模拟电子技术基础——基本放大电路（2/9）

目录

第二章 基本放大电路

2.3 分析方法

2.3.1 直流通路与交流通路

一、直流通路

二、交流通路

2.3.2 图解法（非线性）

2.3.3 等效电路法

一、直流通路

二、交流通路

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第二章 基本放大电路

【12】放大电路的分析方法

2.3 分析方法

 ▲uD引起▲iD变化

2.3.1 直流通路与交流通路

一、直流通路

Ui=0，交流置零，电容断路，电感短路

信号源给了内阻，信号源置0（电压源置零算短路，电流源置零算开路）

这里为什么不行？

解释：基极电位为0，接地，直接短路了，产生大电流

二、交流通路

1.直流源置0（视作短路）

2.电容→短路（高频，容抗非常小）

2.3.2 图解法（非线性）

只是人为的把交流和直流隔开便于分析，实际上是作用在直流上所以发射结不会截止

 

%交流分析时Vcc置地，那么Rc自然被拉下来与下地线相接，故Uo在Rc两端

%因为老师现在就是在分析三极管为什么不是线性元件，从而解释为什么不可以用线性的方法分析电路

纯交流（直流是相当于把原点抬到这里才视为直流源置零）：

%说白了这里Rbe就是静态工作点那里的斜率，这时将直流忽略让输入信号在那附近工作

%原来受控源就是受ib控制，能自动调节的电流源

 

 

 三极管的等效

 

 总结：

1.通过直流（此时直流电压源未置零）确定静态工作点Q

2.通过所确定的Q点，计算斜率（即rbe）

相当于移动了坐标原点，这也是为什么在分析交流通路的时候，直流源需要置零。但是这种置零并不是说交流信号单独作用，而是交流信号骑在直流信号上。而且交流信号单独作用在上面是不现实的！

2.3.3 等效电路法

一、直流通路

1.Q点

2.rbe

rbb'是基区体电阻

%Re用二极管微变等效可以算出来是Re=Ut/Ieq，Ieq是因为流经发射结的电流是Ie而不是Ib

%rbe不是be间的电阻，而是输入回路be间电阻，在小信号等效模型有体现

%上面用到公式Rd=UT/Id 顺带Rb'e是发射结电阻

Rbe=（Ube/Ib）=（Ubb'+Ub'e）/Ib=Rb'b+(Ie*Rb'e)/Ib=Rbb'+(Ic/Ib+Ib/Ib)*Rb'e

二、交流通路

1.作图

2.三极管等效

 举例：

（1）直流

%应该是KCL吧，IBQ+IC=IEQ，把IC=betaIB代入进去就得出IEQ=（1+beta）IBQ

rbe ＝ Ube / Ib 

%uces是集电结和发射结之间的饱和电压

 

（2）交流

（3）微变等效电路

IB表示纯直流电流  iB表示瞬时值，既有直流又有交流 

 ib表示纯交流电流  Ib表示交流电流的相量（直流无相量）

【13】H参数等效模型

戴维南等效电路的相关知识：

1.求开路电压

端口断路，用相应的回路分析法、网孔电流法、节点电压法去分析

2.求等效电阻

①如果没有受控源，电压源看成短路，电流源看成断路，直接看等效电阻即可

②如果有受控源，伏安法，电压源看成短路，电流源看成断路，但是受控源不动，用上述三种方法去求解

 

uBE=f(iB,uCE)

%因为Uce的作用是把从发射区漂移到基区的电子再拉到集电区

当Uce足够大到把所有的电子都“拉”过去后，再增大也没有电子可以拉了

%当uce大于1v时，集电极的吸引电子能力已经非常大，把大部分发射极的电子吸引到了集电极，之后uce电压再升高，吸引的电子数几乎不变，所以曲线几乎没有变化

Ic=f(iB,uCE)

%在放大区，只和Ib有关，在饱和区，和Ib、Uce有关

%书上说还是抽取电子的能力，Uce越大抽取电子能力越强。

 

H参数等效模型

 H参数等效模型

%但是，当Uce增大到一定程度，即Uce>1v时，曲线不再右移而基本重合，是因为电场已经足够大，能将从发射区注入基区的绝大部分的非平衡少子收集到收集区。此时Uce再增大，也不会对ib产生明显的影响.

%就表示ce之间的漏电流，就穿透电流很小
%这里解释了前面提出的问题：为何电流源输出时要用大电阻

 

感觉是自由电子浓度高，易流通所以电阻小。就像金属一般电阻都比其他物质来的电阻低

因为是共射极，e连着输入和输出端口，所以端口电流是ib