年度榜单
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古猫先生
长期混迹存储领域,先后供职于知名半导体外企和互联网存储研发,欢迎留言or私信交流~
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年度总结|存储随笔2023年度最受欢迎文章榜单TOP15-part2
这里面核心点,IO逻辑地址LSA(或者叫LBA),到真正最后落入NAND,还有一层FTL转化为了NAND的物理地址PPN(或者叫做PBA)。:最低有效位,这是在同一个存储单元中编程延迟最小的位。对于3位的TLC NAND闪存来说,LSB通常是第一个被写入的位,因为它的编程阈值最低。但显示的情况是,我们可能会因为一些不想看到的问题,导致性能受损。反常的是,全并行并没有实现最高的吞吐量,因为高WAF导致半并发配置的吞吐量几乎比全并行高出40%。:最高有效位,具有最高的编程阈值,在同一存储单元中的编程延迟最大。原创 2023-12-31 09:19:21 · 1043 阅读 · 0 评论 -
年度总结|存储随笔2023年度最受欢迎文章榜单TOP15-part1
这些晶体管里面存储着电荷,代表着我们的二进制数据,要么是“0”,要么是“1”。NAND闪存原理上是一个CMOS管,有两个栅极,一个是控制栅极(Control Gate), 一个是浮栅(Floating Gate). 浮栅的作用就是存储电荷,而浮栅与沟道之间的氧化层(Oxide Layer)的好坏决定着浮栅存储电荷的可靠性,也就是NAND闪存的寿命。QoS评价参数中,有平均延迟、99% QoS,99.9% QoS,99.99% QoS,99.999% QoS等,9越多,说明对延迟的稳定性要求就越高。原创 2023-12-31 09:18:54 · 1224 阅读 · 0 评论