IGBT是绝缘栅双极晶体管的英文简称,是一种半导体开关器件。它通常具有三个端子:集电极、发射极和栅极。集电极和发射极都带有金属层,而栅极上的金属材料包含二氧化硅层。IGBT实际上是一个由四层半导体构成的器件,其中包括PNP和NPN晶体管的排列。IGBT模块由IGBT芯片、反并联二极管、驱动电路等组成。IGBT模块内部结构主要由散热基板、DBC基板、IGBT芯片、二极管芯片和键合线组成。
IGBT模块的内部结构通常包括以下几个部分:
1.散热基板:位于底部,主要用于有效传导IGBT开关产生的热量。
2.DBC基板:全称直接铜覆盖基板,由三层组成。中间是陶瓷绝缘层,上下覆盖着铜层。简而言之,它是一个绝缘材料,在两侧贴上一层铜,并在正面刻蚀出导电图案,背面与散热基板直接连接,因此无需刻蚀。
3.IGBT芯片:作为模块的核心部分。
4.二极管芯片:电流方向与IGBT相反,用于反并联。
5.键合线:常用于连接IGBT芯片、二极管芯片和DBC基板上的铜层。通常有两种常用键合线材料,铝线和铜线。
igbt模块制作工艺介绍
1.晶圆生产:包括硅提纂和纯化、单晶硅生长以及晶圆制造等步骤。目前国际主流采用8英寸晶圆,部分厂家逐渐引入12英寸产线。较大的晶圆尺寸能够提高良品率,降低单个器件的成本,增强市场竞争力。
2.芯片设计:IGBT的关键前期流程,当前商业产品主要基于Trench-FS设计。不同厂家的IGBT芯片具有不同特点,性能上存在一定差异。
3.芯片制造:芯片制造高度依赖产线设备和工艺。全球只有少数几家公司能够制造顶级光刻机,将先进的芯片设计实现到工