微电子领域材料生长方法(一)磁控溅射
磁控溅射简介
磁控溅射是物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料,且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。上世纪 70 年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射,必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场,利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。
磁控溅射的基本原理
待溅射腔室抽至高真空环境后(氧气排净),向腔室内通入高纯度的惰性气体 Ar。在设备构造上,将靶材置于阴极、衬底置于阳极,在两极之间施加一个上千伏的直流电压。溅射腔室内自然存在的游离电子在电场的作用下,加速向阳极运动,在运动过程中,游离电子与中性气体氩气发生碰撞,使得氩原子发生电离,产生两种新的粒子:氩正离子和电子。氩正离子在电场的作用下,加速向阴极运动,随着速度的增大,动能不断增大,终以高能量轰击靶材表面。当靶材表面的 原子获得足够的动能之后,就会从靶面逸出,溅射原子在经历一个漫长的行程之 后,最终沉积到衬底上,形成薄膜。直流磁控溅射镀膜的原理如图所示: