米勒效应

最新推荐文章于 2024-02-16 11:30:53 发布
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分类专栏： 模电/数电
米勒效应（Miller effect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数。虽然一般密勒效应指的是电容的放大，但是任何输入与其它高放大节之间的 阻抗也能够通过密勒效应改变放大器的输入阻抗。 　　米勒效应是以约翰·米尔顿·密勒命名的。1919年或1920年密勒在研究真空管三极管时发现了这个效应，但是这个效应也适用于现代的 半导体三极管。 [1]
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密勒效应的简要介绍和影响
04-09
关于密勒效应的介绍及其对放大电路的影响，为文本文档2.1kb
【Get深一度】寄生参数/密勒效应
Trey_CSDN 的CSDN博客
07-18 4539
1.寄生电容 2.寄生电阻 3.寄生电感 4.器件的寄生参数
MOS管Miller效应仿真LTSPICE工程
09-28
MOS管Miller效应仿真LTSPICE工程
MOSFET NPN三极管寄生电容、寄生电感产生反向电压冲击的一些思考
一直小蜗牛，学得慢爬得慢
04-13 5329
在基极处，由于存在基极发射结，基极发射结的反向耐压是有限的，而负载电感产生的反向电压冲击是非常高的，因此会导致基极发射结瞬间击穿，产生一个反向电流，即所谓的反向电压冲击。这个过程非常短暂，一般只有纳秒级别的时间，但是由于反向电流的瞬间高峰值和短脉冲宽度，会给三极管的基极和发射极带来一定的热量和压力，从而会对三极管的可靠性和寿命造成影响。需要注意的是，这个反向电流的大小非常小，通常在几微安左右，因为三极管的寄生电容和负载电感都是很小的电容和电感，而且在切断瞬间只会产生非常短暂的反向电压峰值。
张飞硬件第二章笔记（一）
qq_38406123的博客
01-10 5296
张飞硬件第二章笔记欢迎使用Markdown编辑器新的改变功能快捷键合理的创建标题，有助于目录的生成如何改变文本的样式插入链接与图片如何插入一段漂亮的代码片生成一个适合你的列表创建一个表格设定内容居中、居左、居右SmartyPants创建一个自定义列表如何创建一个注脚注释也是必不可少的KaTeX数学公式新的甘特图功能，丰富你的文章UML 图表FLowchart流程图导出与导入导出导入 欢迎使用Markdown编辑器 你好！ 这是你第一次使用 Markdown编辑器 所展示的欢迎页。如果你想学习如何使用Mark
你真的理解密勒效应吗？
xingsongyu的博客
02-16 2633
https://zhuanlan.zhihu.com/p/438736226
密勒定理及密勒效应
热门推荐
ydb1358396458的博客
05-18 1万+
1、密勒定理 如图1所示的二端口网络（two-port network）中，Vin为输入电压，Vout为输出电压，Zf为Vin与Vout之间的桥接阻抗，A为Vin与Vout之间的闭环增益（A>0，正相放大；A<0，反相放大），且A的输入阻抗为无穷大，输出阻抗为零，则图1电路与图2电路是等效的。 其中： 2、密勒定理的推导 参考图1和图2，Vout=A*Vin ...
mos管的米勒效应
12-19
### MOS管的米勒效应详解 #### 一、引言 在电力电子技术领域，MOS场效应晶体管(MOSFET)作为一种重要的功率开关器件，广泛应用于各种电子设备中。MOSFET的工作特性直接影响着整个系统的性能，其中米勒效应是影响...
MOS管的米勒效应
04-09
超级详细的关于MOS管的讲解，可以很清楚的看懂MOS管的开通关断过程，轻松搞定米勒效应
米勒效应.ppt
09-19
米勒效应详细的分析解说，欢迎大家看看
MOS管米勒效应电容问题你应该这样处理
08-04
然而，MOS管的工作并非总是那么简单，其中一种需要特别注意的现象就是“米勒效应”（Miller Effect）。米勒效应是指在晶体管，特别是MOSFET中，门极（Gate）和漏极（Drain）之间的电容通过内部的增益被放大，从而...
MOS管的米勒效应-讲的很详细.pdf
05-19
"MOS管的米勒效应-讲的很详细.pdf" MOS管的米勒效应是 MOSFET栅极驱动过程中的一个重要概念。米勒效应是由于MOSFET中的栅源极电容（Cgs）和栅漏极电容（Cgd）引起的。这些电容会对MOSFET的驱动过程产生影响，使得...
