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古猫先生
长期混迹存储领域,先后供职于知名半导体外企和互联网存储研发,欢迎留言or私信交流~
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独家揭秘|小米14魔改存储芯片多出8GB空间背后的秘诀
NAND闪存原理上是一个CMOS管,有两个栅极,一个是控制栅极(Control Gate), 一个是浮栅(Floating Gate). 浮栅的作用就是存储电荷,而浮栅与沟道之间的氧化层(Oxide Layer)的好坏决定着浮栅存储电荷的可靠性,也就是NAND闪存的寿命。如果你经常让它们进行“擦除”和“写入”的操作(NAND闪存中,P/E Cycle,也称为擦除次数),它们就会觉得累,电荷的存储能力也会逐渐下降(浮栅与沟道之间的氧化层被磨损的越来越严重,导致浮栅中电子的控制越来越艰难)。原创 2023-10-29 08:55:49 · 2212 阅读 · 0 评论 -
一文了解硬盘AFR年化故障率评估方式和预测方案
例如,如果在一年内观察到10个故障,每个故障的平均修复时间为2天,产品的总运行时间为365天,那么该产品的年化故障率为:(10 / 365)× (2 / 365) = 0.014%。需要注意的是,泊松分布只是一种理想的概率分布模型,实际情况中硬盘的故障率分布可能会受到多种因素的影响,如使用环境、维护状况、硬盘质量等。假设我们在一个硬盘制造商那里收集了一年的硬盘故障数据,发现在这一年中,平均每1000个硬盘中有1个硬盘出现故障。因此,在这个例子中,λ=1/1000,即每个硬盘出现故障的平均概率是0.001。原创 2023-10-06 12:36:10 · 2277 阅读 · 0 评论