模拟电路 第一章(二极管及其电路)【下】

三、二极管

1、半导体二极管的结构

(1)在PN结上加上引线和封装,就成为一个二极管

(2)二极管的结构示意图和电路符号:

2、二极管的伏安特性

(1)二极管的伏安特性曲线可表示为i_{D}=I_{S}(e^{v_{D}/V_{T}}-1),曲线如下图所示。

(2)在正向特性的起始部分,由于正向电压较小,外电场还不足以克服PN结的内电场,因而这时的正向电流几乎为零,二极管呈现出一个大电阻,好像有一个门坎;硅管的门坎电压V_{th}(又称死区电压)约为0.5V,锗管的门坎电压约为0.1V。当正向电压大于V_{th}时,内电唱大为削弱,电流因而迅速增长,二极管正向导通;硅管的导通压降V_{D}约为0.7V,锗管的导通压降约为0.2V

3、二极管的主要参数

(1)最大整流电流I_{F}:管子长期运行时允许通过的最大正向平均电流。

(2)反向击穿电压V_{BR}:管子反向击穿时的电压值。

(3)最大反向工作电压V_{RM}:管子长期运行时允许施加的最大反向偏压。

(4)反向电流I_{R}:管子未击穿的反向电流,其值越小,管子的单向导电性越好。

(5)除了以上四个参数,还有最高工作频率、极间电容等参数。

四、二极管的基本电路及其分析方法

1、简单二极管电路的图解分析方法

(1)二极管是一种非线性器件,因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法,数值计算相对来说比较复杂,而图解分析法则较简单,但前提条件是已知二极管的伏安特性曲线。

(2)举例:

2、二极管电路的简化模型分析方法

(1)二极管伏安特性的建模:

①理想模型:(图(a)中虚线为实际曲线,黑色实线为理想模型曲线,红线仅作提示,说明纵轴有一曲线与之重合)

②恒压降模型:(图(a)中虚线为实际曲线,黑色实线为恒压降模型曲线)

③折线模型:(图(a)中虚线为实际曲线,黑色实线为折线模型曲线)

(2)二极管的几种常用电路:

①整流电路:

[1]对下图所示电路图用理想模型分析,二极管D受正向压降时导通,受反向压降时截止。

[2]对下图所示电路图用理想模型分析,在交流电的前1/2周期中,电源电压瞬时值为正,此时D2和D4导通、D1和D3截止,在交流电的后1/2周期中,电源电压瞬时值为负,此时D2和D4截止、D1和D3导通,由此在整个交流电周期中电阻两端都有电压,且方向均为正。

②限幅电路:

③开关电路:如二极管与门、二极管或门等,具体可参考《数字电路》部分的介绍,这里不再赘述。

(3)判断二极管是否导通(以恒压降模型为例):

首先分析二极管开路时管子两端的电位差,判断二极管的两端受的是正向电压还是反向电压。若施加的是反向电压,二极管处于截止状态;若施加的是正向电压,但小于二极管的死区电压,那么二极管仍处于截止状态;若施加的是正向电压,且大于二极管的死区电压,那么二极管导通

在使用上述判断方法的过程中,若出现两个及以上的二极管承受大小不等的正向电压时,应判定承受正向电压较大者优先导通,其两端电压为正向导通电压,然后再用上述方法判断其它二极管的工作状态

(4)举例:电路如下图所示,求AO的电压值(采用理想模型)。

①先断开D,以O为基准电位,即O点为0V,则接D阳极的电位为-6V,接阴极的电位为-12V。(需要说明的是,这一步计算的电位值仅用于判断二极管是否正向导通,与实际的电位值可能并无关联)

②阳极电位高于阴极电位,D接入时正向导通。

③导通后,D的压降等于零,即A点的电位就是D阳极的电位,所以AO的电压值为-6V。

五、特殊二极管

1、齐纳二极管(稳压管)

(1)齐纳二极管又称稳压管,工作在反向击穿区

(2)齐纳二极管的符号及特性:

(3)稳压二极管主要参数:

①稳定电压V_{Z}:在规定的稳压管反向工作电流I_{Z}下所对应的反向工作电压。

②动态电阻r_{Z}r_{Z}=\Delta V_{Z}/\Delta I_{Z}

③最大稳定工作电流、最小稳定工作电流和最大耗散功率等。

(4)举例:

2、变容二极管

(1)结电容随反向电压的增加而减小,这种效应显著的二极管称为变容二极管。对于一般的半导体二极管,总希望尽量减小结电容;对于变容二极管,却是要利用结电容。

(2)变容二极管的符号及特性:

3、肖基特二极管

(1)肖特基二极管是利用金属(如金属铝、金、钼、镍和钛等)与N型半导体接触在交界面形成势垒的二极管,因此肖特基二极管也称为金属-半导体结二极管或表面势垒二极管。

(2)肖特基二极管的伏安特性和普通PN结非常类似,但与一般二极管相比,肖特基二极管有两个重要差别:

①由于制作原理不同,肖特基二极管是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子在PN结附近积累和消散的过程,所以电容效应非常小,工作速度非常快,特别适合于高频或开关状态应用。

②由于肖特基二极管的耗尽区只存在于N型半导体一侧(金属是良好导体,势垒区全部落在半导体一侧),相对较薄,故其正向导通门坎电压和正向压降都比PN 结二极管低(约低0.2 V)。

(3)肖基特二极管的符号及特性:

4、光电子器件

(1)光电二极管:

①光电二极管的结构与PN结二极管类似,但在它的PN结处,通过管壳上的一个玻璃窗口能接收外部的光照。这种器件的PN结在反向偏置状态下运行,它的反向电流随光照强度的增加而上升。

②光电二极管的符号、电路模型及特性:

(2)发光二极管:

        发光二极管通常用元素周期表中Ⅲ、V族元素的化合物,如砷化镓、磷化镓等制成,这种管子通过电流时将发出光来,这是电子与空穴直接复合而放出能量的结果。

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