认识电容

什么是电容：

电容顾名思义就是一个用来储存电能的容器，其本质就是两个极板和绝缘截止组成的，两根导线及两个器件之间就可以形成电容，人和大地之间也会存在电容，人和大地相当于两个极板，空气相当于绝缘介质。

常见的几种异常电容：

寄生电容：寄生电容就是寄生于其他器件之上的电容，也可以说是伴随着其他事物存在的电容，由于生产工艺和技术水平限值，我们在生产一些器件时无法做到理想状态，例如生产的二极管，常常伴随着寄生电容的存在。

分布电容：分布电容是指我们在电路布线 的时候，两个器件之间以及平行的两条输电线路之间产生的电容。

杂散电容：又称为感应电容，是指两个器件或导通相互感应产品的电容。

后面两种通常情况下我们也称为寄生电容，其电容值一般很小，我们都知道电容通交流的截止频率f=1/2πRC，因此在低频情况下我们可以忽略寄生电容的存在，但是在特高频、超高频等情况下我们就需要重视。

电容的充放电：

我们先来回顾下电容的充放电时间计算公式，假设有电源Vu通过电阻R给电容C充电，V0为电容上的初始电压值，Vu为电容充满电后的电压值，Vt为任意时刻t时电容上的电压值，那么便可以得到如下的计算公式：        

 Vt = V0 + (Vu – V0) * [1 – exp( -t/RC)] 

如果电容上的初始电压为0，则公式可以简化为：       

 Vt = Vu * [1 – exp( -t/RC)]  （充电公式）
  
由上述公式可知，因为指数值只可能无限接近于0，但永远不会等于0，所以电容电量要完全充满，需要无穷大的时间。     当t = RC时，Vt = 0.63Vu； 
  
    当t = 2RC时，Vt = 0.86Vu；  

    当t = 3RC时，Vt = 0.95Vu；   

    当t = 4RC时，Vt = 0.98Vu； 
    当t = 5RC时，Vt = 0.99Vu； 
     可见，经过3~5个RC后，充电过程基本结束。  

    当电容充满电后，将电源Vu短路，电容C会通过R放电，则任意时刻t，电容上的电压为： 
            Vt = Vu * exp( -t/RC)       （放电公式）

对于电路时间常数τ=RC的计算，可以归纳为以下几点：   
       1).如果RC电路中的电源是电压源形式，先把电源“短路”而保留其串联内阻； 
       2).把去掉电源后的电路简化成一个等效电阻R和等效电容C串联的RC放电回路，等效电阻R和等效电容C的乘积就是电路的时间常数； 
       3).如果电路使用的是电流源形式，应把电流源开路而保留它的并联内阻，再按简化电路的方法求出时间常数；   
       4).计算时间常数应注意各个参数的单位，当电阻的单位是“欧姆”，电容的单位是“法拉”时，乘得的时间常数单位才是“秒”。  
   对于在高频工作下的RC电路，由于寄生参数的影响，很难根据电路中各元器件的标称值来计算出时间常数RC，这时，我们可以根据电容的充放电特性来通过曲线方法计算，前面已经介绍过了，电容充电时，经过一个时间常数RC时，电容上的电压等于充电电源电压的0.63倍，放电时，经过一个时间常数RC时，电容上的电压下降到电源电压的0.37倍。 

 

1、开关电源浪涌电流产生原因：

开关电源的输入电路大都采用电容滤波型整流电路，在进线电源合闸瞬间，由于电容器上的初始电压为零，电容器充电瞬间,电容相当于短路，会形成很大的浪涌电流，特别是大功率开关电源，采用容量较大的滤波电容器，使浪涌电流达100A以上。

2、上电复位电路

上电瞬间，电容相当于短路，RST被置为高电平，当电容充电完成时，电容不在充电，电容相当于开路，RST置为低电平。

电容的漏电流：

在加直流电压时，理想电容是没有电流产生的，但电容介质的绝缘性能并不会很理想，所以会有一定的漏电流产生。在电容处于交流状态时，这时漏电流反映出的是元件的电阻特性，此电阻是与电容并联的。电容的大小与电容极板的面积成正比，所以电容大，漏电流相对也要大，漏电流会造成器件发热损坏减少使用寿命，所以在器件选型时应注意，且应用中需尽量避免漏电流的存在。

电容的作用：

1、隔直流，通交流。

电容对直流电有隔直作用，是指在直流电流对电容充电完成以后，电路中没有电流流动了。在直流电源刚加到电容上时，电路中是有电流流动的，这一电流是对电容的充电电流。这一电流流动的过程很快就会结束，具体时间长短与电路中电阻和电容的大小有关，两者大小乘积越大充电时间就越长，反之越短。充电完成后，电容两端的电压等于直流电源电压的大小。

在交流电的一个周期内，由于对电容的正反向充电，流过电路中的电流方向是改变的，但由于对电容的反复充放电，就会使电路中始终有电流通过，等效于电容能够让交流电通过，这就是电容的通交特性。

注意：

电容两个极板之间是绝缘的但又靠的很近，所以是不会通过自由电荷的。

我们所说的”通交流”，其实是靠电容两端的不断充电和放电过程形成的。

1）旁路

旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。

2）去耦

去耦，又称解耦。从电路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候， 电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。

去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰，在电路中进一步减小电源与参考地之间的高频干扰阻抗。

将旁路电容和去耦电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。

3）滤波

从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。电容越大高频越容易通过。具体用在滤波中，大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。

4）储能

储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式， 对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。