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电子电路
StrongerSun
虽千里,吾往矣。
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常用 电阻值表&电容值表&电感值表
常用 电阻值表&电容值表&电感值表原创 2024-01-07 13:36:33 · 2521 阅读 · 0 评论 -
mos管重要参数(翻译自ST文档)
本文翻译自st官方文档 power-transistors--devices-and-datasheets-stmicroelectronics目录一、重要参数1、V (BR)DSS,漏源击穿电压2、R DS(on),静漏源通阻3、GS(th) and VGS(on)4、V GS(MAX)二、其他参数1、开关时间[td(off)、tf、td(on)、tr]2、总栅电荷Q g和输入电容C iss3、其他寄生电容三、原文一般来说,功率mosfet在制造商之间.原创 2020-12-12 17:15:41 · 5060 阅读 · 0 评论 -
Mos管开关的过程描述,看完这篇你就懂了
一、mos管等效模型为:二、导通过程导通时波形图为导通过程分析:T0~T1:驱动通过Rgate对Cgs充电,电压Vgs以指数的形式上升,此时Id没有变化T1~T2:Vgs达到MOSFET开启电压,MOSFET进入线性区,Id缓慢上升,至T2时刻Id到达饱和或是负载最大电流。在此期间漏源极之间依然承受近乎全部电压Vdd 。T2~T3:T2时刻 Id达到饱和并维持稳定值,MOS管工作在饱和区,Vgs固定不变, 电压Vds开始下降。此期间Cgs不再消...原创 2020-11-30 00:42:08 · 13472 阅读 · 6 评论 -
IR2104死区时间异常,引起mos管空载发热
在做一款电机控制器时发现半桥驱动的频率从1k调整到15k之后,mos管在空载下的发热变的特别严重,直接多了250ma的电流损耗,一共驱动了3颗mos,上半桥一颗,下半桥一颗。随即开始查找问题的根源,在排除了mos管本身的问题、外围驱动器件的问题,pcb板本身的问题、驱动电路本身的问题之后,最终将问题定位在半桥驱动的死区时间过短上。目录一、简化原理图二、发现的问题三、解决方案四、问题的根源一、简化原理图二、发现的问题在上桥打开时,下桥还没有完全关断,维持时间大概有10.原创 2020-11-29 21:27:30 · 10924 阅读 · 16 评论 -
阻容降压电源
目录1、概述2、原理图3、计算公式4、器件选择5、使用注意6、稳压管1、概述阻容降压的工作原理是利用电容在一定的交流信号频率下产生的容抗来限制最大工作电流。例如,在50Hz的工频条件下,一个1uF的电容所产生的容抗约为3180欧姆。当220V的交流电压加在电容器的两端,则流过电容的最大电流约为70mA。虽然流过电容的电流有70mA,但在电容器上并不产生功耗,应为如果电容是一个理想电容,则流过电容的电流为虚部电流,它所作的功为无功功率。根据这个特点,我们如果在一个1uF的.原创 2020-11-20 23:03:17 · 1827 阅读 · 0 评论 -
Ldo的应用原理
目录一、简介:二、内部框图:三、基本原理:四、应用电路:五、主要参数:六、LDO和DC-DC对比:一、简介:LDO:LOW DROPOUT VOLTAGE LDO(是low dropout voltage regulator的缩写,整流器)低压差线性稳压器,故名思意,为线性的稳压器,仅能使用在降压应用中。也就是输出电压必需小于输入电压。优点:稳定性好,负载响应快。输出纹波小。缺点:效率低,输入输出的电压差不能太大。负载不能太大,目前的LDO为5A(但要保证5A的输原创 2020-11-20 00:29:21 · 1037 阅读 · 1 评论 -
对ttl和cmos电路的理解
目录一、ttl1、简介2、电平标准3、TTL与非门的基本结构二、cmos简介1、简介2、电平3、CMOS与非门的基本结构三、区别一、ttl1、简介TTL—Transistor-Transistor Logic 三极管-三极管逻辑TTL电路以双极型晶体管为开关元件,所以又称双极型集成电路。双极型数字集成电路是利用电子和空穴两种不同极性的载流子进行电传导的器件。它具有速度高(开关速度快)、驱动能力强等优点,但其功耗较大,集成度相对较低。根据应用领.原创 2020-11-15 00:47:27 · 4435 阅读 · 0 评论 -
电压互感器和电流互感器的区别
目录1、运行状态2、原理电压互感器 电流互感器1、运行状态1)电流互感器二次可以短路,但不得开路;电压互感器二次可以开路,但不得短路;2)相对于二次侧的负荷来说,电压互感器的一次内阻抗较小以至可以忽略,可以认为电压互感器是一个电压源;而电流互感器...原创 2020-11-09 00:12:35 · 2557 阅读 · 0 评论 -
