NAND
文章平均质量分 75
古猫先生
长期混迹存储领域,先后供职于知名半导体外企和互联网存储研发,欢迎留言or私信交流~
展开
-
NAND行业回归盈利:AI与云存储需求驱动
NAND闪存行业在经历了一段时间的亏损后,得益于AI和云存储需求的增长,在2024年第一季度实现了盈利回归。然而,供应商需要谨慎管理生产规模,以维持市场的供需平衡,避免过度供应或关键短缺的情况发生。此外,随着技术的发展,新的接口标准也将逐渐成为行业的新趋势。NAND供应商需要密切关注市场需求的变化,并灵活调整生产策略,以抓住未来的机遇。根据Yole Group于2024年6月25日发布的市场报告,经过五个季度的亏损之后,NAND闪存行业在2024年第一季度(1Q24)实现了盈利回归。原创 2024-08-02 22:48:02 · 663 阅读 · 0 评论 -
DRAM 和 NAND 闪存收入将在 2024 年显著增长 75% 和 77%
根据 TrendForce 最新发布的市场报告,预计 2024 年 DRAM 和 NAND 闪存的收入将分别显著增长 75% 和 77%,这一增长主要是由于平均价格的上涨以及高价值产品的兴起,例如 HBM(高带宽内存)和 QLC(四层单元)闪存。- **平均价格上涨**:预计 2024 年 DRAM 平均价格将上涨 53%,2025 年上涨 35%,带动 DRAM 收入在 2024 年达到 907 亿美元,同比增长 75%;- **成本压力**:内存价格的上涨将导致电子产品成本增加。原创 2024-07-30 23:50:11 · 584 阅读 · 0 评论 -
铠侠最新BiCS8 218L NAND键合技术
随着存储技术的不断演进,Hybrid Bonding(混合键合)技术正逐渐成为内存和存储应用领域的重要组成部分。TechInsights最近对KIOXIA/WD BiCS8 218L CBA 1 Tb 3D TLC NAND进行了深入分析,揭示了这项技术如何在提高存储密度、降低功耗和提升性能方面发挥关键作用。KIOXIA/WD BiCS8 218L CBA 1 Tb 3D TLC NAND是一款采用了混合键合技术的新一代3D NAND闪存设备。原创 2024-07-24 22:29:43 · 1194 阅读 · 0 评论 -
2024 Q3 NAND闪存价格|企业级依然猛涨,消费级放缓
在企业领域持续投资于服务器基础设施,特别是在人工智能应用的推动下,企业级SSD需求增加的同时,消费电子市场却依旧疲软。加之NAND供应商在2024年下半年积极扩大生产,。今年上半年,NAND闪存价格因厂商控制生产而强劲反弹,帮助制造商恢复盈利水平。但随着生产显著提速和零售端需求不振,晶圆现货价格大幅下滑,部分晶圆价格甚至较合约价格低出超过20%,这让人对后续价格持续上涨的可持续性产生疑问。就消费级SSD而言,虽然笔记本销售即将进入传统旺季,但客户的备货态度仍然保守。原创 2024-07-09 22:46:54 · 1213 阅读 · 0 评论 -
日本NAND闪存巨头铠侠(Kioxia)已于今年6月底结束减产措施
然而,消费电子需求仍旧疲软,加之制造商下半年积极增产,预计第三季度NAND Flash供需比将升至2.3%,NAND Flash综合价格季度增长率预计将收窄至5-10%。但下半年有大规模扩产计划,且零售市场需求依旧疲软,导致晶圆现货价格下滑,部分晶圆价格甚至比合约价低出20%以上,使得后续合约价上涨面临压力。相比之下,威刚对市场的看法较为保守。铠侠于6月全面复产,增加的NAND芯片产量最快可能在8月或9月进入市场,这将直接影响到以群联、威刚、十铨等为代表的台湾NAND控制器芯片制造商的传统旺季。原创 2024-07-05 23:41:43 · 349 阅读 · 0 评论 -
WDC西部数据闪存业务救赎之路,会成功吗?
