米勒效应

最新推荐文章于 2024-02-16 11:30:53 发布
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分类专栏： 模电/数电
米勒效应（Miller effect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数。虽然一般密勒效应指的是电容的放大，但是任何输入与其它高放大节之间的 阻抗也能够通过密勒效应改变放大器的输入阻抗。 　　米勒效应是以约翰·米尔顿·密勒命名的。1919年或1920年密勒在研究真空管三极管时发现了这个效应，但是这个效应也适用于现代的 半导体三极管。 [1]
zhoukangli
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专栏目录
MOS管开关时的米勒效应——详细分析
weixin_45678750的博客
03-17 8159
前言 对于MOSFET，米勒效应（Miller Effect）指其输入输出之间的分布电容（栅漏电容）在反相放大作用下，使得等效输入电容值放大的效应。由于米勒效应，MOSFET栅极驱动过程中，会形成平台电压，引起开关时间变长，开关损耗增加，给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。
【Get深一度】寄生参数/密勒效应
Trey_CSDN 的CSDN博客
07-18 4523
1.寄生电容 2.寄生电阻 3.寄生电感 4.器件的寄生参数
密勒定理及密勒效应
热门推荐
ydb1358396458的博客
05-18 1万+
1、密勒定理 如图1所示的二端口网络（two-port network）中，Vin为输入电压，Vout为输出电压，Zf为Vin与Vout之间的桥接阻抗，A为Vin与Vout之间的闭环增益（A>0，正相放大；A<0，反相放大），且A的输入阻抗为无穷大，输出阻抗为零，则图1电路与图2电路是等效的。 其中： 2、密勒定理的推导 参考图1和图2，Vout=A*Vin ...
密勒效应的简要介绍和影响
04-09
关于密勒效应的介绍及其对放大电路的影响，为文本文档2.1kb
MOS管的米勒效应
04-09
超级详细的关于MOS管的讲解，可以很清楚的看懂MOS管的开通关断过程，轻松搞定米勒效应
你真的理解密勒效应吗？
最新发布
xingsongyu的博客
02-16 2413
https://zhuanlan.zhihu.com/p/438736226
MOS管米勒效应电容问题你应该这样处理
08-04
然而，MOS管的工作并非总是那么简单，其中一种需要特别注意的现象就是“米勒效应”（Miller Effect）。米勒效应是指在晶体管，特别是MOSFET中，门极（Gate）和漏极（Drain）之间的电容通过内部的增益被放大，从而...
MOS管的米勒效应-讲的很详细.pdf
05-19
"MOS管的米勒效应-讲的很详细.pdf" MOS管的米勒效应是 MOSFET栅极驱动过程中的一个重要概念。米勒效应是由于MOSFET中的栅源极电容（Cgs）和栅漏极电容（Cgd）引起的。这些电容会对MOSFET的驱动过程产生影响，使得...
mos管的米勒效应
12-19
### MOS管的米勒效应详解 #### 一、引言 在电力电子技术领域，MOS场效应晶体管(MOSFET)作为一种重要的功率开关器件，广泛应用于各种电子设备中。MOSFET的工作特性直接影响着整个系统的性能，其中米勒效应是影响...
减小米勒效应并提升PFC性能的共源共栅结构
08-09
《减小米勒效应并提升PFC性能的共源共栅结构》 米勒效应是模拟电路设计中的一个重要问题，尤其在功率因数校正（PFC）电路中，它的存在会严重影响电路性能。米勒效应是指在反相放大器中，输入与输出之间的电容在放大...
MOS管Miller效应仿真LTSPICE工程
09-28
MOS管Miller效应仿真LTSPICE工程
密勒电容和密勒效应.docx
10-03
密勒电容、密勒效应的理解和总结
计算Mittag-Leffler函数的MATLAB程序
12-21
计算Mittag-Leffler函数的一个源程序，代码由Roberto Garrappa编写
揭秘MOS管开关时米勒效应的详情
weixin_43747182的博客
12-19 3486
  　　MOS管的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOS管的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后，MOS管就会进入开通状态;当MOS管开通后，Vds开始下降，ld开始上升，此时MOS管进入饱和区;但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时ld已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOS管进入电阻区...
