简记_光耦的主要参数及应用

1.线性(放大)状态与开关（饱和）状态。

If 确定，则光耦副边 电流通道大小确定，实际的Ic不能大于该通道。

开关状态，Ic<通道宽，Vce减小以增加Ic；

线性状态，Ic=通道宽，Vce增大以减小Ic。

当(Vcc-0.4)/Rc<If*CTR_min时，光耦工作在开关状态，Ic=(Vcc-0.4)/Rc,Vo=0.4V；

当(Vcc-0.4)/Rc>If*CTR_max时，光耦工作在线性状态，Ic=If*CTR，Vo=Vcc-Rc*Ic。

CTR值变大，通道变大，光耦可由线性状态进入开关状态；

CTR值变小，通道变小，光耦可由开关状态进入饱和状态。

2.CTR值

    受温度影响，在一定范围内，环境温度升高CTR值变小，可能导致开关状态进入线性状态；

    受If影响，在一定范围内，If增大CTR值变大，应用时，建议If值在5mA以上。

    应用时，CTR值应留有裕量。

3.延时  

      导通延时Ton，关断延时Toff。

      受温度影响，温度升高，Ton、Toff均增大。

      受Rc影响，Rc增大，Ton会减小，而Toff增大明显。

综上：可以理解为温度升高，会导致光耦性能变差，CTR值变小、Ton/Toff均增大。

4.抗噪

      在光耦的原边二极管串联开关管的应用中，为防止开关管的关断漏电流导致光耦原边出现微导 通的情况，

      原边二极管两端并联1k或2k的电阻+陶瓷电容(pF级)。

5.防反接（击穿）

      光耦的原边二极管的反向耐压，通常很低，只有几伏，典型值是：6V。

      因此，在原边二极管两端反向并联一个开关二极管，能起到防反接、防击穿等作用。

      例如：在伺服驱动器中，光耦往往用在I/O接口处，当选用本身不防静电的I/O端子，反向并联二极管就十分必要。

6.普通光耦与高速光耦

普通光耦：

       典型电路应用中，开通时间2~3us、短，关断时间30us以上、长，关断时间中 存储时间 影响最大。

       普通光耦虽然开关速度慢，但也能用在一些特殊的高速响应场合，例如：变频器的过流保护隔离电路，其特点是触发保护快，恢复正常状态慢。

高速光耦：

       普通光耦的结构是光敏三极管，上升下降时间是us级，而高速光耦的结构是光敏二极管(+放大驱动电路)，上升下降时间是ns级。

       高速光耦常用的带宽有10M、20M，并不是越大越好，越大越容易引入噪声；

       副边需要供电；原边开通阀值电流典型值是：5mA，建议应用中留有裕量；

       此外应用中应留意：VIORM——Maximum Working Insulation Voltage

                                       RL——Output Pull-up Resistor

       高速光耦的典型应用电路图：

7.三极管的存储时间

        饱和导通~截止，Rc越大、饱和深度越大，则存储时间越长，可以理解为寄生集电极—基极电容的充电时间变长（受基极电阻、集电极电阻阻值影响）。