光刻机原理解析——光刻机到底在“刻”什么？

最新推荐文章于 2024-05-02 08:00:00 发布
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中国光刻机行业供需前景与十四五发展态势研究报告2022版 HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS-- 【修订日期】：2021年11月 【搜索鸿晟信合研究院查看官网更多内容！】 第一章　光刻机行业相关概述 1.1　光刻机的基本介绍 1.1.1　概念界定 1.1.2　构成结构 1.1.3　工作原理 1.1.4　工艺步骤 1.1.5　基本特点 1.2　光刻机的性能指标 1.2.1　分辨率 1.2.2　物镜镜头 1.2.3　光源波长 1....
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集成电路产业被誉为现代“工业粮食”，引领未来科学技术产业革命的发展，带动世界前沿技术创新发展。集成电路产业是社会发展的先导产业，主要包括半导体材料、装备、芯片制造、封装测试、电路设计等重要环节。随着工业智能制造和电子信息技术的快速发展，集成电路特别是集成电路制造的重要性不断增强。集成电路制造的特点之一是学科交叉，它是电子科学、计算机科学、通信技术、机械制造等多学科交叉的集合。而光刻机就是学科交叉特征的典型代表。集成电路产业主要包含半导体材料、设备、芯片制造、封装测试、电路设计等重要流程。
光刻机技术
yaomengzao的博客
04-16 3820
人类科技发展的顶级水平是航空发动机和光刻机。 光刻机被誉为现在光学“工业之花”，是制造半导体芯片必不可少的超高精密设备。现在世界上能制造高端光刻机的企业只有三家，日本的佳能和尼康以及荷兰的ASML，ASML技术最为先进占据高端市场份额的80%，前段时间ASML总裁公开说把7nm光刻机卖给中芯国际，是因为制造光刻机是一项系统工程不怕中国复制。而我们真的像他说的那样无法制造自己的光刻机吗？ 首先A...
详解光刻机结构及工作原理
阿拉伯梳子的专栏
12-17 7154
由于SiCl4等硅源的氢还原及SiH4的热分解反应的△H为正值，即提高温度有利于硅的淀积，因此反应器需要加热，加热方式主要有高频感应加热和红外辐射加热。SiHCl3和SiCl4常温下是液体，外延生长温度高，但生长速度快，易提纯，使用安全，所以它们是较通用的硅源。1、反应气体从钟罩顶部气体入口处进入反应室，从排成一圈的六个石英喷嘴喷出，经石英挡板阻挡，沿基座与钟罩之间向下，在高温下反应而在硅片表面沉积生长，反应尾气在下部排出。气相外延不需要掺杂。基座是导体，处于涡旋磁场中，产生感生电流，电流加热基座。
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深入解析ASML光刻机原理及芯片生产工艺
标题和描述中涉及的知识点较为详细，涵盖了光刻机厂商ASML的内部培训资料，其中包含芯片的制造流程和光刻机的工作原理。接下来，我将对这些知识点进行详细介绍。 首先，芯片的制作流程可以分为以下几个阶段： 1. ...
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步进扫描光刻系统是一种混合设各，融合了扫描投影光刻机和分步重复光刻机技术，是通过使用缩小透镜扫描一个大曝光场图像到晶片上一部分实现的。这种技术在一定程度上缓解了器件特征尺寸减小而半导体晶圆物理尺寸增加的问题。一束聚焦的狭长光带同时扫过掩模版和晶片。这种光刻机的标准曝光尺寸为26 mm×33 mm。一旦扫描和图形转移过程结束，晶片就会步进到下一个曝光区域重复这个过程。使用步进扫描光刻机的优点为： 　　（1）增大了曝光场，可以获得较大的芯片尺寸； 　　（2）可以在投影掩模版上放多个图形，因而一次曝光可以曝光多个芯片； 　　（3）具有整个扫描过程调节聚焦的能力，使透镜缺陷和晶片平整度变化能够得
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中科院光电所研发出365纳米波长，曝光分辨率达到22纳米的光刻机，是近紫外的光线，离极紫外还有一点差距。光刻机的波 长决定了芯片工艺的大小，波长越短，造价越高。像ASML最先进的EUV极紫外光刻机，波长只有13.5纳米，可以生产10nm、7nm 的芯片。 光刻机的分辨率(Resolution)表示光刻机能清晰投影最小图像的能力，是光刻机最重要的技术指标之一，决定了光刻机能够被 应用于的工艺...
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光刻原理--光的衍射
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一文解析刻蚀机和光刻机的原理及区别
诸葛建站
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本文转载自微信公众号 - 半导体行业观察 , https://mp.weixin.qq.com/s/Rb-FWbFocAZmdUDokSz4dg
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