寄存器与存储器物理区别

从根本上讲，寄存器与存储器RAM的元件不一样？？？？

memory is equivalent to a lot of registers.

寄存器存在于CPU中，速度很快，但是所占面积大，数目有限；
存储器就是内存，速度稍慢，所占面积小，但数量很大；
计算机做运算时，必须将数据读入寄存器才能运算。

 

Mike Ash写了一篇很好的解释，非常通俗地回答了这个问题，有助于加深对硬件的理解。下面就是我的简单翻译。

原因一：距离不同

距离不是主要因素，但是最好懂，所以放在最前面说。内存离CPU比较远，所以要耗费更长的时间读取。

以3GHz的CPU为例，电流每秒钟可以振荡30亿次，每次耗时大约为0.33纳秒。光在1纳秒的时间内，可以前进30厘米。也就是说，在CPU的一个时钟周期内，光可以前进10厘米。因此，如果内存距离CPU超过5厘米，就不可能在一个时钟周期内完成数据的读取，这还没有考虑硬件的限制和电流实际上达不到光速。相比之下，寄存器在CPU内部，当然读起来会快一点。

距离对于桌面电脑影响很大，对于手机影响就要小得多。手机CPU的时钟频率比较慢（iPhone 5s为1.3GHz），而且手机的内存紧挨着CPU。

原因二：硬件设计不同

苹果公司新推出的iPhone 5s，CPU是A7，寄存器有6000多位（31个64位寄存器，加上32个128位寄存器）。而iPhone 5s的内存是1GB，约为80亿位（bit）。这意味着，高性能、高成本、高耗电的设计可以用在寄存器上，反正只有6000多位，而不能用在内存上。因为每个位的成本和能耗只要增加一点点，就会被放大80亿倍。

事实上确实如此，内存的设计相对简单，每个位就是一个电容和一个晶体管，而寄存器的设计则完全不同，多出好几个电子元件。并且通电以后，寄存器的晶体管一直有电，而内存的晶体管只有用到的才有电，没用到的就没电，这样有利于省电。这些设计上的因素，决定了寄存器比内存读取速度更快。

原因三：工作方式不同

寄存器的工作方式很简单，只有两步：（1）找到相关的位，（2）读取这些位。

内存的工作方式就要复杂得多

 

寄存器（以RS锁存器例）

flip-flop 触发器

latch 锁存器

一般寄存器是指由基本的RS触发器结构衍生出来的D触发，就是一些与非门构成的结构，这个在数电里面大家都看过；

 

 

 

单个触发器定义：https://baike.baidu.com/item/触发器/193146

触发器的电路图由逻辑门组合而成，其结构均由R-S锁存器派生。触发器可以处理输入、输出信号和时钟频率之间的相互影响。

在R-S锁存器的前面加一个由两个与门和一个非门构成的附加电路，则构成D触发器。

当时钟脉冲CP为1时，读入输入端D的数据并传至输出端；当CP为0时，根据与门“只要有一个输入端为0

则输出为0”的特性，输入端D的数据被与门屏蔽了，无法到达输出端，不管输入D怎样变化，Q端输出值都保持不变，只有等到下一个CP高电平到来时，才会把当前的D值送出。这样就实现了延迟输出即暂时保存的功能。从电路的动作可以看出，时钟输入端起到控制的作用，CP为1时，能触发后面的锁存器把D的值暂时锁存起来，这也正是触发器名词中“触发”的含义，这正是触发器与锁存器的联系与区别：触发器利用了锁存器的保存原理，但是加上了触发功能，可以控制保存的时间。

RS锁存器电路：

 

基础知识反相器

反相器inverter：

当输入Vin=0 V时，晶体管截止，集电极开路，Vout=5 V；

当输入Vin=5 V时，晶体管饱和，饱和导通，Vout=0 V；

触发器的基本物理组成：电阻、电容、二极管、三极管

下图是由4个三极管组成的4位寄存器，它的原理是：用晶体管导通状态（0011）或集电极电压（1100）记录输入电压（0011），这个寄存器能寄存15种状态（0000~1111）.

