MOS管应用图解

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MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管， 简称金氧半场效晶体管。

1: MOS管 分类 

        工艺上，分网上常讨论的两大类：增强型 或 耗尽型， 应用中绝大部分是(可理解为只有)增强型！ 而不使用耗尽型的MOS管.  别问为什么? 也别搜为什么? 不建议刨根问底, 因为不用。

        在常用的增强型工艺上, 又分为: P沟道 或 N沟道。

        所以通常NMOS就是增强型N沟道MOS，而提到PMOS是指增强型P沟道MOS管。

        比较常用的是NMOS, 因为其导通电阻小， 成本低, 可替换型号多 。

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2：实物图例

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3: 符号及参数 

N沟道: 箭头向内,     P沟道: 箭头向外

G -  栅极 ,  控制端

D -  漏极 ,  只有一根线

S -  源极 ,  两根线连接在一起的

重要：在外观上，两者的引脚名称、顺序是一样的

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4: 参数解释

• 漏源电压:           Vdss, 可承受电压上限, 击穿电压, 并非越大越好, 耐压高的管子, 内阻也高. 
• 漏极电流:           ID, 可承受电流上限
• 开关速度            通常，电流越大，对应的栅极电容也越大 , 就是说开关速度变慢
• 栅源阀值电压     Vgs,  重要, 重要, 重要, 导通电压(并非饱和电压)
• 寄生二极管        在漏极和源极之间, 体二极管，方向与箭头方向相同. 在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要.
• 寄生电容            存在于三个管脚之间，是不需要的，但由于工艺限制而产生。没有办法避免，在设计时注意影响.
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5: 导通特性 

通过改变 栅极与源极 间的电压差, 就能控制MOS管的关断和导通. 

NMOS   导通条件: Ug-Us > Vgs。 Vgs一般是2V左右, 理解为G极比S极要高2V左右时开始导通。 N管常做下管(低端驱动),  因为S极直接接地固定电压时, G极和S极之间的压差容易控制.  而当S极电压不固定时, 栅源电压较难确定, 电路比较麻烦.

PMOS  导通条件: Us-Ug > Vgs,  如果阀值电压为2V,  G极比S极低2V就能导通. 一般做上管(高端驱动). 同理, 用S极接VCC 电压固定, 这时G极电压容易计算及控制, 反之, 用S极接负载, S极电压不能稳定, G极电压就更难确定, 电路上也比较麻烦.

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6.应用例子1(电源防反接)

需要经常插拔电池的产品中, 防止电池反接是必需考虑的. 最简单最低成本的, 在电源输入中串一个二极管,  但二极管有压降(0.7V), 3.3V过去后只有2.6左右了, 可怕! 还有消耗电能和发热问题.   因此MOS管的 "0压降" + "大电流" , 就越来越普遍被用在防反接电路中.

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7、万用表区分P-MOS、N-MOS

• MOS管按图摆放，上漏，左栅，右源;  
• 万用表，调到二极管导通档;
• 黑笔上，红笔右，左脚悬空，万用表导通有数值，NMOS管；
• 黑色右，红笔上，左脚悬空，万用表导通有数值，PMOS管。

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本文参考资料:

[1]  https://blog.csdn.net/special00/article/details/77513624

[2]  https://baijiahao.baidu.com/s?id=1608521129514082814&wfr=spider&for=pc

[3]  https://blog.csdn.net/ReCclay/article/details/79273654

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