N型(Negative负)电子
P型(Positive正)空穴
PN结:N型和P型半导体交界面形成。
二极管:
伏安特性:
硅:U=0.6~0.8V;
鍺:U=0.1~0.3V。
(除了肖特基二极管(0.3V左右),其他的二极管压降一般式0.8V左右)
稳压二极管:
正向特性与普通二极管类似,但反向击穿后,击穿曲线几乎平行于Y轴,这个表现出稳压特性。
输入电压发生波动时,负载电压不发生变化。
稳压管和一般的二极管不同,一般的二极管击穿以后就不能用了,但是稳压二极管不同,
它可以长期工作在击穿状态,用稳压管的时候要给它串连一个电阻,一旦电压高出稳压管的稳压值以后稳压管反向击穿,
电流会很大,但是由于串联电阻的存在,就会在电阻上有一个压降,使稳压管两端的电压稳定在稳压管的稳压值上,
然后在稳压管的两端引出两根线做电源就可以了。
整流二极管(rectifier diode):
1N4007系列
发光二极管
特性与普通二极管类似
光电二极管
伏安特性:
双极性晶体管:
光电三极管
场效应管