电计最小可以到fA级别，pA计和SMU也有很小的输入偏置电流，高于静电计。

3.4 分流电阻负载和保护 

跨接在电压源上的任何分流电阻都会影响测量，如漏电的电缆和绝缘子，

采用绝缘性好的连接器夹具及采用保护技术可完全消除影响。

优化前：Vm  =  (Rl/(Rs+Rl))Vs

采用保护措施之后，增加运放，运放的输出端提供Rg的电流

Vm = Vs * (AGRL/(Rs+AG))

 

优化后，电缆的屏蔽连接到buffer的输出端，不是lo端，RG代表从电缆到lo端的电阻，现在的RG流过的电流是输出端提供了而不是源端提供的，流过RL的电流就下降了几个数量级，泄露电流基本可以忽略。静电计设计就是这个架构，并且这样还减少了电缆的有效电容，使电路的响应速度更加快，

当静电计作为电压表使用时候，其原理如下（保护泄露电阻）

设放大器的开环增益为AG 一般为10^6~10^4之间，用此增益和泄露电阻Rl的乘积

Vm = Vs * (AGRL/(Rs+AG))  实际计算后发现电压测量误差下降了到了0.001%。不采用保护电阻则在9%左右，

运放参数的详细解释和分析-part15,开环增益Aol - 百度文库 (baidu.com) 开环增益理解

3.5 分流电容负载

  电压测量的建立时间取决于源端等效电阻和等效电容组成的RC，当源端电阻非常大，即使很小的等效电容也会影响电压的建立时间，如源端为20G  线缆分流电容为100pF  ，则产生的RC时间为2s,要想测量结果和最总值不超过1％，建立时间就需要10S的时间。可知道泄露电容对高输入阻抗的电压表影响还是很大的。

计算方式：  AG = 10^4~10^6之间，  Vm = Vs(1-e^-t AG/RsC1)   带保护

                    AG = 10^4~10^6之间，  Vm = Vs(1-e^-t RsC1)   不带保护

Qin = Vs（C1/AG）

可见当增加保护措施后，AG/RCC1让建立时间成几何数减少

3.6 绝缘电阻

       静电计和一些SMU与电压表一般都具有高输入阻抗的特性。在静电计测量中，高绝缘电阻是测量的必须条件，如果绝缘电阻过低，泄露电阻带来的影响将会非常大，所以一般测量高阻源的电阻，对测试线，测试夹具，引线等泄露电阻要比被测电路的戴维宁等效电阻高出几个数量级。

      为了保证绝缘电阻在合理范围内需定期使用静电计对电阻进行测量

如何选取？选取绝缘带电阻高的标准

体电阻率    表面电阻率   水吸收   压电效应  摩擦电效应  介电吸收   

对各种绝缘材料的此处不做详细分析