西部数据正在向选定客户样品提供32TB的ePMR企业级HDD,这款UltraSMR HDD专为超大规模云和企业数据中心的大数据存储设计,以其无与伦比的容量、快速部署的资格认证和集成,以及卓越的可靠性和耐用性,成为AI工作流程中大规模数据存储和低TCO需求的关键角色。在存储界的江湖里,WDC就像是一位手握两大秘籍(闪迪和铠侠NAND工厂)的武林高手,本以为能在企业级SSD的擂台上大展身手,结果却发现自己更像是被误邀参加学霸聚会的学渣,心里那个苦啊,只能默默在角落啃着指甲。原创 2024-06-19 23:00:00 · 1414 阅读 · 0 评论 -
NAND闪存市场彻底复苏
然而,随着2024年初市场信号的积极变化,铠侠迅速响应,不仅全面恢复了位于三重县四日市和岩手县北上市工厂的生产线至100%产能,而且聚焦于高需求的NAND闪存生产,显示了其对市场趋势的精准把握和迅速调整的能力。总之,铠侠在内存市场复苏过程中的表现,不仅是企业战略调整的成功案例,也是整个行业趋势的缩影。通过精准的市场判断、及时的策略调整和金融机构的有力支持,铠侠不仅实现了自身的快速恢复与增长,也为全球内存市场注入了信心和活力,预示着一个更健康、更稳定的行业发展前景。#### 业绩逆转:从亏损到盈利的跨越。原创 2024-06-17 23:01:53 · 550 阅读 · 0 评论 -
西部数据震撼发布:全球最高容量2Tb 3D QLC闪存芯片,引领SSD存储新时代
公司采用了独特的制造方法,即先分别制造包含CMOS控制电路的芯片和堆叠存储单元的芯片,然后使用类似中国YMTC的Xtacking技术的混合键合技术将两者面对面粘合在一起。Soderbery强调,传统上展示晶圆片无法完全展现此次成就的意义,因此他展示了实物芯片:“我手上的这个芯片,比我的指尖还要小。请放大看看我手指上的这个芯片,这就是它的尺寸。采用256GB的3D QLC NAND芯片,制造商仅需四颗这样的内存芯片即可组装成1TB的SSD,而8颗则可制成2TB的驱动器,大幅降低了生产成本。原创 2024-06-13 23:15:41 · 441 阅读 · 0 评论 -
AI时代存储大战,NAND闪存市场风云再起!
今年4月,三星确认已开始大规模生产其第九代垂直NAND(V-NAND),这是一种三层单元(TLC)产品,单芯片容量达到1Tb,与第八代V-NAND相比,该产品的位密度提高了约50%,堆叠层数达到了290层。值得注意的是,SK海力士最近在开发ZUFS 4.0方面取得了突破,这是一种针对具备AI功能的智能手机设计的内置AI移动NAND解决方案,预计将于第三季度开始大规模生产,此消息来源于TheElec。随着人工智能(AI)相关半导体对高带宽存储(HBM)需求的推动,NAND闪存市场也感受到了这一趋势的影响。原创 2024-05-26 10:30:35 · 669 阅读 · 0 评论 -
NAND数据恢复的方案
为实现更优的校准,研究人员提出了一种基于高斯混合模型的方法,通过制作NAND VT图像(多次读取并微调读阈值),获取电压分布,再进行数据拟合,找到最优读阈值,从而最大限度减少数据完整性错误。现有的数据恢复技术,如读重试、读偏移和自动读取校准,虽然能在一定程度上应对比特错误,但其效果受NAND密度、老化程度和使用情况影响显著,且缺乏统一标准,易受固件工程师解读差异影响。其中,高斯混合校准作为一种创新方法,旨在优化读阈值设置,提高数据恢复过程中比特错误的纠正效率,为克服现有校准方法的局限性提供了新的思路。原创 2024-04-18 21:17:29 · 1386 阅读 · 0 评论 -
三星即将量产V9 NAND,2025年达到430层
采用串叠工艺的制造过程包括首先构建包含逻辑的CMOS层,然后在其上方叠加一层145层的3D NAND内存阵列,最后再在其上方叠加另一层145层3D NAND闪存。虽然这种制造工艺较为复杂,但有望提高数百层3D NAND内存产品的产量,因为构建两个145层3D NAND阵列比构建一个290层3D NAND阵列更容易。去年已宣布321层V9 4D PUC样品,下一个节点可能为3yy层(如370层或380层),位于400层以下。美光有可能直接跨入400层产品,而不经过300层,美光的计划可能发生变化。原创 2024-04-16 08:45:56 · 862 阅读 · 0 评论 -
NAND闪存市场格局或将发生变化
展望未来,TrendForce预计2024年第一季度NAND闪存产业营收可能会因为订单规模持续扩大而实现环比20%的增长,尽管这是一季度的传统淡季,但由于供应链库存水平明显改善且价格上涨,客户继续增加采购订单以规避供应短缺和成本上升的风险。然而,TrendForce指出,之前预测的2024年第一季度NAND闪存合约价格季环比涨幅约为20%-25%,虽然第二季度的整体需求展望仍然保守,但自2023年第四季度末和2024年第一季度初起,NAND闪存供应商已经开始调整产能利用率。原创 2024-03-14 22:49:45 · 685 阅读 · 0 评论 -
NAND dummy read/write的原理和应用
NAND闪存中,"dummy read"和"dummy write"操作是针对NAND闪存工作特性而进行的一些特殊控制操作,它们并不是真正意义上的数据读取或写入操作,而是为了满足NAND存储器内部工作流程所需的时间周期或信号同步要求。原创 2024-02-07 21:24:05 · 1422 阅读 · 0 评论 -
如何识别劣质NAND闪存颗粒?
