主存储器
只读存储器ROM
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/f36a8f18eb3ae21729324c97fadd948d.png)
掩膜ROM(MROM)
PROM(一次性编程) 熔丝的断与未断表示信息 破坏性的编程,无法修改
EPROM(多次性编程) 紫外线全部清洗 信息的擦除比较麻烦
EEPROM(多次性编程)电可擦写 局部擦写 全部擦写
Flash Memory(闪速性存储器) 就是闪存
CPU和存储器的连接
存储器容量的扩展
位扩展(增加存储字长)
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字扩展(增加存储字的数量 )
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/2b81764d0c1f1dd816958c8266a7f3b1.png)
字,位同时扩展
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/cfd497f0cf2a4a3c494ef4997803b2dc.png)
存储器和CPU的连接
基本方法
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存储器的校验
合法代码集合
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![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/676aa6a78090c70e4d0b9bfe73860498.png)
汉明码
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/0400d51fa338a87d111c84f5470fb08c.png)
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/0de44acf61347dedbfd9aa7a35f73c20.png)
k是校验位,n是原始数据的位数。所以k+n就是原始数据加上检验数的位数。所以k位检验数可以得到2k-1个错误位。为了校验k+n位,所以有 2k-1≥n+k.
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![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/4af1c43a7895cc4c2b88a6b39ebd2ef0.png)
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/9cb974081b57b2ec0b1f91141b3fd9df.png)
例题:
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/7990109b03780105d346a71ed1fc2911.png)
纠错:
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/77530d96a7df1937d3957428ec57b050.png)
提高访问速度的措施
单体多字系统
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改进:多体并行
地址的前两位是给存储体编址
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/6519945513c2b8b846b8bda203abe913.png)
提供了并行工作的基础
容易造成一个存储体忙碌,其他存储体空闲的情况
改进:低位交叉 各个体轮流编址
后两位给出存储体的地址
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/80c27928b67880930778c99016c2cf55.png)
在不改变存取周期的前提下,增加存储器的带宽
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/0125258c07216f318c0d58d6f18f404e.png)
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