MOSFET（二）：米勒效应
既有随处可栖的江湖，也有追风逐梦的骁勇！
01-27 1万+
管做开关，做电源的缓启动，在热拔插、独立模块供电、大功率设备上电，都有很好的益处。的开通损耗，但是在电源缓启动中有很大的用处。米勒平台虽然在高频开关状态会严重增加。的下降区间，大部分都在米勒平台之间完成，如果增加。管的任何两极之间都会存在寄生电容，分别是。没有增加，这段时间就是米勒平台。电压又开始上升直至完全导通。的下降时间，也就可以利用。电压上升到某一电压值后，电压有一段稳定值（图中。，驱动电流主要开始反向给。
MOS管的原理及其米勒效应（学习笔记）
weixin_53175172的博客
10-18 6495
开关电源、N沟道MOS、米勒效应。
臭名昭著的MOS管米勒效应
记得诚
08-12 1万+
如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。 首先仿真Vgs和Vds的波形，会看到Vgs=2V的时候有一个小平台，有人会好奇为什么Vgs在上升时会有一个小平台？ MOS管Vgs小平台 带着这个疑问，我们尝试将电阻R1由5K改为1K，再次仿真，发现这个平台变得很小，几乎没有了，这又是为什么呢？ MOS管Vgs小平台有改善 为了理解这种现象，需要理论知识的支撑。
搞懂MOS管的米勒效应
U_YAO的博客
05-06 2518
在驱动前，Crss上是高电压，当驱动波形上升到阈值电压时，MOS管导通，d极电压急剧下降，通过Crss拉低g脚驱动电压，如果驱动功率不足，将在驱动波形的上升沿阈值电压附近留下一个阶梯，如下图。然而，这三个等效电容是构成串并联组合关系，它们并不是独立的，而是相互影响，其中一个关键电容就是米勒电容Cgd。但因为MOS管的制造工艺，一定会产生Cgd，也就是米勒电容一定会存在，所以米勒效应不能避免。所以在米勒平台，是Cgd充电的过程，这时候Vgs变化很小，当Cgd和Cgs处在同等水平时，Vgs才开始继续上升。
米勒电容与米勒效应
温故知新
12-24 2054
米勒平台是由于mos管的gd两端的电容引起的，即MOS管datasheet中的Crss, 这个过程是在给Cgd充电，所以Vgs变化很小，当Cgd充到Vgs水平时，Vgs才开始继续上升。米勒效应会产生米勒平台，也就是开通阶段阻碍驱动电压的上升，关断阶段阻碍驱动电压的下降，延长了开关时间，导致损耗严重，降低了电路的效率。Cgd在MOS刚开通的时候，通过MOS快速放电，然后被驱动电压反向充电，分担了驱动电流，使得Cgs上的电压上升变缓，出现平台。Crss不是一成不变的，与漏极电压有关，电压越高，米勒效应越明显。
MOS管开关时的米勒效应——详细分析
weixin_45678750的博客
03-17 8261
前言 对于MOSFET，米勒效应（Miller Effect）指其输入输出之间的分布电容（栅漏电容）在反相放大作用下，使得等效输入电容值放大的效应。由于米勒效应，MOSFET栅极驱动过程中，会形成平台电压，引起开关时间变长，开关损耗增加，给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。
基于大模型技术的算力产业监测服务平台设计
最新发布
09-17
内容概要：本文提出了一种新型算力产业监测服务平台的设计理念，运用国内自主研发的大模型技术支持，通过对传统技术的改进和完善，提出了三层架构的设计方法，即基础设施层（含向量数据库和模型训练）、大模型应用框架层（强化数据处理与多维关系挖掘）及业务层（如智能分析助手）。这种设计方案旨在提高算力产业发展监测与决策制定的质量。 适合人群：电信行业的从业人员及研究人员；算力产业链各环节管理者；政府相关机构和政策决策者。 使用场景及目标：在多种算力相关的应用场景（如云计算中心管理，数据中心监测，政策分析）中辅助决策者进行快速有效的信息获取和技术选择；助力算力产业发展方向的精确把控和战略调整。 其他说明：随着大模型技术的日臻成熟，该算力产业监测服务平台预计将进一步丰富自身的应用领域和服务深度，以促进算力行业更智慧化发展。
臭名昭著的mos管米勒效应
01-19
mos管米勒效应是指在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中，由于通道长度缩短和电场增强，电子在通道中的迁移速度增加，而导致的电子漂移时间缩短，以及由此造成的高频效应。由于漂移时间缩短，电子在通道中逗留的时间减少，从而在一定时间内通过的电子数减少，导致了放大器的传输特性发生变化，表现为跨导增加和频率响应下降。 mos管米勒效应的出现，通常会对电路的性能产生不利影响，因此被认为是一种臭名昭著的效应。该效应导致了MOSFET在高频工作时的性能下降，使得其在高频放大电路中的应用受到限制。为了减轻mos管米勒效应带来的影响，工程师们通常会采取一些措施，如增加控制电压、加入补偿电容等。此外，还可以通过改变晶体管的结构或应用一些新型材料来减轻米勒效应的影响。 总的来说，mos管米勒效应是一种晶体管在高频工作时产生的不良效应，这一效应的出现使得晶体管的高频性能下降，并且给电路设计带来了挑战。因此，工程师们需要对mos管米勒效应有清晰的认识，并采取有效的措施减轻其带来的影响。
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