AutoSAR系列讲解（入门篇）4.4-BSW的Memory功能

BSW的Memory功能

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一、架构与术语解释

总所周知，用户能用的ROM存储方式现在一般有两种：EEPROM和FLASH仿EEPROM；而存储可以是片内的，也可以是片外的。
因此，一般就有2*2=4种ROM存储方式：

1. 主芯片片内FLASH仿EEPROM
2. 主芯片片内EEPROM（前提是该芯片内有的话，很多低端一点的芯片都不带片内EEP）
3. 板载片外FLASH仿EEPROM
4. 板载片外EEPROM

注：EEPROM 和 FLASH 都是ROM一种，相同大小容量下Flash相对便宜一些，但是只能按块擦写，不能按位擦写。想要让Flash做到按位擦写，就需要先将Flash原来的数据备份一份，再修改其中想要修改的位，再按块擦除，最后将改写好的数据再烧录回原块中。这个过程需要软件的处理，所以称为FLASH仿EEPROM
特别注意： 图中的模块，大家一定要对照下面的解释仔细理解以下，弄清楚到底是怎么一回事，千万不能再这里走马观花或者昏昏欲睡。即使看不太懂，也一定要坚持自己看完，等以后慢慢就会理解了。因为不需要真的去弄懂其代码是怎么