TCAD 半导体器件建模仿真分析与应用

Sentaurus TCAD 是用于模拟半导体器件和工艺的工具之一，可以帮助工程师设计电路元件，优化半导体工艺和器件性能。主要功能包括：半导体器件建模（用于建立各种半导体器件的物理模型工艺模拟）、半导体器件的制造工艺模拟（以了解工艺参数如何影响器件性能）、电子结构计算、 电热仿真、光学模拟、耦合分析等。

(一) 软件操作系统教学：

TCAD软件入门
TCAD 软件基本操作：

软件的安装与配置

半导体器件建模概述

基于 SDE 的结构建模原理

高效的网格划分

结构建模
二维 MOSFET 的建模与 SWB 基本原理及操作：

SDE 图形化命令，Scheme 语法，结构搭建，布尔运算等

掺杂，接触定义以及网格划分

工程化计算——在 SWB 中操作 SDE 工具

SWB 输出文件类别和常见问题

数值求解
半导体器件数值求解：

器件仿真中的物理模型（简述）

MOSFET 静态特性求解/瞬态特性求解

隧穿模型以及 NLM 计算隧穿电流

碰撞电离与击穿特性仿真

基于 spice 模型的简单电路仿真

SVISUAL 对数据的处理：

数据的可视化与导出

阈值电压，SS，开关比等参数的提取

电场、电势等其他量的可视化及参数提取

材料设置：

模型参数修改与新材料建模

二维材料,如 MoS2 等新型材料

网格设置：

精确仿真电磁场所需的网格划分标准

网格的优化

Math 设置以及求解过程优化

工艺仿真
工艺仿真原理

工艺仿真基础操作

工艺仿真中的网格设置

版图绘制基础

Sprocess 结构生成（沉积、刻蚀等）

(二) 案列应用实操教学：
案例一 PN 结的数值计算

案例二传统硅基 MOSFET 的建模和求解

案例三 MoS2 FET 建模和求解

案例四 Ga2O3 FET 建模和求解

案例五 隧穿晶体管的建模

案例六 利用课程案例实现反相器，环振的搭建与构造

案例七 基础的工艺仿真步骤操作