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才思敏捷MJ
这个作者很懒,什么都没留下…
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“零”压降肖特基~理想二极管基础知识
在上图中,两种方式都可以明显的降低导通路径的压降,也可以实现反接的保护。理想二极管,顾名思义就是压降为零的二极管,但是智能存在于理想之中,目前常用的方案是用P-MOSFET或N-MOSFET加驱动的方式来实现超低压降的正向导通,那么为了方便驱动,PMOS往往放在正端,而NMOS往往放在负端,如下图所示。第三个问题是肖特基并联带来的失效风险,由于肖特基的压降是负温度特性,即温度越高压降越低,那么在并联场景中压降低的走电流大,带来的温升高导致压降越低,那么走电流越大,如此恶性循环会有肖特基失效风险。原创 2024-07-30 10:53:34 · 396 阅读 · 0 评论 -
双电源或多电源并联供电
在专业的术语中被叫做冗余电源,用传统的术语叫做双电源并联或者多电源并联,但是往往并联的电源输出电压并不一致,或者主电源使用的开关电源,而备份电源使用的超级电容或锂电池。那么这样就产生了并联后互相灌电流的情况,电压高的电源会有电流流入电压低的电源中,这并不是用户所希望的。传统的解决方案是通过肖特基进行输出端的并联使用,如下图所示,但是由于半导体工艺的限制,肖特基是有一定的压降的,而且随着电流的增加而变大,进而会导致功率损耗以及热处理的问题,严重的会产生失效问题。比如在服务器,在电表,在数据中心等场合。原创 2024-08-07 15:35:22 · 346 阅读 · 0 评论 -
高压电池包BMS的高边驱动方案
如上图所示,QC和QD分别是BMS在高侧应用的充电管和放电管,其驱动电压分别由两路来自于MX6501T的隔离电源产生。而充电管和放电管的驱动信号分别来自于AFE产生的充放电开关信号CHA-DRV和DIS-DRV,二者在经过光耦隔离后利用MX6501T产生的隔离电源进行充放电的开关动作。下面介绍基于无锡明芯微电子MX6501T的推挽隔离电源驱动方案,目前已应用于割草机、电动两轮车BMS、充电高边MOS控制,且各行业头部客户应用居多。3.3V转3.3V;3.3V转3.3V;原创 2024-07-23 15:51:35 · 412 阅读 · 0 评论