IGBT的退饱和

IGBT（绝缘栅双极晶体管）退饱和（Desaturation，简称Desat） 是指 IGBT 从饱和导通状态进入线性工作区（或截止区），这通常意味着器件可能进入异常工作状态，例如过流或短路。

---

IGBT 退饱和的主要原因

1. 电流过大：

   • 当 IGBT 承载的电流超过其正常工作范围（如短路电流），集电极-发射极电压 VCEV_{CE} 迅速上升，导致器件进入退饱和状态。

2. 栅极驱动不足：

   • 栅极驱动电压 VGEV_{GE} 下降，导致 IGBT 的导通能力下降，等效内阻增大，使 VCEV_{CE} 升高。

3. 供电电压下降：

   • 直流母线电压突然下降，导致 IGBT 内部载流子不足，使其无法维持低导通电压。

4. IGBT 过热：

   • 温度过高时，载流子复合率增加，使 IGBT 内部导通能力下降，导致退饱和。

正常情况下IGBT在饱和状态下CE两极的电压大小是0.3V，当发生退饱和时候,CE两极的电压大小将达到5 8 9