王志功老师的书的读书笔记（2008-12-29学习到第三章）

 

第一章器件物理

Ø       带隙能量：使晶格中的一个价电子变为自由电子所需要的能量，带系能量弱的材料则含有较多的电子，因此有较强的导电性。

Ø       电子的平均热能：一般小于0.1eV。

Ø       迁移率：空穴和电子在晶体中的移动速度叫做迁移率，电子和空穴的迁移率是有很大差别的，比如在硅中空穴的迁移率是480cm2/V 。sec，而电子则是1350cm2/V 。sec.空穴的低迁移率使得他们的载流能力差，一个CMOS器件的性能依赖于它的载流子是电子还是空穴。PMOS的器件的工作速率就快些，而NMOS的工作速率就慢些，不仅仅是这些，还有Vth值的差别，后续学习中再添加。

Ø       锗硅材料特性：二自由电子数量较少，两者属于间接带隙材料，这些半导体中，电子和空穴的相遇不会产生载流子的复合。电子可能会进入空穴中，不过两字效应阻止了光子的产生。因为电子不能携带过多的能量，因此它很快又会从晶格中跳出来，电子空穴对又重新产生。在间接带隙半导体中，复合只在晶格的特定地方发生，这些地方叫做陷阱，这里有缺陷或者其他原子造成的缺陷，一个陷阱可能瞬间捕获一个经过的载流子。被捕获的载流子变得更容易复合，因为陷阱吸收了多余的能量，帮助载流子复合的陷阱叫做复合中心，一个半导体包含的复合中心越多，载流子的产生与复合的平均时间越短，这个叫做载流子的寿命，这个量限制了半导体器件的开关速度，有时半导体中故意加入复合中心，用来加快半导体的开关速度。金原子会在硅中产生高效的复合中心，因此以硅做成的高速二极管和晶体管有时会含有少量的金，当然金并不是形成复合中心的唯一材料，许多过度金属比如铁、镍等又有同样的作用，一些晶体缺陷同样可以作为复合中心，所以纯的单晶材料必须经过加工和掺杂才能做成复合一定电特性的固体器件。

Ø       本征半导体：纯净的半导体叫做本征半导体，或者叫本征材料。

Ø       非本征半导体：经过掺杂的半导体叫做非本征半导体。

Ø       固溶度：固态材料中可以添加的非基体材料的比例，该材料不会从基体中析出第二相，这就是半导体器件要有一个工作温度，否则就析出第二相，电性能指标发生剧烈变化。以及半导体器件要均匀化退货的工艺。

Ø       发光二级管的颜色：这个颜色是由材料的带隙决定的，因此不同发光颜色的二极管采用的发光材料是不同的，比如采用GaN的绿色，还有其他颜色不一一细说。同时光伏特性的太阳能电池、红外接收二级管、以及用于激光通信的PIN二级管也是如此，采用不同的材料做成，分别是SI  InGaAsP  还有就是激光器的材料 InP    

Ø       当原子中电子的能量最小时，整个原子的能量最低，这个原子处于稳态，称为“基态”；当原子处于比基态高的能级时，称为“激发态”。

Ø       通常情况下，大部分原子处于基态，只有少数原子被激发到高能级，而且，能级越高，处于该能级上的原子数越少。  

Ø       在正常状态下，原子中的电子并不能都处于最低能级上。因为泡利不相容原理指出，每一能级上至多只能有两个电子，而且它们的自旋方向还必须相反。

Ø       能量愈高，相邻能级的间隔就越小，电子从下一能级过渡到上一能级也就越方便。当电子从原子中挣脱出来，而进入离子化状态后，这时能量已没有一级一级的差别，而在能量图上形成一个能量连续的区域，这时电子可以自由运动，所以称为自由电子。

能带的形成：

Ø       量子力学证明，晶体中电子共有化的结果，使原先每个原子中具有相同能量的电子能级，因各原子的相互影响而分裂为一系列和原来能级很接近的新能级，这些新能级基本上连成一片，而形成能带。

Ø       能带中不允许存在能量状态的区域称为带隙（也叫禁带），带隙宽度用电子伏特（eV）表示。

Ø       施主元素：向半导体中贡献电子的元素叫做施主元素。比如：磷、锑、砷等都是半导体中的施主元素。掺杂了施主元素的半导体叫做N型半导体，N型硅中大量的自由电子显著的增加了它的导电性（显著的降低电阻）。重掺杂的N型半导体被记做N+，轻掺杂的N型半导体被记做N-。

Ø       掺杂受主元素的半导体叫做P型半导体，一般用硼，由于同族的其他元素技术难度大，因此一般不用，反而用铟作为受主元素。同样的称呼方法，重掺杂记做P+，轻掺杂记做P-。

Ø       现在应用的半导体材料有：InP、SiGe、InGaAsP、InGaAs、AlGaAS

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