数据恢复专业机构CBL近期发布报告称,目前市面上最新的microSD卡和USB闪存颗粒中的内存芯片可能存在严重的不可靠性问题。在对故障设备进行拆解时,该公司发现越来越多的设备使用了经过裁剪、删除制造商名称的劣质内存芯片,甚至有USB闪存颗粒采用焊接废弃且无识别标记的microSD卡来制造。总之,识别劣质NAND颗粒需要一定的专业知识和技术手段,消费者在购买时应尽量选择信誉良好、有保障的品牌和渠道,并结合实际应用需求选购合适的产品等级(SLC、MLC、TLC、QLC等)。原创 2024-02-04 20:25:52 · 860 阅读 · 0 评论 -
NAND SCA接口对性能影响有多大?
通过合理安排读取命令和等待时间(如tR),SCA接口可以在一个LUN完成读取后立即开始另一个LUN的读取操作,而无需等待整个DQ总线空闲,从而减少了延迟和提高了IOPS。并且在实际测试案例中,与传统接口相比,对于多层结构的NAND闪存,SCA接口能更好地调度和协调各平面的操作,从而在8个独立LUN或者更多的情况下确保高效并行访问,进而提升整体系统的带宽利用率和性能表现。,显著提高了SSD的性能指标,尤其对于高负载、高并发随机访问的应用场景而言具有显著的优势。,不仅简化了接口设计,降低了物理引脚的需求,还。原创 2024-01-12 23:09:14 · 1009 阅读 · 3 评论 -
NAND Separate Command Address (SCA) 接口数据传输解读
在写入操作时,控制器将要写入的数据块以高速连续的方式通过DQ总线发送给NAND闪存芯片。在SCA架构中,尽管CA总线负责命令和地址交互,但数据的实际写入动作仍然依赖于DQ总线输出能力,使得数据能够在指定的存储单元上被迅速且准确地更新。在读取操作期间,数据以一种快速并行的方式通过DQ总线传送到控制器。在SCA接口下,虽然命令和地址信息与数据传输分离,但当命令执行后,相应的数据会被一次性或分段式地通过DQ通道传输到控制器,以便于高效利用带宽资源,并减少数据读取延迟。这样就提高了闪存操作的并发性和整体效率。原创 2024-01-12 23:07:58 · 934 阅读 · 1 评论 -
NAND Separate Command Address (SCA) 接口命令解读
在SCA接口下,CA总线上的输出模式包括数据位(如CA[1:0])以及一个输出时钟信号(CA_CLK),其中数据位上携带的是状态信息或其他与操作相关的反馈内容。CA input packet 和 CA output packet 作为SCA接口的核心组成部分,分别负责向NAND器件发送指令和地址请求及接收来自NAND器件的操作回应,它们通过分离命令与数据路径来实现并发处理,提升了固态硬盘(SSD)的I/O性能和系统效率。原创 2024-01-12 23:07:01 · 1045 阅读 · 0 评论 -
NAND新一代接口Separate Command Address (SCA) 简介
通过这种方式,SCA接口不仅简化了布线和电路设计,还优化了控制器与NAND闪存之间的交互,允许更高级别的命令交错执行,从而显著提升固态硬盘(SSD)的并行操作能力和整体性能。CA pins:这些引脚专用于传输命令和地址信息,采用并行转串行的方式,降低了所需的物理引脚数目,同时提高了信号完整性,并允许在数据传输的过程中并发执行命令和地址更改。,即创建了专门的SCA CA通道用于命令和地址的串行传输,而DQ通道专注于数据的并行传输。,这无疑将给主控芯片的设计带来新的考验。时,这无疑给系统设计带来了更大的挑战。原创 2024-01-12 23:04:04 · 2150 阅读 · 0 评论 -
NAND系统性能提升常见方案
当NAND Flash阵列正在执行读写操作时,下一批数据可以通过缓存预先进行传输,实现流水线并行处理,从而避免等待上一个操作完成后再进行下一个操作的串行瓶颈。优化AC(读/写访问时序)参数是为了在保证数据完整性和可靠性的同时减少操作周期,例如命令发出到数据有效的时间间隔、数据保持时间等,从而降低整个读写周期。通道内并发(如交错操作):在一个通道内的不同Die之间或者同一Die的不同平面之间进行交错读写操作,以最大化内部并行度。:利用多个物理通道同时独立地向不同的NAND芯片发送命令和数据,增加并行性。原创 2024-01-12 23:02:44 · 822 阅读 · 0 评论 -
