推挽振荡 ZVS 电路

推挽振荡 ZVS(Zero Voltage Switching)电路是一种 高效的功率转换拓扑结构,广泛用于 感应加热、高频逆变、电源转换等领域。它的核心在于利用 谐振技术 使 MOSFET 在 零电压(或接近零电压)时开关,减少开关损耗,提高效率。

推挽电路采用两个 MOSFET 交替工作,每个 MOSFET 关断时,负载电流会流入对方 MOSFET 的体二极管,并逐渐衰减,使得 MOSFET 在导通前漏极电压自然降到零。这与 半桥 LLC 谐振变换器 的工作方式类似,通过谐振元件的储能与释放,实现 ZVS。

(一) 推挽振荡 ZVS 电路的工作原理分析:

1.当电源上电的瞬间,两颗MOS的栅极同时进入高电平,但是由于每颗MOS的不一致性,因此两颗MOS并不会同时导通。

2.假设Q2先导通,由于L2电感延缓电压变化,此时D点电压相当于0V:

3.此时A点电压立即被拉低到零点几伏,Q1关断:

4.于是Q1和Q2形成了一开一关的情形:

下面是Q1和Q2的栅极电压波形,红色是Q1,黄色是Q2:(注意观察刚开始电源上升部分的波形变化)

5.此时LC电路开始充电:

6.此时由于电感L1的延缓电压变化作用,C点电压大小可以大于VCC:

之久L1饱和,C1

7.C点和D点电压变化:

【无抽头ZVS电路,零电压开关工作原理详解】https://www.bilibili.com/video/BV1UU4y127Gt?vd_source=3cc3c07b09206097d0d8b0aefdf07958

(二)实际应用电路:

原文链接:大功率感应加热2500W 增强型ZVS - 立创开源硬件平台

增强电流流通能力:

可以用来加热器件:

 type-C的布线,可以采用圆弧走线:

ZVS即所谓零电压开关(ZVS)/零电流开关(ZCS)技术,或称软开关技术,小功率软开关电源效率可提高到80%~85%。接下来将详解介绍zvs原理及如何自制zvs的升压电路图以及它的操作步骤。 ZVS经典原理: 1. 上电瞬间,电源电压流经R1,R2,经过ZD1,ZD2稳压二极管钳位在12V后分别送入MOS1,MOS2的GS极,因此两个MOS管同时开通。 2. 因为元件参数的离散性(例如:MOS管GS钳位电压的离散性、MOS管本身跨导参数的离散性、变压器初级绕组不严格对称、走线长度差异等),导致两管DS电流在上电瞬间就不相同。假设下方的MOS管MOS2流过的电流稍大。即IL3》IL2。因为L2,L3是在同一磁芯上绕制,本身存在磁耦合,所以,对磁芯的励磁电流为IL2,IL3之和。之前提到IL3》IL2,而且从抽头看去,IL2,IL3的电流方向相反,所以对磁芯的励磁电流为Ip1=IL3-IL2。这样就可以等效为仅有L3线圈产生励磁作用(有一部分抵消掉L2的励磁)。明白这点以后,继续往下分析。 3. 见图1,在上电瞬间,L2,L3中的等效励磁电流Ip1用红色线条表示,因为具有相同的磁路,Ip1将在L2上产生一个互感电流,图中用蓝色线条表示,L2 L3与C1构成并联谐振,这个互感电流的方向同IL2相反,如此正反馈造成的结果是IL2越来越小,最终可单纯看做只有L3参与励磁。 4. 与此同时,B点电压升高,D1截止,C点电压保持12V,MOS2继续保持开通。因为MOS2开通时VDS很小,A点近似接地,D2导通,将D点电位强行拉低至0.7V左右,MOS1失去VGS而截止。 5. 随着时间推移,L3对磁芯的励磁最终达到磁饱和,大家注意,此时蓝色线条的电流因磁芯饱和失去互感刚好减到0,MOS1的DS上电压为零。而L3失去电感量而近似于一个仅几mΩ的纯电阻,瞬间大电流全部叠加在MOS2的导通电阻Ron上,使A点电位瞬间升高,D2截止,D点电位恢复至12V,MOS1获得VGS而导通(在VDS=0的情况下导通,故称ZVS)。继而B点近似接地,C点电压降到0.7V,MOS2截止,MOS1保持导通。当L2励磁达到饱和时电路状态再次发生翻转,重复第4过程。 6. 整个过程中,翻转的时间由谐振电容C1的容量和L2 L3共同决定,因为有C1构成谐振,初级电压波形呈完美正弦波,谐波分量大大减小,漏感的影响不复存在,因此变比等于匝比。L1为扼流电感,利用电感电流的不可突变特性,保证磁饱和瞬间MOS管的DS极不会流过巨大浪涌而损坏。这也是为什么不接此电感或者感量太小时,电路空载电流会增大,而且MOS管发热严重的原因。 因为利用了磁饱和原理,所以在磁芯工作在滞回线1,3象限的饱和临界点之间,磁芯的储能作用得以最大发挥,传递功率相当大。
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