米勒效应和自举
gtkknd的专栏
10-30 2645
说有一个源啊，它输出端接了一个电容，对于源而言这个电容很腻歪，因为它想输出某个电压值，必须吐出电流来给这个电容充电。当然源的输出只接了电容的一个极板，电容的另一个极板呢？如果是接了固定的电位（比如GND）还好，可它偏偏不是接固定的电位。当源给它一个极板充电时，另一极板的电位在下降。这就让源很闹心：“我这么费劲地给这孙子充电，怎么电压就上不去呢？这电容到底多大容量啊？” 大家评一下我要这么来说
米勒效应的跨接电容
gtkknd的专栏
09-21 2100
如果电路的增益 为1，就不会发生米勒效应
臭名昭著的MOS管米勒效应
plane1plane的博客
03-25 586
转载---8号线攻城狮2020-12-12 09:00 以下文章来源于记得诚电子设计，作者记得诚 记得诚电子设计. 分享电子硬件知识，永远相信美好的事情即将发生 如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。 首先仿真Vgs和Vds的波形，会看到Vgs=2V的时候有一个小平台，有人会好奇为什么Vgs在上升时会有一个小平台？ MOS管Vgs小..
米勒电容与米勒效应
温故知新
12-24 1897
米勒平台是由于mos管的gd两端的电容引起的，即MOS管datasheet中的Crss, 这个过程是在给Cgd充电，所以Vgs变化很小，当Cgd充到Vgs水平时，Vgs才开始继续上升。米勒效应会产生米勒平台，也就是开通阶段阻碍驱动电压的上升，关断阶段阻碍驱动电压的下降，延长了开关时间，导致损耗严重，降低了电路的效率。Cgd在MOS刚开通的时候，通过MOS快速放电，然后被驱动电压反向充电，分担了驱动电流，使得Cgs上的电压上升变缓，出现平台。Crss不是一成不变的，与漏极电压有关，电压越高，米勒效应越明显。
MOSFET NPN三极管寄生电容、寄生电感产生反向电压冲击的一些思考
一直小蜗牛，学得慢爬得慢
04-13 5168
在基极处，由于存在基极发射结，基极发射结的反向耐压是有限的，而负载电感产生的反向电压冲击是非常高的，因此会导致基极发射结瞬间击穿，产生一个反向电流，即所谓的反向电压冲击。这个过程非常短暂，一般只有纳秒级别的时间，但是由于反向电流的瞬间高峰值和短脉冲宽度，会给三极管的基极和发射极带来一定的热量和压力，从而会对三极管的可靠性和寿命造成影响。需要注意的是，这个反向电流的大小非常小，通常在几微安左右，因为三极管的寄生电容和负载电感都是很小的电容和电感，而且在切断瞬间只会产生非常短暂的反向电压峰值。
臭名昭著的mos管米勒效应
01-19
mos管米勒效应是指在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中，由于通道长度缩短和电场增强，电子在通道中的迁移速度增加，而导致的电子漂移时间缩短，以及由此造成的高频效应。由于漂移时间缩短，电子在通道中逗留的时间减少，从而在一定时间内通过的电子数减少，导致了放大器的传输特性发生变化，表现为跨导增加和频率响应下降。 mos管米勒效应的出现，通常会对电路的性能产生不利影响，因此被认为是一种臭名昭著的效应。该效应导致了MOSFET在高频工作时的性能下降，使得其在高频放大电路中的应用受到限制。为了减轻mos管米勒效应带来的影响，工程师们通常会采取一些措施，如增加控制电压、加入补偿电容等。此外，还可以通过改变晶体管的结构或应用一些新型材料来减轻米勒效应的影响。 总的来说，mos管米勒效应是一种晶体管在高频工作时产生的不良效应，这一效应的出现使得晶体管的高频性能下降，并且给电路设计带来了挑战。因此，工程师们需要对mos管米勒效应有清晰的认识，并采取有效的措施减轻其带来的影响。
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