如何解决NAND系统性能问题?-- NAND接口分类
在NAND闪存技术发展初期,为了实现高速数据传输,通常采用8位、16位甚至更多位宽的并行接口设计,通过多个独立的数据线(I/O引脚)同时发送地址、命令和数据。最初由三星和东芝主导开发,尤其是Toggle DDR(Double Data Rate)标准,它利用DDR技术在时钟的上升沿和下降沿传输数据,从而实现更高的数据吞吐量。,市场和技术的发展促使双方寻求更多的兼容性和合作,业界正趋向于融合两种标准的优势,提供更通用、高效的解决方案。等更高级别的存储接口标准,它们通过较少数量的引脚实现了更高的数据传输效率。原创 2024-01-12 23:01:34 · 650 阅读 · 0 评论 -
如何解决NAND系统性能问题?--NAND分类
当你需要从SSD中读取数据时,调度员会精确地定位到对应的小飞侠,小飞侠们立即返回所保管的信息,整个过程几乎眨眼之间就能完成,比传统硬盘驱动器中的机械部件快得多,就像是在瞬移一样传输数据。而在写入数据时,虽然小飞侠们的“写字速度”相对较慢,但聪明的调度员会运用高速缓存技术和并发处理机制,提前规划好写入顺序,让多个小飞侠同时开工,大大提升了整体的工作效率。想象一下,你正在管理一座神奇的数据仓库,这个仓库没有沉重的门、旋转的磁盘和机械手臂,而是由一群训练有素的“数据小飞侠”组成。原创 2024-01-12 23:00:38 · 665 阅读 · 0 评论 -
长江存储诉讼镁光侵权的8个专利是什么?
这起诉讼表明,长江存储的知识产权比美光更先进,证明这家中国公司在维权方面有足够的后盾,也给美国其他相关企业敲响了警钟。中国分析人士表示,此举是中国存储芯片企业正式对美国芯片企业发起反击的标志性事件,也表明中国企业领先世界,在存储芯片领域完全不受美国制裁。“长江存储此举将鼓励企业创新,维护其合法权益,维护正常的市场竞争,”北京社会科学院副研究员王鹏周日告诉《环球时报》。正如起诉书中所详述的那样,长江存储指出,它不再是一个新的市场进入者,而是已成为全球3D NAND市场的重要参与者。原创 2023-11-13 21:06:46 · 991 阅读 · 0 评论 -
NAND Vpass对读干扰和IO性能有什么影响?
SSD的存储介质是什么,它就是NAND闪存。NAND闪存原理上是一个CMOS管,有两个栅极,一个是控制栅极(Control Gate), 一个是浮栅(Floating Gate). 浮栅的作用就是存储电荷,而浮栅与沟道之间的氧化层(Oxide Layer)的好坏决定着浮栅存储电荷的可靠性,也就是NAND闪存的寿命。在SSD中,针对Read disturb有优化措施,就是尽量避免持续读同一Block的Page,如果在进行了长时间的读操作之后,会加入Erase/Program操作,减小Read stress。原创 2023-11-09 21:57:14 · 1014 阅读 · 0 评论 -
摊牌了,不装了|三星NAND减产50%,Micron涨价10%
根据10年的数据各大NAND厂商的份额变化,三星/铠侠/西数/海力士/镁光牢牢把控全球市场。其中三星占比超过31%,接近全球1/3的份额。三星的动作对NAND市场影响巨大。这些头部NAND厂商一连串的减产,提升合约价,肯定会对后续NAND相关产品(SSD,EMMC,UFS等)市场变化产生影响。原创 2023-09-17 20:57:32 · 957 阅读 · 0 评论 -
焕发生机|嵌入式存储eMMC原理解析
其中,Flash Memory是eMMC存储数据的主要部分,属于非易失性存储器,用于存放系统、应用和数据等,类似于PC系统中的硬盘。同时,随着技术的发展,EMMC的读写速度也不断提升,比如最新的eMMC 5.1读写速度已经可以达到UHS-II等级的速度。在这个示例中,第一行显示了主eMMC设备的信息,包括设备节点为/dev/mmcblk0,容量为111.4GB,以及一些其他特征信息。上述命令中,mmc read用于读取eMMC的数据,0x18000000是要读取的起始地址,0x200是要读取的数据长度。原创 2023-09-15 00:49:57 · 1946 阅读 · 1 评论 -
国产SSD的0e可靠性问题如何解决?
