DRAM内存原理（二）结构和功能

最新推荐文章于 2024-07-24 00:00:27 发布

zhiwensun

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分类专栏：内存技术文章标签： DRAM 内存

本文链接：https://blog.csdn.net/zhiwensun/article/details/41799347

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内存由DRAM基本单元组成，这些单元通过行线和列线连接形成Bank矩阵。每个Bank配备传感放大器用于读写操作，涉及RAS到CAS延迟（TRCD）和CAS延迟时间。内存访问通过突发模式进行，数据以8字节为单位传输。内存速度受页面命中（页面已打开）和页面失效（页面需要关闭和重新打开）影响，预转换时间在页面失效时增加。

摘要由CSDN通过智能技术生成

内存最基本的单位是内存“细胞”——也就是我们前面展示给大家DRAM基本单元示意图所示的部分，下面我们对这个部分通称为DRAM基本单元。每个DRAM基本单元代表一个“位”——Bit（也就是一个比特），并且有一个由列地址和行地址定义的唯一地址。8个比特组成一个字节，它可代表256种组合（即2的八次幂），字节是内存中最小的可寻址单元。DRAM基本单元不能被单独寻址——否则现在的内存将会更加复杂，而且也没有必要。很多DRAM基本单元连接到同一个列线（Row line）和同一个行线（Column line），组成了一个矩阵结构，这个矩阵结构就是一个Bank。大部分的SDRAM芯片由4个Bank组成，而SDRAM DIMM (Dual Inline Memory Module双列直插式)可能由8或者16个芯片组成。SDRAM DIMM有14条地址线和64 bit数据线（如果一个DIMM内存使用8bit SDRAM芯片，那么你应该在内存条上看到8个芯片，当然有的DIMM使用4 bit SDRAM芯片，那么你将会在内存条上看到16片）。