mos管电流采样保护电路
原创 2020-10-13 14:21:30 · 2563 阅读 · 0 评论 -
MOS管防护电路解析实测
功率MOS管自身拥有众多优点,但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力,特别是在高频的应用场合,所以在应用功率MOS管对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。功率MOS管保护电路主要有以下几个方面:1)防止栅极 di/dt过高:由于采用驱动芯片,其输出阻抗较低,直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断,有可能造成功率管漏源极间的电压震荡,或者有可能造成功率管遭受过高的di/dt而引起误导通。为避免上述现象的发生,通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个..原创 2020-10-09 15:26:30 · 14593 阅读 · 13 评论 -
开关电源的分类
目录1、按储能电感的连接方式2、按激励方式分类3、按调制方式分类4、功率开关管的分类5、按开关管的个数及连接方式6、按输入和输出电压的大小分类7、工作方式分类8、按电路结构分类9、按开关管串并联类型10、按开关管电流的工作方式11、按输出性能12、能量传递方式13、按软开关方式1、按储能电感的连接方式按储能电感与负载的连接方式的不同可以划分为串联型和并联型。(1)串联式串联型储能电感串联在输入与输出电压之间;(2)并联...原创 2020-06-26 16:03:15 · 6254 阅读 · 1 评论 -
CPU/GPU/TPU/NPU...XPU都是什么鬼
目录CPUGPUTPUNPUBPUDPU其他 XPU现在这年代,技术日新月异,物联网、人工智能、深度学习等概念遍地开花,各类芯片名词GPU, TPU, NPU,DPU层出不穷......它们都是什么鬼?与CPU又是什么关系?搞不懂这些知识,买手机的时候都没法在妹子面前装B了呢。这是“物小白系列”的第1篇文章“亲爱的,听说HW最新发布了Mate 10,里面有个叫什么NPU的,听起来很厉害,这是什么东西啊?”“呃……就是人工智能处理器吧?”“什么是人.转载 2020-06-26 01:34:20 · 1235 阅读 · 0 评论 -
MC34063芯片应用
目录1、MC34063芯片特点2、芯片内部框架图3、5V输出原理图4、外围器件标称含义和他们的取值公式5、在实际应用中需要注意的事6、各个参数的含义7、设计流程8、关于dc-dc的频率9、纹波抑制10、损耗1、MC34063芯片特点MC34063是一款集Boost变换器、BUCK变换器、电源反向器于一身的电源芯片,该芯片在实际应用当中很广泛,不仅由于自身独有的特点,同时也因为价格不是很高,因此得到很多应用。输入电压:2.5~40V输出电压:1.2.原创 2020-06-25 18:20:42 · 18056 阅读 · 4 评论 -
DC-DC升压降压变换原理
DC-DC是英语直流变直流的缩写,所以DC-DC电路是某直流电源转变为不同电压值的电路。DC-DC变换器的基本电路有升压变换器、降压变换器、升降压变换器三种。在同一电路中会有升压反向、降压升压等功能同时存在。目录分类:降压变换器:升压变换器:升降压变换器:分类:DC-DC电路按功能分为:升压变换器:将低电压变换为高电压的电路。降压变换器:将高电压变换为低电压的电路。反向器:将电压极性改变的电路,有正电源变负电源,负电源变正电源两类。降压变换器:降压变.原创 2020-06-23 23:08:55 · 28967 阅读 · 0 评论 -
贴片电阻封装和功率的的关系
封装尺寸与功率关系: 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 1210 1/3W 2010 3/4W 2512 1W 封装尺寸与封装的对应关系 0402=1.0mmx0.5mm 0603=1.6mmx0.8mm 0805=2.0mmx1.2mm 1206=3.2mmx1.6mm 1210=...原创 2020-06-22 09:10:48 · 1212 阅读 · 0 评论 -
SOIC 和 SOP区别