 

存储器

不同的存储位置，程序指令执行周期不同。

硬件寄存器和程序寄存器（4.2.5节）

数电第七章：半导体存储器

ROM和PROM：例由二极管、MOS管构成。非易失性存储，存储于ROM中的程序称固件firmware。

例：由二极管组成的8个存储单元（每个单元4bit）的ROM。

图1：8个地址address对应的存储内容word

图2：用二极管实现图1逻辑。8条地址线，4条数据线。

图3：8个地址用3个二进制位编码，实现整个电路都用二进制表示，programmable ROM

 

EPROM，erasable，紫外线擦写，由MOSFET管构成？

EPROM，electrically erasable，电擦除

下图的ROM还加入了EN使能，除了地址和数据，还有第三种控制。

RAM则有自己的工艺。

静态statistic SRAM：靠VDD供电，不动。图a，Q1Q2控制，Q3Q4寄存，形成一个latch。

动态dynamic DRAM。靠电容供电，电容会放电，需反复快速充电，动态。

下图分别是静态和动态，但是功能一样，锁存1bit？？？

DRAM比SRAM电路简单，占用面积少，但是DRAM刷新电容电路复杂，从控制电路看，SRAM简单。

“SRAM的每个位存储在一个双稳态存储器单元里，每个单元由6个MOS管实现”

“DRAM每个位由一个充电电容和一个访问晶体管组成”

 

 

单片机的寄存器：“每个寄存器有分配的唯一地址”

为什么寄存器也有地址？寄存器也属于内存？x86中的寄存器有地址吗？

 

 

这个图？？？物理部分需要分隔开？？

DOS内存管理：为物理内存分配地址？？

 

“主存是x86CPU外的存储区域，堆栈是在主存中开辟的一片数据存储区”

x86芯片的寄存器都有自己的名字（有相应的机器代码约定，寄存器标识符），所以不需要地址？？？

程序寄存器：

芯片的寿命一般是多长 ？

http://3g.163.com/dy/article/DHRHTT420511UFN2.html

如果说是SSD上用的闪存芯片，那就有相对有限的寿命了，闪存芯片主要分为SLC、MLC和TLC三种，SLC寿命最长，速度最快，但是成本最高，TLC则相反。闪存的寿命磨损就在于闪存单元的写入-擦除，一般来说，SLC闪存可进行100000次写入-擦除循环，MLC可进行10000次左右。不要觉得可怕，得益于越来越先进的主控芯片，日常使用下正常的闪存芯片没那么容易用坏，即使是TLC闪存，寿命达到8年以上也没有问题，使用几年后一般都会掉速，不过实际影响并不大。其实相比闪存芯片，SSD上的主控反而更有可能先坏掉。所以我们不用太在意闪存芯片的寿命，一般在你换下一个SSD或者手机时，它就直接淘汰掉了。不过对于7*24小时工作的服务器来说，非常不建议用SSD，因为在这种高强度工作环境下的闪存芯片寿命会大打折扣，即使是机械硬盘，用个两三年挂掉的几率也很高。

至于电脑上的内存芯片（RAM），由于其电容存储机制，只要是正常没有缺陷的芯片，寿命非常长，要不然绝大多数内存条都是终身保，只要不是不当超频，静电损坏，人为破坏，正常的内存寿命几乎不用担心。

 

可编程逻辑技术（FPGA/CPLD）在存储中的应用

 

存储器

T：transistor晶体管 C：Capacitance电容

DRAM：dynamic random access memory动态存储器。一个电容；一个晶体管。存储原理：动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息，但由于栅极电容的容量很小，而漏电流又不可能绝对等于0，所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失，必须定时地给电容补充漏掉的电荷。通常把这种操作称为“刷新”或“再生”，该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2ms），因此DRAM内部要有外围刷新控制电路，其操作也比SRAM复杂。尽管如此，由于DRAM存储单元的结构能做得非常简单，所用元件少，功耗低，已成为大容量RAM的主流产品。

SRAM：static静态存储器。存储原理：由触发器存储数据。有锁存器。单元结构：六管NMOS或OS构成。速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低；常用作Cache。●缺点：元件数多、集成度低、运行功耗大。●常用的SRAM集成芯片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)

ROM：

掩膜ROM：数据通过掩膜方式写入。掩膜：烧断每个单元内与外部相连的熔丝。

EEPROM：数据通过紫外线照射或注入隧穿电流方式写入。

 

 

参考文献：

1、数字电子技术基础

2、《深入理解计算机系统》第三版，第六章

3、《DOS原理与结构》

4、《[80X86汇编语言程序设计].王元珍.文字版》

5、《Dsp-Digital-Signal-Processing-With-Fpga》

6、《CMOS数字集成电路：分析与设计  第3版》第十章 半导体存储

7、《Digital Computer Electronics-McGraw-Hill (1993)》第九章 memories