模拟电子之二极管

模拟电子之二极管

PN 结简述

两种半导体：N型半导体、P型半导体。
在硅的晶体内掺入少量的三价杂质，如硼等。因为硼有三个价电子，在与硅形成共价键时便缺少一个电子，则在晶体中则产生一个空位，而相邻的共价键的电子可能由于一些激发条件获得能量填补这个空位，则硼原子则成了不能移动的负离子，而原来的硅原子共价键则少了一个电子形成空穴。

在P型半导体中空穴数目远大于自由电子数目，在这种半导体中以空穴导电为主，因而空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。
与P型半导体形似在硅的晶体中加入少量的五价磷，则多数载流子则会变成电子，少数载流子则是空穴。
我们在半导体的两个不同的区域分别掺入三价与五价的杂质元素，便形成P型区与N型区， N型区的电子浓度高，而P型区的空穴浓度高，此时会有一个运动：扩散运动；由于扩散运动P区失去空穴留下带负电的的杂质离子，而N区则失去电子留下了带正电的杂质离子，这些不能移动的带电离子在P区与N区的交界面形成很薄的空间电荷区，即所谓的PN结。在这个区域多数载流子已经扩散到对方并被复合掉了，因而又被成为耗尽区。空间电荷区形成的电场称为内电场，内电场的方向是阻止多数载流子扩散的方向。因为内电场的运动称为漂移运动。在PN结的空间电荷区内，电子从N区到P区必须经过一个能量高坡，称为势垒区。
当加正向电压时，扩散运动加强 ，此时的PN结表现为一个很小的电阻，此时也称PN结导通（此时漂移电流很小可忽略不计）。
外加反向电压，漂移运动增强，扩散运动减弱，此时PN结反置。扩散电流几乎为零，而漂移运动由于为少数载流子的运动，电流很小。对于特定的管子漂移运动产生的电流与温度相关，与外加电压几乎无关。

PN结的电容效应
势垒电容：PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度会发生变化，有电荷的积累与释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。
扩散电容：PN结外加的正向电压发生变化时，在扩散路径上的载流子的浓度与梯度均有变化，也有电荷的积累与释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。
结电容：Cj=Cb+Cd
结电容不是常量，若PN结外加电压的频率高到一定程度，则失去单项导电性。