在Program时,需要在WL加一个高压20V左右,由于高压的存在会造成其他BL上电子隧穿进入浮栅,再加上由于缺陷引起漏电以及GIDL效应的存在,最后的结果就是Program cell周围的Cell的Vt会向右偏移。在SSD中,针对Read disturb有优化措施,就是尽量避免持续读同一Block的Page,如果在进行了长时间的读操作之后,会加入Erase/Program操作,减小Read stress。在实际应用中,SSD UBER的数值越低,表示SSD的稳定性越高,数据读取的可靠性也越好。原创 2023-09-08 23:16:13 · 1088 阅读 · 0 评论 -
YMTC X3 NAND 232L 终露真容,全球领先|国产芯之光
念念不忘,必有回响。近日,TechInsights透露,目前已经在海康威视新上市的CC700中,找到了Xtacking 3.0 232L NAND的踪迹。原创 2022-12-03 13:48:17 · 2453 阅读 · 0 评论 -
芯片级解密YMTC NAND Xtacking 3.0技术
长江存储YMTC自从2016年成立以来,一直在吸引外界的关注。作为NAND国产厂商,被寄予厚望。原创 2022-11-29 23:08:31 · 5241 阅读 · 0 评论 -
X-NAND新架构助力QLC性能飙升
X-NAND的确有很大的潜力,特别在QLC NAND容量上升后的性能不断下降情况下,如果X-NAND架构可以弥补QLC的性能劣势,肯定加速QLC的普及。原创 2022-09-18 10:31:48 · 349 阅读 · 1 评论 -
3D-NAND向500层进发,天花板在哪里?
预计在2025年,我们将会看到层叠超过500L的3D NAND。甚至在2030之前,超过800L的3D NAND也可能会进入大家的视野。这听上去很Crazy,也许这就是技术的魅力。让我们拭目以待!原创 2022-09-16 22:07:21 · 830 阅读 · 1 评论 -
SSD主控与NAND闪存之多通道交互
一块SSD容量的大小,取决于SSD中NAND闪存颗粒的多少和每个颗粒的存储量。市面上的SSD至少都包含4个NAND闪存颗粒。由于目前技术的限制,SSD主控做不到同时对4个NAND闪存颗粒进行操作。如何优化多个NAND闪存颗粒性能成为了SSD主控又一个挑战。办法总比困难多,SSD主控提出了多通道(Multi-Channel)的架构,如下图:先暂停一下哈,有个概念还需要交代一下原创 2017-07-14 14:12:50 · 6176 阅读 · 0 评论 -
NAND闪存可靠性概览
第一幕:NAND基础背景NAND根据cell包含bit的数目分为SLC、MLC、TLC,NAND里面所有cell的状态采用VT分布图展示,如下图,SLC包含1 bit,有1,0两个状态,MLC包含2 bit,有11,10,00,01四个状态,TLC包含3 bit,有111,011,001,101,100,000,010,110八个状态。注:横坐标:NAND原创 2017-07-14 14:15:49 · 8223 阅读 · 3 评论 -
SSD真的安全吗?你看或者不看,真相就在这里…
当一块SSD坏掉了,需要扔掉的时候,你是否想过,SSD里面是否已经真的删除干净,是否还有你私密的数据呢?特别是对银行业或者军工的SSD,里面包含了很多机密的数据,如果轻易的处理掉,很有可能会被别有用心的人利用,造成不可挽回的损失。或者,换到另一个场景,你有一块机密的SSD丢了或者被偷了,如果你的SSD没有做任何保护的话,SSD里面存储的信息就直接暴露给别人了。目前针对SSD数据安全原创 2017-07-18 11:44:06 · 4331 阅读 · 0 评论 -
3D NAND生态全景回顾以及行业展望
自2014年3D NAND问世,就一直聚焦着全世界的目光。经过几年的沉淀,3D NAND行业可谓是"百家"峥嵘。说"百家"是有点夸张了,说白了,3D NAND行业也就是指三星、东芝、西部数据、美光、SK海力士等这些Flash原厂巨头,因为他们基本完全把控着3D NAND的命脉。中国公司在此领域毫无话语权,甚至连收购、合作外资公司都没可能,想获得突破还得靠国产公司自立。值得欣慰的是,紫光公司主导的长原创 2017-08-16 10:16:03 · 2074 阅读 · 1 评论 -
第二代3D TLC NAND原厂级深度评测 | 是否如你所愿?