SOP也是一种很常见的封装形式,始于70年代末期。SOP封装的应用范围很广,而且以后逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装)、TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管)、SOIC(小外形集成电路)等在集成电路中都起到了举足轻重的作用。像主板的频率发生器就是采用的SOP封装。一直以为 SOIC 和 SOP 是一样的,只是叫法不同。对比今天仔细查了才发现 SOP 和 SOIC 有细微差别。SOP 是一个比较通原创 2020-06-18 10:29:52 · 24856 阅读 · 0 评论 -
移相全桥模式解析
在早期的大功率电源(输出功率大于1KW)应用中,硬开关全桥(Full-Bridge)拓扑是应用最为广泛的一种,其特点是开关频率固定,开关管承受的电压与电流应力小,便于控制,特别是适合于低压大电流,以及输出电压与电流变化较大的场合。但受制于开关器件的损耗,无法将开关频率提升以获得更高的功率密度。例如:一个5KW的电源,采用硬开关全桥,即使效率做到92%,那么依然还有400W的损耗,那么每提升一个点的效率,就可以减少50W的损耗,特别在多台并机以及长时间运行的系统中,其经济效益相当可观。随后,人们在硬...原创 2020-06-17 23:57:26 · 13436 阅读 · 0 评论 -
三极管和mos管使用的区别
1 三极管和MOS管的基本特性三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管(简称P型三极管)和PNP型三极管(简称N型三极管)两种,符号如下:MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS),符号如下(此处只讨论常用的增强型MOS管):2 三极管和MOS管的正确应...原创 2020-02-18 17:20:13 · 1634 阅读 · 0 评论 -
IR2104电机驱动
H桥是一个典型的直流电机控制电路,因为它的电路形状酷似字母H,故得名与“H桥”。4个三极管组成H的4条垂直腿,而电机就是H中的横杠(注意:图中只是简略示意图,而不是完整的电路图,其中三极管的驱动电路没有画出来)。 H桥驱动原理 1)电机驱动 电路首先,单片机能够输出直流信号,但是它的驱动才能也是有限的,所以单片机普通做驱动信号,驱动大的功率管如Mos管,来产生大电流从而...原创 2020-02-18 16:54:48 · 43168 阅读 · 23 评论 -
uart和usart的区别
目录UART USART UART和USART的区别 UART 通用异步收发传输器(Universal Asynchronous Receiver/Transmitter),通常称作UART,是一种异步收发传输器,是电脑硬件的一部分。它将要传输的资料在串行通信与并行通信之间加以转换。作为把并行输入信号转成串行输出信号的芯片,UART通常...原创 2019-12-04 23:35:43 · 334 阅读 · 0 评论 -
32.768K的晶振用途
32.768K晶振简介 32.768K是最常用的频率,在日常生活中不可或缺。32.768khz比较容易分频以便于产生1秒的时钟频率,因为32768等于2的15次方。我们每天用的手表、手机、电脑上显示作用的钟就是由它演变过来的。 32.768KHZ是一个标准的频率,晶振频率的应用主要有以下几个方面的参数:尺寸、负载电容、频率偏差、应用范围。按尺寸外形来分主要分为插件和贴片的;插件的...原创 2019-11-28 20:41:00 · 7504 阅读 · 0 评论 -
简单可控硅交流调压方案
可控硅是一种新型的半导体器件,它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点,目前交流调压器多采用可控硅调压器。这里介绍一台电路简单、装置容易、控制方便的可控硅交流调压器,这可用作家用电器的调压装置,进行照明灯调光,电风扇调速、电熨斗调温等控制。这台调压器的输出功率达100W,一般家用电器都能使用。1:电路原理:电路图如下 可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路...原创 2019-11-21 16:29:00 · 3596 阅读 · 1 评论 -
IGBT与MOS管的区别,IGBT与可控硅的区别,IGBT驱动电路设计
目录 IGBT和MOS管的区别:IGBT和可控硅的区别:IGBT驱动电路设计:1、IGBT驱动电路的设计2、IGBT驱动器的选择3、IGBT驱动电路的设计IGBT和MOS管的区别: IIGBT在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结,即NPNP结构,在原理上是MOS推动的P型BJT;多的这个P层因内有载流子,有电导调制作用,可以使IGBT在跟...原创 2019-11-19 10:50:37 · 16888 阅读 · 0 评论