DRAM内存原理（三）带宽问题

最新推荐文章于 2024-06-10 17:04:40 发布
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分类专栏： 内存技术 文章标签： DRAM
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本文通过PC100 SDRAM-222为例，探讨DRAM内存的延迟时间和带宽。解释了CAS延迟时间、RAS到CAS延迟及预转换时间等概念，并分析了数据从内存到缓存的传输过程。通过表格展示不同情况下的延迟时间，指出即使在理想情况下，真正的PC100 SDRAM的带宽也仅达到理论最大值的40%。
摘要由CSDN通过智能技术生成

 要理解延迟时间和带宽之间的联系，我们以PC100 SDRAM-222为例来说明。第一个2代表CAS延迟时间是2个时钟周期，第二个2表示RAS到CAS延迟时间，第三个2代表预转换时间。我们假设不同类型的延迟。在这个例子中我们假设发生了缓存页面失效，CPU等待调入新的需要的数据。也就是，我们要研究从读取内存到填充缓存的这一个过程。回写内存的过程很简单。写入的数据可以首先调入缓存待用。举例来说，KX-133芯片组具有4条从CPU到DRAM写缓存的数据通道。具有高速前端总线（

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DRAM内存原理（二）结构和功能
zhiwensun的专栏
12-08 1万+
内存最基本的单位是内存“细胞”——也就是我们前面展示给大家DRAM基本单元示意图所示的部分，下面我们对这个部分通称为DRAM基本单元。每个DRAM基本单元代表一个“位”——Bit（也就是一个比特），并且有一个由列地址和行地址定义的唯一地址。8个比特组成一个字节，它可代表256种组合（即2的八次幂），字节是内存中最小的可寻址单元。DRAM基本单元不能被单独寻址——否则现在的内存将会更加复杂，而且也没
镁光 DRAM HMC 规则 带宽160GB/s
09-29
Hybrid Memory Cube (HMC) is a single package containing four DRAM die and one logic die, all stacked together using through-silicon via (TSV) technology. Within each cube, memory is organized vertically— portions of each memory die are combined with the corresponding portions of the other memory die in the stack. Each grouping of memory partitions is combined with a corresponding section of the logic die, forming what is referred to as a vault. Specifications within this data sheet are compatible with the HMC Consortium Specification.
揭穿内存厂家“谎言”，实测内存带宽真实表现
zhangyanfei01的专栏
04-28 671
带宽是存储系统一个的一个非常重要的衡量指标，内存带宽指的是CPU从内存读取或写入数据到内存的速率。我们今天来思考一个问题，在你的应用程序里内存的访问带宽能够达到多少？ 各代内存带宽规格 理论上内存带宽的计算公式是：Band Width = Speed * Data Width。在这个公式的基础上，我们来看一下各代规格的内存带宽表现。 从上图来看，DDR3代的内存 DDR3代1066M...
深入了解DRAM和SDRAM：内存带宽的计算与封装形式的奥秘
AIMing_byte的博客
01-29 1364
动态随机存取存储器DRAM（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器。由于在现实中品体管会有漏电电流的现象，导致电客上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据,而导致数据毁损。因此对于DRAM来说,周期性地充电是一个无可避免的要件。由也正是定时刷新的特性,被称为存储器。与SRAM相比,DRAM的优势在于结构简单：每一个比特的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理、而在SRAM上一个比特通常需要六个品体管。
内存带宽如何计算？
yuyin86的专栏
11-19 6555
今在网上看到一篇有关内存带宽是如何计算的文章，还不错，转过来和大家一起分享。 内存带宽计算公式：带宽=内存核心频率×内存总线位数×倍增系数。 先容我从DDR的技术说起，DDR采用时钟脉冲上升、下降沿各传一次数据，1个时钟信号可以传输2倍于SDRAM的数据，所以又称为双倍速率SDRAM。它的倍增系数就是2。 DDR2仍然采用时钟脉冲上升、下降支各传一次数据的技术（不是传2次），
内存还有CPU带宽如何计算
xcntime的专栏
10-17 8653
CPU带宽是指CPU与北桥之间的数据传输率，从CPU前端总线带宽的计算方法“前端总线带宽＝系统外频×N倍速×64位总线位宽/8”中，我们可以知道，P4系列133MHz外频即前端总线为533MHz（133MHz外频×4倍速）的CPU的传输带宽可达4.2GB/s（533MHz×8）速
内存基本知识DRAM工作原理PPT学习教案.pptx
10-03
本文将深入探讨内存的基本知识，特别是动态随机存取内存（DRAM）的工作原理。 动态随机存取内存（DRAM）是一种常见的主存储器类型，它在现代计算机中扮演着至关重要的角色。DRAM每个存储单元由一个电容器和一个晶体...
深入了解㟓内存，DRAM技术详解-综合文档
05-22
DRAM的工作原理主要分为读取、写入和刷新三个过程。在读取操作中，通过选择行地址和列地址，可以定位到特定的存储单元，然后读取电容上的电荷状态来获取数据。写入操作则是相反的过程，将数据转化为电荷并存储到电容...
