在很多重要的设备中,供电路径往往需要备份,避免系统产生宕机。比如在服务器,在电表,在数据中心等场合。
在专业的术语中被叫做冗余电源,用传统的术语叫做双电源并联或者多电源并联,但是往往并联的电源输出电压并不一致,或者主电源使用的开关电源,而备份电源使用的超级电容或锂电池。那么这样就产生了并联后互相灌电流的情况,电压高的电源会有电流流入电压低的电源中,这并不是用户所希望的。
传统的解决方案是通过肖特基进行输出端的并联使用,如下图所示,但是由于半导体工艺的限制,肖特基是有一定的压降的,而且随着电流的增加而变大,进而会导致功率损耗以及热处理的问题,严重的会产生失效问题。
为了解决肖特基的损耗和发热问题,无锡明芯微电子开发了多款理想二极管来取代传统的肖特基,用于对抗供电路径中的电流倒灌问题,集合了多种有点于一身:
1.正向压降低,在选择合适的 MOSFET后,正向压降可以低于30mV;
2.正向压降低带来的功耗大大降低,无需额外的散热处理,可以极大程度的缩小系统体积;
3.-20mV反向关断阈值,反灌电流时快速切断主回路。
如下图所示是基于无锡明芯微电子MX16171D100设计的冗余电源并联方案,通过选择合适的MOSFET和封装,系统能实现30A-50A的电流通过能力,且系统耐压高达100V,可以实现多种应用场景的需求。
当两路输入的电压变化时,比如供电1变高,那么供电2回路的GATE就会关断。反之,供电2电压变高,那么供电1回路的GATE就会关断。输出电压可以实现平滑的切换,具体可以参看下图中的GATE电压。