高压电池包BMS的高边驱动方案

在智能BMS应用中，客户往往面临比较多的痛点，其一是低边MOSFET作开关时会将GND分开，做不到连续性；其二是在使用高边MOSFET作开关时其驱动变得较为复杂。

传统的设计方案有以下几种：

1. 使用PMOSFET作为功率开关，优点是易于驱动，缺点是成本较高；
2. 使用专用的高边开关驱动，此种方式应用较为广泛，且比较成熟，但是限于半导体的工艺设计，在高压电池包中应用受限，且对静电和浪涌测试比较敏感；
3. 隔离驱动，优点是兼容高低压的电池包，并且高低压实现隔离，对EMC具有较好的防护作用。

    下面介绍基于无锡明芯微电子MX6501T的推挽隔离电源驱动方案，目前已应用于割草机、电动两轮车BMS、充电高边MOS控制，且各行业头部客户应用居多。

如上图所示，QC和QD分别是BMS在高侧应用的充电管和放电管，其驱动电压分别由两路来自于MX6501T的隔离电源产生。而充电管和放电管的驱动信号分别来自于AFE产生的充放电开关信号CHA-DRV和DIS-DRV，二者在经过光耦隔离后利用MX6501T产生的隔离电源进行充放电的开关动作。

MX6501T除了应用于BMS以外，还可以用于光伏逆变、隔离通信、电动工具、汽车电子等领域。

另外，若用户需要的MOSFET的驱动能力较小，且对驱动电压要求精度不高，可以采用无锡明芯微MX6501T+MXPP8-30-1103套片实现一拖二的12V转12V隔离驱动方案或者MX6501T+MXPP8-30-1250套片实现一拖二的5V转12V隔离驱动方案，原理图如下所示：

隔离推挽驱动

型号	耐压	内阻	频率	使能	状态	交期
MX6501T	36V	0.25Ω	400kHz	NO	量产	2-6周
MX6505T	36V	0.25Ω	400kHz/可调	YES	量产	2-6周

隔离推挽变压器

型号	匝比	需要LDO	使用范围	Vt值（V∙μs）	隔离电压	状态
MXPP6-3K6110	1:1.1	NO	3.3V转3.3V；5V转5V	10	3000V	量产
MXPP6-3K6113	1:1.3	YES	3.3V转3.3V；5V转5V	10	3000V	量产
MXPP6-3K6117	1:1.7	NO	3.3V转5V；5V转3.3V	10	3000V	量产
MXPP6-3K6120	1:2.0	YES	3.3V转5V；5V转3.3V	10	3000V	量产
MXPP8-30-1103	1:1.03	NO	12V转12V；9V转9V	30	3000V	量产
MXPP8-30-1250	1:2.5	NO	5V转12V；12V转5V	30	3000V	量产