DRAM内存原理（四）同步内存和异步内存技术
zhiwensun的专栏
12-08 5364
现在你已经掌握了内存的基本知识，所以你应该能理解下面讲述的为什么BX芯片组的主板超频到133 MHz性能会比别的比如VIA Apollo 133等芯片组好；为什么133外频的KX133并不比100外频的AMD750芯片组有明显的性能提高。因为BX/AMD750芯片组运行在同系统FSB同样的时钟频率下，而VIA芯片组是异步的，因为它可以支持PC66、PC100、PC133 SDRAM。我们来
DDR理论带宽计算
HeMiJack的博客
07-06 6963
DDR理论带宽计算。 DDR的理论带宽是从硬件能力角度出发，计算的是DDR的理性情况下最大的性能表现，而实际应用当中更加关注的是DDR的实际带宽，而实际带宽与读写的连续性，随机性，缓存等因素都相关。.........
如何计算DDR带宽，SOC DDR选型，LPDDR5
最新发布
xc0377的博客
06-10 879
text{带宽 (GB/s)} = 4266 \text{MT/s} \times 8 \text{bytes} \times \frac{1}{1024 \times 1024} \approx 32.5125 \text{GB/s}每颗内存芯片的数据路径宽度为64位（8字节）。\text{带宽 (GB/s)} = \text{数据速率 (MT/s)} \times \text{数据路径宽度 (bytes)} \times \frac{1}{1024 \times 1024}
perfmon 端口修改_NF5270M3 – BIOS设置
weixin_32757449的博客
01-17 1万+
BIOS是基本的输入输出系统，可以利用专门的设置程序对系统参数和硬件参数进行调整。由于BIOS对系统的运转和启动有重大影响，所以，设置了不当的参数后可能会引起硬件资源之间的冲突，或者降低系统运行的性能，因此，了解BIOS的设置对配置您的服务器很重要，如果没有特殊的需要，建议您使用系统出厂时的默认值，不要随意改变参数设置。注意：1、在改变服务器 BIOS 设置前，请记录下相应的初始设置，以便在因修改...
电巢：人人都离不开的DRAM技术介绍
wusuowei1010的博客
12-27 3563
前 言存储器应用于我们生活中的方方面面。手机或者电脑上标识的8G/128G/256G，这个G指的就是内存。但凡需要一点点信息处理能力、里面有个小CPU的电子产品，比如家里的电视、机顶盒、智能电冰箱、智能空调、扫地机器人等等，内存都是必不可少的东西。内存芯片，对于电子产业，就像粮食一样不可或缺。今天所有的内存，除了少数容量很低的场景，都使用了同一种技术，这就是DRAM。01 存储器简介存储器是指利用磁性材料或半导体等材料作为介质进行信息存储的器件，半导体存储器利用半导体介质贮存电荷以实现信息存储，存储与读取
DRAM知识整理系列（三）：部分时序参数整理
不吃鱼的猫的博客
05-26 4万+
一、tCL-tRCD-tRP-tRAS（第一时序） 内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Active to precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS（Row Address Strobe）。一旦tRAS激活后，RAS开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD（RAS to CAS Delay），周期结束，接着通过CAS（Column Address Strobe）访问所需数据的十六进制地址。其中，从CAS开始到CAS结束，就是CAS延迟（即t
DRAM 基础知识
嵌入式技术在路上
10-21 5039
内存可以根据储存能力与电源的关系可以分为以下两类： 易失性存储器（Volatile memory）指的是当电源供应中断后，存储器所储存的资料便会消失的存储器。主要有以下的类型： RAM（Random access memory，随机访问存储器） DRAM（Dynamic random access memory，动态随机访问存储器）SRAM（Static random acc
SRAM和DRAM的区别
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hdanbang的专栏
05-11 5万+
随机访问存储器(RAM)分为静态随机访问存储器（Static Random Access Memory - SRAM）和动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory -DRAM)。 一、静态随机访问存储器（SRAM） 静态随机访问存储器是随机访问存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取
什么是DRAM？
mcu0emmc的博客
05-15 1万+
当今计算设备中使用了各种各样的易失性和非易失性内存单元，与静态随机存取存储器（SRAM）相比，动态随机存取存储器（DRAM）是最常用的架构之一，因为它具有成本效益。本文简要概述了不同类型的DRAM之间的主要区别，包括同步动态存取存储器（SDRAM）和各种类型双倍数据速率（DDR）。 什么是DRAM？ DRAM由一系列电容器组成，旨在为随机存取存储器（RAM）存储单个比特。RAM是一种可以访问数据元素的存储器，无论其在序列中的位置如何。因此，从本质上讲，访问任何数据所需的时间是恒定的。 存取晶体管和存储
DRAM 各项基本参数记录
weixin_34061555的博客
03-29 1556
记录一下DRAM的各项基本参数 tCL CAS Latency CAS 潜伏期， 列地址寻找/读写命令执行完毕，准备要读出来，需要一个延时缓一缓 tRAS: RAS Active Timeing 行有效到预充电的最短周期 tRP ROW Precharge timing 预充电有效周期 tRCD 行寻址到列寻址之间的时间间隔周期 tWR 写恢复时间 tRFC 行刷新...
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