目前,市场上将3D TLC NAND flash主要分为两代:第一代为32-48 layer 3D TLC NAND flash;第二代为64-72 layer 3D TLC NAND flash;第一代3D TLC NAND已经比较成熟,凭借容量和单GB成本优势,顺利取代2D NAND成为市场主导。其P/E cycle Endurance虽然比原创 2017-08-11 12:45:27 · 15366 阅读 · 0 评论 -
为QLC保驾护航 | 慧荣科技(SMI) 亮出最新LDPC纠错技术
前段时间东芝宣布,已试做出全球首见、采用 4bit/cell(QLC)技术的64 layer 3D NAND 产品,且已完成基本动作及基本性能的确定。在FMS会议上,三星也发布QLC SSD,其他巨头Intel,Micron,SK等对QLC的研发也在路上,QLC的时代在大家并不情愿的情况下还是要到来了。因为QLC NAND中有16 level(如下图红色框),每个level上面存有更少的电子,所以原创 2017-08-14 10:10:05 · 3498 阅读 · 0 评论 -
3D NAND要开始全面收割存储市场了?
今年内存,固态硬盘SSD等存储产品的价格一直不下,令很多期待更新SSD的小伙伴只能望洋兴叹,徒有无奈。那是什么导致这个问题呢?究其原因,存储大厂进行2D AND至3D NAND的制程转换。导致2D NAND产能下降,而同时,3D NAND的制程由于存在低良率的问题,又不能保证足够的供应量。不过,在2017年下半年,各大厂商的3D NAND量产顺利,产能逐步恢复正常。预计在今年第四季度,原创 2017-10-21 12:57:00 · 1732 阅读 · 0 评论 -
Intel/美光的3D Xpoint能够撑起未来存储的一片天吗?
在2015年,一对好基友Intel和美光携手发布了革命性的存储技术,名号称为“3D Xpoint”. 由于3D Xpoint是自NAND闪存问世以来引入的新型的存储技术,自然在科技界立马引起了轰动。大家都想知道,这个新生事物到底是何方神圣?本文就带领大家走进这个新科技。本文内容主要基于Intel Optane SSD的拆解。先来了解以下产品详细参数:看到上面的表格,估计很多朋友都会原创 2017-10-24 09:50:01 · 1372 阅读 · 0 评论 -
U盘的存储材料氧化物绝缘层到底是个什么神奇之物?
U盘结构回答这个问题之前,我们先来看看U盘的结构是怎样的,如下图:U盘主要有两部分,一是NAND控制芯片,二是NAND存储芯片。其中,NAND存储芯片是U盘实现存储数据的介质。所以,要回答"U盘的存储材料氧化物绝缘层到底是个什么神奇之物?"这个问题,我们接下来的任务就是了解一下NAND的结构和工作原理。NAND的结构和工作原理NAND闪存基本单元是一个特原创 2018-01-11 10:08:22 · 1877 阅读 · 0 评论 -
英特尔和三星的3D闪存技术有什么差异?
英特尔(Intel)和三星(Samsung)是半导体行业两大巨头。英特尔来自美国,成立于1968年,具有50年的技术沉淀。三星来自韩国,成立于1938年,已经有了80年的历史。在2017年,三星第一次超过英特尔称为全球最大半导体制造商,市场份额达到了14.6%。2017年之前,一直是英特尔占据第一的宝座。在3D闪存领域,三星要比英特尔起步早。三星3D NAND的发展轨迹是4原创 2018-02-03 19:12:05 · 3530 阅读 · 0 评论