atmel的9G45研发前期

1、了解芯片内部结构,貌似EBI0和EBI1只能采用32位的SDRAM或则16位的DDR系列内存,我感觉有些疑惑,在EBI1上面,DDR的电压是1.8V,CPU倒是可以支持的,但是norflash和nandflash 是3.3V电平的,这个会有影响吗??我的神啊!为什么大家都是直接连在一起呢?貌似很多都没想过呢,我想,假设用CPLD或则FPGA去转换电平的话,那么需要很多管脚不说,门电路延时影响DDR速度,内心比较纠结!继续研究

 

 

纠结未果,还是全部用1.8V 的控制器电平,9G45 其实只是有16为的控制器,其他的高16位为IO口扩展的,无论是控制器,还是电平上,都不支持32位,atmel 在2010年前的奋力之作9G45  给我留下了很多遗憾,期待ARM11和A8在atmel 公司出现。

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文章标签: 扩展 2010 io
个人分类: atmel 系列
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