“零”压降肖特基~理想二极管基础知识

        在电源管理的功率路径中，经常会用到肖特基进行防止反接或者防止电流倒灌。但是由于肖特基的工艺特性决定的压降以及损耗较高，就会引起以下几个问题：

第一个是压降大，会引起实际工作电压的下降，尤其在单节锂电供电场景尤为明显；

第二个问题是损耗高带来的热处理问题，当电流较大时功率损耗导致的温升处理起来尤为困难；

第三个问题是肖特基并联带来的失效风险，由于肖特基的压降是负温度特性，即温度越高压降越低，那么在并联场景中压降低的走电流大，带来的温升高导致压降越低，那么走电流越大，如此恶性循环会有肖特基失效风险。

第四个问题是体积问题，由于以上的种种原因，肖特基要走大电流就得加散热，或者本身体积要变大，在某些特殊应用是不合适的。

        在如此多的痛点之上就诞生了两大类的替代产品，第一种是用于开关电源中的高频同步整流；第二种是用于直流电源路径中的理想二极管。在此我们简单梳理下理想二极管的基础知识。

        理想二极管，顾名思义就是压降为零的二极管，但是只能存在于理想之中，目前常用的方案是用P-MOSFET或N-MOSFET加驱动的方式来实现超低压降的正向导通，那么为了方便驱动，PMOS往往放在正端，而NMOS往往放在负端，如下图所示

       在上图中，两种方式都可以明显的降低导通路径的压降，也可以实现反接的保护。但是也有明显的缺点。PMOS方案其一是不